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公开(公告)号：CN107305852B
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN201610262775.5
申请日：2016-04-25
申请人： 华北电力大学 , 全球能源互联网研究院 , 国家电网公司
IPC分类号： H01L21/66
摘要： 本发明提供了一种基于开关特性测量的IGBT芯片筛选结构，包括上端盖、下端盖和发射极金属电极；上端盖和下端盖均为凹形盖，上端盖和下端盖的两侧壁通过外框架弹簧连接形成一个长方体框架；发射极金属电极设置在长方体框架内，其包括圆盘形金属电极，及相对该圆盘形金属电极的中心轴对称分布的多个凸台，凸台上放置IGBT模块；圆盘形金属电极布置在下端盖上，其上面和侧面分别设置有一个栅极PCB板和一个辅助栅极/发射极端子。与现有技术相比，本发明提供的一种基于开关特性测量的IGBT芯片筛选结构，可以在主回路参数一致的条件下，测量多个并联的IGBT芯片的开关波形，从而综合评价芯片的动静态参数是否一致。
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公开(公告)号：CN116646258A
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN202310592212.2
申请日：2023-05-24
摘要： 本发明公开一种利用有机硅凝胶灌封IGBT器件的系统，涉及材料灌封技术领域，腔体上开设第一通孔、第二通孔和第三通孔，抽气泵的一端通过第一通孔与腔体的内部连通，抽气泵的另一端与第一三通阀的第一端连接，第一三通阀的第二端与废气处理装置连接，第一三通阀的第三端与第一绝缘气体存储容器连接；第二绝缘气体存储容器与第二三通阀的第一端连接，第二三通阀的第二端通过第二通孔与腔体的内部连通，第二三通阀的第三端与外界环境连接；硅凝胶注入装置通过第三通孔伸入至腔体的内部，实现对放置在腔体的内部的IGBT器件的灌封，本发明增设了两个绝缘气体存储容器和废气处理装置，提高了利用有机硅凝胶灌封得到的IGBT器件的耐压水平。
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公开(公告)号：CN114545184A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202210159329.7
申请日：2022-02-22
申请人： 华北电力大学 , 全球能源互联网研究院有限公司
IPC分类号： G01R31/26
摘要： 本发明涉及一种压接型IGBT器件芯片电流分时测量系统及测量方法，属于压接型IGBT器件领域，罗氏线圈阵列板获取压接型IGBT器件内部各芯片的电流微分信号，模拟多路复用器在主控机的控制下接收被测芯片的电流微分信号，通过积分器还原为被测芯片的电流比例信号，模数转换器将被测芯片的电流比例信号转换为被测芯片的数字电流比例信号，从而主控机获得被测芯片的电流数据。本发明只需要1个积分器和1个模数转换器即可实现多芯片电流的测量，减少硬件资源占用，降低系统复杂度。且本发明充分利用电流周期性和电流波形跨周期基本不变的特性，实现了多芯片电流的跨周期分时测量，同时在电流稳态阶段将模数转换器休眠，降低了系统运行成本。
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公开(公告)号：CN110780185B
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN201911050874.7
申请日：2019-10-31
申请人： 华北电力大学
摘要： 本发明公开一种并联均流测试平台及方法和一种金属电极组件。该平台用于IGBT芯片和二极管芯片的并联均流测试；该平台包括现场主控机、高压直流电源、防爆电容器、反向恢复二极管、电抗器、IGBT驱动器、光波信号发生器、罗果夫斯基电流测量线圈组、压接型IGBT器件、示波器组和金属电极组件；IGBT驱动器、反向恢复二极管、压接型IGBT器件和待测芯片按需求连接成被动注入模式或主动开关模式下的测试电路。金属电极组件包括带孔电极板和带插针的电极凸台；通过将插针插入插孔中实现电极凸台与带孔电极板的连接，电极凸台与待测芯片连接。本发明能够根据待测芯片的布局调整电极的布局，适应在不同布局情况下的并联均流测试。
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公开(公告)号：CN105552038A
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201510960406.9
申请日：2015-12-18
IPC分类号： H01L23/10 , H01L29/739
摘要： 本发明提供一种大功率压接式IGBT器件，包括管壳和同轴安装在所述管壳上下两端的板状金属电极，下端金属电极的内侧面上安装有凸台，所述凸台与上端金属电极之间压接有功率子模块，所述下端金属电极的内侧面上垂直安装有将所述下端金属电极的内侧面分隔成四个区域的十字形硅钢片组；所述凸台分布在所述四个区域内；所述十字形硅钢片组外部为绝缘框架。本发明提供的技术方案将大量的凸台进行分割，降低了凸台在通过瞬态电流时，所产生磁场的相互影响，从而实现了局部区域内凸台之间杂散电感的最小化，提高了器件的使用性能。
