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公开(公告)号：CN104819789B
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201510073321.9
申请日：2015-02-10
Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种应力传感器，所述应力传感器包括：衬底，所述衬底具有第一凹槽；第一压阻层，覆盖所述第一凹槽内壁及部分衬底上表面，所述第一压阻层通过第一绝缘层与所述衬底隔离；第一传递层，填充满所述第一凹槽，且具有两个第三凹槽，所述两个第三凹槽沿所述第一凹槽槽长方向平行排列，所述第一传递层通过第二绝缘层与所述第一压阻层隔离；第一隔离层，填充满所述第三凹槽，所述第一隔离层通过第三绝缘层与所述第一传递层隔离；第一电极对，第二电极对，位于衬底上表面的所述第一压阻层上，所述第一电极对位于第一凹槽槽长延长线上，所述第二电极对位于所述第一凹槽槽宽延长线上，能够实现对非芯片上表面内应力分量的测量。
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公开(公告)号：CN104819789A
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：CN201510073321.9
申请日：2015-02-10
Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种应力传感器，所述应力传感器包括：衬底，所述衬底具有第一凹槽；第一压阻层，覆盖所述第一凹槽内壁及部分衬底上表面，所述第一压阻层通过第一绝缘层与所述衬底隔离；第一传递层，填充满所述第一凹槽，且具有两个第三凹槽，所述两个第三凹槽沿所述第一凹槽槽长方向平行排列，所述第一传递层通过第二绝缘层与所述第一压阻层隔离；第一隔离层，填充满所述第三凹槽，所述第一隔离层通过第三绝缘层与所述第一传递层隔离；第一电极对，第二电极对，位于衬底上表面的所述第一压阻层上，所述第一电极对位于第一凹槽槽长延长线上，所述第二电极对位于所述第一凹槽槽宽延长线上，能够实现对非芯片上表面内应力分量的测量。
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公开(公告)号：CN107564890B
公开(公告)日：2019-09-20
申请号：CN201710659009.7
申请日：2017-08-03
Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
IPC: H01L23/544 , G01L1/18
Abstract: 本发明公开了一种应力传感器结构及其制作方法，其中所述应力传感器结构包括：衬底；盲孔，设置在所述衬底的第一表面；第一压阻层和第二压阻层，设置于所述盲孔侧表面，所述第一压阻层和所述第二压阻层在各层的底部连接；所述第一压阻层和所述第二压阻层由具有压阻效应的材质形成；第二绝缘层，设置于所述第一压阻层和所述第二压阻层之间；第一电极，设置于所述衬底的第一表面，与所述第一压阻层连接；第二电极，设置于所述衬底的第一表面，与所述第二压阻层连接。通过在第一电极和第二电极外加电压的方式所测得的电阻可以用于表征TSV结构的应力，尤其是轴向应力，进而该应力传感器可以用于测量TSV结构的应力。
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公开(公告)号：CN107564890A
公开(公告)日：2018-01-09
申请号：CN201710659009.7
申请日：2017-08-03
Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
IPC: H01L23/544 , G01L1/18
Abstract: 本发明公开了一种应力传感器结构及其制作方法，其中所述应力传感器结构包括：衬底；盲孔，设置在所述衬底的第一表面；第一压阻层和第二压阻层，设置于所述盲孔侧表面，所述第一压阻层和所述第二压阻层在各层的底部连接；所述第一压阻层和所述第二压阻层由具有压阻效应的材质形成；第二绝缘层，设置于所述第一压阻层和所述第二压阻层之间；第一电极，设置于所述衬底的第一表面，与所述第一压阻层连接；第二电极，设置于所述衬底的第一表面，与所述第二压阻层连接。通过在第一电极和第二电极外加电压的方式所测得的电阻可以用于表征TSV结构的应力，尤其是轴向应力，进而该应力传感器可以用于测量TSV结构的应力。
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公开(公告)号：CN119660670A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202411699059.4
申请日：2024-11-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明涉及一种二次封口真空封装工艺，包括如下步骤：(1)采用白锡作为封口焊料实现第一次真空封口；(2)将第一次封口后的MEMS微腔体结构在常温常压条件下放置；(3)第二次封口对准：将放置后的MEMS微腔体结构与第二次封口焊料对准并安装在制冷加热台上，并在二者之间放置催化剂；(4)对真空封装装置抽真空并保持，将制冷加热台的温度设定为低于13.2℃，使白锡转化为灰锡；(5)第二次真空封口：对真空封装装置抽真空，将制冷加热台的温度升高到焊接温度，使第二次封口焊料和掉落的灰锡粉末融化，并与电极焊接在一起，降温后完成第二次真空封口。本发明的封口工艺可提高真空封装工艺产能，降低产品成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115215285B
