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公开(公告)号：CN107564890B
公开(公告)日：2019-09-20
申请号：CN201710659009.7
申请日：2017-08-03
Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
IPC: H01L23/544 , G01L1/18
Abstract: 本发明公开了一种应力传感器结构及其制作方法，其中所述应力传感器结构包括：衬底；盲孔，设置在所述衬底的第一表面；第一压阻层和第二压阻层，设置于所述盲孔侧表面，所述第一压阻层和所述第二压阻层在各层的底部连接；所述第一压阻层和所述第二压阻层由具有压阻效应的材质形成；第二绝缘层，设置于所述第一压阻层和所述第二压阻层之间；第一电极，设置于所述衬底的第一表面，与所述第一压阻层连接；第二电极，设置于所述衬底的第一表面，与所述第二压阻层连接。通过在第一电极和第二电极外加电压的方式所测得的电阻可以用于表征TSV结构的应力，尤其是轴向应力，进而该应力传感器可以用于测量TSV结构的应力。
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公开(公告)号：CN107564890A
公开(公告)日：2018-01-09
申请号：CN201710659009.7
申请日：2017-08-03
Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
IPC: H01L23/544 , G01L1/18
Abstract: 本发明公开了一种应力传感器结构及其制作方法，其中所述应力传感器结构包括：衬底；盲孔，设置在所述衬底的第一表面；第一压阻层和第二压阻层，设置于所述盲孔侧表面，所述第一压阻层和所述第二压阻层在各层的底部连接；所述第一压阻层和所述第二压阻层由具有压阻效应的材质形成；第二绝缘层，设置于所述第一压阻层和所述第二压阻层之间；第一电极，设置于所述衬底的第一表面，与所述第一压阻层连接；第二电极，设置于所述衬底的第一表面，与所述第二压阻层连接。通过在第一电极和第二电极外加电压的方式所测得的电阻可以用于表征TSV结构的应力，尤其是轴向应力，进而该应力传感器可以用于测量TSV结构的应力。
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公开(公告)号：CN104819789B
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201510073321.9
申请日：2015-02-10
Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种应力传感器，所述应力传感器包括：衬底，所述衬底具有第一凹槽；第一压阻层，覆盖所述第一凹槽内壁及部分衬底上表面，所述第一压阻层通过第一绝缘层与所述衬底隔离；第一传递层，填充满所述第一凹槽，且具有两个第三凹槽，所述两个第三凹槽沿所述第一凹槽槽长方向平行排列，所述第一传递层通过第二绝缘层与所述第一压阻层隔离；第一隔离层，填充满所述第三凹槽，所述第一隔离层通过第三绝缘层与所述第一传递层隔离；第一电极对，第二电极对，位于衬底上表面的所述第一压阻层上，所述第一电极对位于第一凹槽槽长延长线上，所述第二电极对位于所述第一凹槽槽宽延长线上，能够实现对非芯片上表面内应力分量的测量。
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公开(公告)号：CN104819789A
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：CN201510073321.9
申请日：2015-02-10
Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种应力传感器，所述应力传感器包括：衬底，所述衬底具有第一凹槽；第一压阻层，覆盖所述第一凹槽内壁及部分衬底上表面，所述第一压阻层通过第一绝缘层与所述衬底隔离；第一传递层，填充满所述第一凹槽，且具有两个第三凹槽，所述两个第三凹槽沿所述第一凹槽槽长方向平行排列，所述第一传递层通过第二绝缘层与所述第一压阻层隔离；第一隔离层，填充满所述第三凹槽，所述第一隔离层通过第三绝缘层与所述第一传递层隔离；第一电极对，第二电极对，位于衬底上表面的所述第一压阻层上，所述第一电极对位于第一凹槽槽长延长线上，所述第二电极对位于所述第一凹槽槽宽延长线上，能够实现对非芯片上表面内应力分量的测量。
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