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公开(公告)号：CN105514095A
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201510959099.2
申请日：2015-12-18
IPC分类号： H01L25/07 , H01L23/367
摘要： 本发明提供一种凸台高度可变的压接式IGBT模块，包括管壳和同轴设于所述管壳上下两端的板状金属电极，下端金属电极的内侧面上分布有凹槽，每个凹槽中容纳一凸台，所述凸台底部为向上凹陷的凹面；所述凸台与上端金属电极之间压接有功率子模块。本发明提供的压接式IGBT模块整体结构简单紧凑、散热性能更好、驱动回路杂散参数更小，对钼片、芯片、银片厚度一致性以及凸台高度一致性要求更低，提高了器件的使用性能。
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公开(公告)号：CN114019216A
公开(公告)日：2022-02-08
申请号：CN202111282131.X
申请日：2021-11-01
申请人： 华北电力大学 , 全球能源互联网研究院有限公司
摘要： 本发明涉及一种弹性压接IGBT器件芯片电流在线测量系统，利用能够集成在弹性压接IGBT器件内部的PCB板作为测量系统的载体，PCB板上开设有多个矩形开孔，每个矩形开孔周围设置一个矩形罗氏线圈，碟簧从矩形开孔中穿过，使用矩形罗氏线圈作为测量探头测量单个芯片的电流，实现弹性压接IGBT器件内部各芯片电流的在线测量；矩形罗氏线圈包括多个依次紧密排布的矩形单匝线圈，多个矩形单匝线圈均斜向布置在矩形开孔周围，使得矩形线圈有更均匀的绕线密度，提高了测量准确度和抗干扰能力。
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公开(公告)号：CN105552038B
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201510960406.9
申请日：2015-12-18
IPC分类号： H01L23/10 , H01L29/739
摘要： 本发明提供一种大功率压接式IGBT器件，包括管壳和同轴安装在所述管壳上下两端的板状金属电极，下端金属电极的内侧面上安装有凸台，所述凸台与上端金属电极之间压接有功率子模块，所述下端金属电极的内侧面上垂直安装有将所述下端金属电极的内侧面分隔成四个区域的十字形硅钢片组；所述凸台分布在所述四个区域内；所述十字形硅钢片组外部为绝缘框架。本发明提供的技术方案将大量的凸台进行分割，降低了凸台在通过瞬态电流时，所产生磁场的相互影响，从而实现了局部区域内凸台之间杂散电感的最小化，提高了器件的使用性能。
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公开(公告)号：CN117096120A
公开(公告)日：2023-11-21
申请号：CN202311022871.9
申请日：2023-08-15
IPC分类号： H01L23/473 , H01L25/07 , H01B3/20
摘要： 本发明提供了一种功率半导体封装结构，属于功率半导体技术领域，该功率半导体封装结构的主体中设有芯片单元，主体上设有对芯片单元进行液冷散热的冷却腔。本申请还提供包括上述半导体封装结构的阀串结构。该半导体封装结构通过冷却腔对芯片单元进行液冷散热，能够提高半导体封装结构的散热能力和对短时电流过冲的耐受能力。该半导体组件通过散热腔中的绝缘油进行散热，提升了组件内部绝缘介质的介电强度，从而有效减小半导体组件的体积和寄生参数，另外还能够提升器件内部的绝缘性能。
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公开(公告)号：CN115877153A
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202211545915.1
申请日：2022-12-05
IPC分类号： G01R31/20
摘要： 本发明提供一种含气泡硅凝胶样品的制备方法、气泡含量检测方法及系统，属于高压绝缘领域，制备方法包括：将硅凝胶样品分为三份；将第一份硅凝胶样品灌封进容器中，并进行脱气处理；对第二份硅凝胶样品进行搅拌，以使第二份硅凝胶样品中引入气泡，并将搅拌后的第二份硅凝胶样品倒入容器中；对第三份硅凝胶样品进行脱气处理，并将脱气处理后的第三硅凝胶样品倒入容器中，以得到含气泡硅凝胶样品；能够在不破坏硅凝胶完整性的前提下，制备目标位置处含气泡的硅凝胶样品。通过采集含气泡硅凝胶样品的图像，并对图像的RGB值进行加权求和，结合无气泡硅凝胶样品图像中像素的灰度平均值，准确计算出含气泡硅凝胶样品的气泡含量。
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