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202110431854.5
申请日：2021-04-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种基于氮化硅阳极键合的(111)硅转移工艺，其中，通过低应力氮化硅层，可实现高质量的阳极键合，同时保护键合结构不受后续释放工艺的腐蚀，形成稳定键合结构；通过闭合释放沟槽及腐蚀保护层，可形成厚度精确可控、不受晶向限制且可完全释放的敏感可动结构，从而本发明可实现(111)晶面上任意晶向MEMS器件的高精度及低成本制造。
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公开(公告)号：CN115919270A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202211370489.2
申请日：2022-11-03
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: A61B5/02
Abstract: 本发明提供一种基于密集柔性传感阵列的中医脉体软度判定方法，利用传感器阵列获取脉体随指压变化而产生的形变特征变化，以获得脉体软度判定结果；所述传感器阵列于一维阵列上包括的压力传感器个数≥5；本发明方法包括：将脉体的切脉过程根据施加压力由小到大，划分为若干个不同阶段；利用所述传感器阵列采集不同阶段的脉体压力分布曲线；基于所述脉体压力分布曲线，构建脉体的形变特征，并获取于各阶段的形变特征值；根据各所述形变特征值，获取脉体于所述切脉过程的总变化特征值；检测所述总变化特征值是否满足预设的脉体软度判定条件，根据检测结果获取脉体的软度判定结果，有效地提高了脉体软度判定的准确性。
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公开(公告)号：CN115813353A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202211467963.3
申请日：2022-11-22
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种基于传感阵列测脉搏波横向位置变化的紧脉特征识别方法，传感器阵列包括至少4个压力传感器，各压力传感器沿第一方向排列，所述第一方向与桡动脉的延伸方向呈夹角设置，中医紧脉特征识别方法包括：获得各压力传感器在同一时刻的脉搏压力值；得到多个压力采样点，将各压力采样点连成包络曲线；获得同一脉搏周期内的多条包络曲线选取最大的纵坐标最大值所对应的包络曲线作为该脉搏周期的压力分布曲线，在各压力分布曲线中取一标识点代表该压力分布曲线的位置，统计各标识点的横坐标的变化量；将变化量与紧脉判定阈值比较，得到紧脉特征识别结果。本发明的基于传感阵列测脉搏波横向位置变化的紧脉特征识别方法，能够识别紧脉等复杂脉象。
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公开(公告)号：CN115215285A
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202110431854.5
申请日：2021-04-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种基于氮化硅阳极键合的(111)硅转移工艺，其中，通过低应力氮化硅层，可实现高质量的阳极键合，同时保护键合结构不受后续释放工艺的腐蚀，形成稳定键合结构；通过闭合释放沟槽及腐蚀保护层，可形成厚度精确可控、不受晶向限制且可完全释放的敏感可动结构，从而本发明可实现(111)晶面上任意晶向MEMS器件的高精度及低成本制造。
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公开(公告)号：CN114371551A
公开(公告)日：2022-04-19
申请号：CN202011096018.8
申请日：2020-10-14
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及微纳加工技术领域，特别涉及一种微镜结构及其制备方法。衬底晶圆包括相对的第一表面和第二表面，所述驱动电极层设置在所述第一表面；所述衬底晶圆和所述驱动电极层上设有通孔；所述第一绝缘层设置在所述驱动电极层的表面和所述通孔的内壁上；所述支撑梁的第一端穿过所述通孔与所述固定层连接，所述支撑梁与所述通孔之间存在第一预设间隙；所述固定层设置在所述第二表面；所述驱动电极层中设有第一驱动电极、第二驱动电极和屏蔽电极；所述微镜设置在所述支撑梁的第二端上，所述微镜与所述第一绝缘层之间存在第二预设间隙。本申请实施例所述的微镜结构可以在减小单元尺寸的同时保证微镜的面内横向位移可与入射光波长相比拟。
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