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公开(公告)号：CN104819789B
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201510073321.9
申请日：2015-02-10
Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种应力传感器，所述应力传感器包括：衬底，所述衬底具有第一凹槽；第一压阻层，覆盖所述第一凹槽内壁及部分衬底上表面，所述第一压阻层通过第一绝缘层与所述衬底隔离；第一传递层，填充满所述第一凹槽，且具有两个第三凹槽，所述两个第三凹槽沿所述第一凹槽槽长方向平行排列，所述第一传递层通过第二绝缘层与所述第一压阻层隔离；第一隔离层，填充满所述第三凹槽，所述第一隔离层通过第三绝缘层与所述第一传递层隔离；第一电极对，第二电极对，位于衬底上表面的所述第一压阻层上，所述第一电极对位于第一凹槽槽长延长线上，所述第二电极对位于所述第一凹槽槽宽延长线上，能够实现对非芯片上表面内应力分量的测量。
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公开(公告)号：CN104819789A
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：CN201510073321.9
申请日：2015-02-10
Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种应力传感器，所述应力传感器包括：衬底，所述衬底具有第一凹槽；第一压阻层，覆盖所述第一凹槽内壁及部分衬底上表面，所述第一压阻层通过第一绝缘层与所述衬底隔离；第一传递层，填充满所述第一凹槽，且具有两个第三凹槽，所述两个第三凹槽沿所述第一凹槽槽长方向平行排列，所述第一传递层通过第二绝缘层与所述第一压阻层隔离；第一隔离层，填充满所述第三凹槽，所述第一隔离层通过第三绝缘层与所述第一传递层隔离；第一电极对，第二电极对，位于衬底上表面的所述第一压阻层上，所述第一电极对位于第一凹槽槽长延长线上，所述第二电极对位于所述第一凹槽槽宽延长线上，能够实现对非芯片上表面内应力分量的测量。
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公开(公告)号：CN104900547B
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201510307291.3
申请日：2015-06-05
Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
IPC: H01L21/60 , H01L23/48 , H01L23/488
CPC classification number: H01L2224/11
Abstract: 本发明涉及一种多元合金成分的微凸点制备工艺，其特征是，包括以下步骤：（1）在晶圆表面电镀Ti/Cu种子层；在Ti/Cu种子层的表面制作设定厚度的铜层；（2）在玻璃晶圆表面涂覆光刻胶，对光刻胶进行开口工艺，得到开口；在开口处对玻璃晶圆进行刻蚀，形成凹槽；去除玻璃晶圆上的光刻胶；（3）将玻璃晶圆与承载片进行临时键合，将玻璃晶圆的背面进行减薄，减薄至凹槽形成玻璃通孔；（4）将具有玻璃通孔的玻璃晶圆放置于铜层上；将钎料填充于玻璃通孔中；移除玻璃晶圆，回流形成凸点；将凸点之间的铜层和Ti/Cu种子层刻蚀掉，形成铜柱凸点。本发明可制备不同成分和温度的凸点，自由度较大，同时避开电镀技术，节约了成本。
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公开(公告)号：CN104201166B
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：CN201410450356.5
申请日：2014-09-04
Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
IPC: H01L23/485 , H01L21/60
CPC classification number: H01L2224/11
Abstract: 本发明涉及一种TSV转接板及其制造工艺，先在基板上进行植球工艺，形成凸点，然后将铜柱嵌入凸点中，形成铜柱凸点结构；利用塑封工艺将铜柱凸点结构进行塑封，利用湿法或干法工艺将铜柱上表面露出来，进行正面RDL层和第一微凸点的制造工艺；将基板材料去除，利用减薄工艺打磨基板背面，直到露处铜柱的下表面为止，做背面RDL层和第二微凸点，完成整个的TSV转接板工艺。该工艺避开了TSV刻蚀、绝缘层沉积、介质层沉积、种子层制备及电镀填充，极大地降低了转接板制造成本。
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公开(公告)号：CN103943579B
公开(公告)日：2016-11-30
申请号：CN201410166240.9
申请日：2014-04-23
Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
IPC: H01L23/485 , H01L21/60
Abstract: 本发明涉及一种晶圆级铜柱微凸点结构及制作方法，包括晶圆、多个导电柱体和介质层，导电柱体包括聚合物核心、电镀种子层和金属铜层，导电柱体上表面露出介质层上表面、并设置凸点，导电柱体下表面与晶圆上的焊盘连接。所述晶圆级铜柱微凸点结构的制作方法，包括以下步骤：（1）在晶圆上表面涂覆聚合物层，刻蚀得到聚合物核心；（2）在晶圆上表面制作电镀种子层；在电镀种子层上表面制作金属铜层；（3）刻蚀掉不需要的电镀种子层和金属铜层；（4）导电柱体间填充介质；（5）在步骤（4）结构上表面涂覆光刻胶，露出金属铜层上表面、并电镀钎料后回流焊形成凸点；去除光刻胶。本发明可以防止凸点开裂现象的发生，提高铜柱凸点的可靠性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104091793B
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：CN201410346165.4
申请日：2014-07-18
Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
IPC: H01L23/485 , H01L21/60
CPC classification number: H01L2224/11
Abstract: 本发明涉及一种提高可靠性的微凸点结构及制作方法，包括半导体基体，半导体基体正面设有钝化层，钝化层中设置微凸点结构，微凸点结构包括设置于半导体基板表面的焊盘、设置于焊盘表面的种子层和设置于种子层上的微凸点；其特征是：在所述微凸点结构的外周的钝化层上设置刻蚀槽。所述微凸点结构的制作方法，采用以下步骤：在半导体基板上制作焊盘和钝化层；在钝化层上刻蚀形成开窗，开窗的位置与焊盘一一对应；在钝化层上表面制作种子层；在种子层上涂覆光刻胶；将焊盘上方的光刻胶去除，将焊盘周围的光刻胶、种子层和钝化层去除；在焊盘上制作凸点，进行回流焊，形成微凸点。本发明有效防止微凸点裂纹的扩展，提高微凸点可靠性。
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公开(公告)号：CN104465547A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410754216.7
申请日：2014-12-10
Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
CPC classification number: H01L2223/6677 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/19 , H01L2224/96 , H01L2924/3025
Abstract: 本发明涉及一种高频天线信号反射的封装结构及制造方法，包括PCB系统板和封装体，封装体包括塑封料和芯片，在塑封料的背面布置线路层和天线，在线路层上设置焊球，封装体通过焊球与PCB系统板连接；其特征是：在所述天线的周围设置焊接层，在焊接层上连接反射装置，反射装置为一个罩体，将天线罩设住。所述封装结构的制造方法，包括以下步骤：在临时键合片表面涂覆膜材料或胶，将芯片放置在膜材料或胶上，采用塑封料将芯片进行塑封，去除临时键合片；在塑封料的背面制造线路层、天线和焊接层，在线路层上制作焊球；将反射装置扣在天线正下方；将封装体贴装在PCB系统板上。本发明降低了信号的损耗和串扰问题，解决了占用PCB系统板面积的问题。
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公开(公告)号：CN104332456A
公开(公告)日：2015-02-04
申请号：CN201410448238.0
申请日：2014-09-04
Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
IPC: H01L23/538 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/568 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/19 , H01L2224/96 , H01L2225/1035 , H01L2225/1058 , H01L2924/3511 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明涉及一种晶圆级扇出型堆叠封装结构及其制造工艺，包括两个或多个晶圆级扇出型封装单元，其特征是：所述晶圆级扇出型封装单元包括第一塑封材料，在第一塑封材料中设置铜柱或铜线，第一塑封材料的正面设置正面再布线层，正面再布线层上设置正面微凸点，第一塑封材料的背面设置背面再布线层，背面再布线层上设置背面微凸点；相邻两个晶圆级扇出型封装单元通过上层封装单元的背面微凸点和下层封装单元的正面微凸点连接。本发明首先将芯片粘结在膜材料上，然后将铜柱与临时载片键合，然后粘附到膜材料上，应用塑封料进行整体塑封，再进行RDL和微凸点的工艺、三维堆叠工艺。本发明节约制造成本，并可以降低晶圆的翘曲，提高晶圆可靠性。
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公开(公告)号：CN103943579A
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201410166240.9
申请日：2014-04-23
Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
IPC: H01L23/485 , H01L21/60
Abstract: 本发明涉及一种晶圆级铜柱微凸点结构及制作方法，包括晶圆、多个导电柱体和介质层，导电柱体包括聚合物核心、电镀种子层和金属铜层，导电柱体上表面露出介质层上表面、并设置凸点，导电柱体下表面与晶圆上的焊盘连接。所述晶圆级铜柱微凸点结构的制作方法，包括以下步骤：（1）在晶圆上表面涂覆聚合物层，刻蚀得到聚合物核心；（2）在晶圆上表面制作电镀种子层；在电镀种子层上表面制作金属铜层；（3）刻蚀掉不需要的电镀种子层和金属铜层；（4）导电柱体间填充介质；（5）在步骤（4）结构上表面涂覆光刻胶，露出金属铜层上表面、并电镀钎料后回流焊形成凸点；去除光刻胶。本发明可以防止凸点开裂现象的发生，提高铜柱凸点的可靠性。
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公开(公告)号：CN105294609B
公开(公告)日：2017-11-24
申请号：CN201510801567.3
申请日：2015-11-18
Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 , 复旦大学
IPC: C07D303/36 , C07D301/27 , C08G59/32 , C08G59/42
Abstract: 本发明涉及一种多官能团低介电环氧树脂单体及其合成方法与应用，以脂肪族类基团为主干，同时含有多个环氧基团，具有低介电常数和耐高温性能双重特性。所述多官能团低介电环氧树脂单体的合成方法，包括以下步骤：（1）在反应容器中将双烷基苯胺和环氧氯丙烷于50‑80℃条件下搅拌进行开环反应，反应结束后，冷却至室温，除去未反应的环氧氯丙烷；（2）向反应容器中再加入无机碱，加热升温至50‑60℃，并在此温度下搅拌3‑20小时进行闭环反应得到所述的环氧树脂单体。由本发明所述多官能团低介电环氧树脂单体合成的聚合物具有高模量、高玻璃化转变温度和较高的热分解温度，在氮气中5%分解温度为290 ℃以上，具有较好的热稳定性；同时，它们具有较低的介电常数。
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