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公开(公告)号：CN114152831A
公开(公告)日：2022-03-08
申请号：CN202111483879.6
申请日：2021-12-07
Applicant: 华北电力大学 , 全球能源互联网研究院有限公司
IPC: G01R31/00
Abstract: 本发明涉及一种用于压接型功率器件的测试设备，所述测试设备包括：热压机构、热压传感器组件、传动机构和控制机构。本发明通过设置热压机构、热压传感器组件、传动机构和控制机构，实现了待测试模块的自动传送、压力和温度的自动调节，提高了压接型功率器件测试设备的自动化程度。
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公开(公告)号：CN113030608A
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN202110207863.6
申请日：2021-02-24
Applicant: 华北电力大学 , 全球能源互联网研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种功率器件均流特性评估实验装置，所述实验装置包括：PCB板和功率器件测试电路；PCB板上设置有对称分布的偶数个功率器件插座；功率器件测试电路的功率电路的多个被测功率器件可选择的插在偶数个所述功率器件插座中的多个功率器件插座上，使功率电路可在PCB板上进行对称布局和非对称布局；本发明通过设置对称分布的偶数个功率器件插座，使多个被测功率器件可选择的插在偶数个所述功率器件插座中的多个功率器件插座上，使所述功率电路可在所述PCB板上进行对称布局和非对称布局，进而实现电路排布不对称对于功率器件均流特性影响的研究和在实际工作中不同功率器件的参数的一致性的对比测试。
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公开(公告)号：CN114152831B
公开(公告)日：2023-01-06
申请号：CN202111483879.6
申请日：2021-12-07
Applicant: 华北电力大学 , 全球能源互联网研究院有限公司
IPC: G01R31/00
Abstract: 本发明涉及一种用于压接型功率器件的测试设备，所述测试设备包括：热压机构、热压传感器组件、传动机构和控制机构。本发明通过设置热压机构、热压传感器组件、传动机构和控制机构，实现了待测试模块的自动传送、压力和温度的自动调节，提高了压接型功率器件测试设备的自动化程度。
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公开(公告)号：CN113030608B
公开(公告)日：2022-02-08
申请号：CN202110207863.6
申请日：2021-02-24
Applicant: 华北电力大学 , 全球能源互联网研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种功率器件均流特性评估实验装置，所述实验装置包括：PCB板和功率器件测试电路；PCB板上设置有对称分布的偶数个功率器件插座；功率器件测试电路的功率电路的多个被测功率器件可选择的插在偶数个所述功率器件插座中的多个功率器件插座上，使功率电路可在PCB板上进行对称布局和非对称布局；本发明通过设置对称分布的偶数个功率器件插座，使多个被测功率器件可选择的插在偶数个所述功率器件插座中的多个功率器件插座上，使所述功率电路可在所述PCB板上进行对称布局和非对称布局，进而实现电路排布不对称对于功率器件均流特性影响的研究和在实际工作中不同功率器件的参数的一致性的对比测试。
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公开(公告)号：CN114545184A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202210159329.7
申请日：2022-02-22
Applicant: 华北电力大学 , 全球能源互联网研究院有限公司
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明涉及一种压接型IGBT器件芯片电流分时测量系统及测量方法，属于压接型IGBT器件领域，罗氏线圈阵列板获取压接型IGBT器件内部各芯片的电流微分信号，模拟多路复用器在主控机的控制下接收被测芯片的电流微分信号，通过积分器还原为被测芯片的电流比例信号，模数转换器将被测芯片的电流比例信号转换为被测芯片的数字电流比例信号，从而主控机获得被测芯片的电流数据。本发明只需要1个积分器和1个模数转换器即可实现多芯片电流的测量，减少硬件资源占用，降低系统复杂度。且本发明充分利用电流周期性和电流波形跨周期基本不变的特性，实现了多芯片电流的跨周期分时测量，同时在电流稳态阶段将模数转换器休眠，降低了系统运行成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115561601A
公开(公告)日：2023-01-03
申请号：CN202110744361.7
申请日：2021-07-01
Applicant: 全球能源互联网研究院有限公司 , 国网山西省电力公司 , 国家电网有限公司
Abstract: 本发明提供一种压接型IGBT子模组测试适配器及测试设备，压接型IGBT子模组测试适配器包括：上夹具与下夹具，所述下夹具适于与所述上夹具相对设置；所述上夹具包括负极基板；所述下夹具包括：导电基板；位于所述导电基板上的高度可调的支撑组件，所述支撑组件背离所述导电基板的一端适于与所述上夹具接触；位于所述导电基板上的定位组件，所述定位组件适于容纳IGBT子模组；探针，所述探针适于位于所述负极基板和所述IGBT子模组之间，所述导电基板适于与IGBT子模组的集电极电学连接。所述压接型IGBT子模组测试适配器使IGBT子模组上的压力更加均匀，能够降低测试时IGBT子模组失效的概率。
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公开(公告)号：CN113345852B
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202110580677.7
申请日：2021-05-26
Applicant: 全球能源互联网研究院有限公司 , 国网山西省电力公司检修分公司 , 国家电网有限公司
Abstract: 本发明提供一种压接型功率芯片封装结构，包括：第一电极层和第二电极层；功率芯片；位于第一电极层和第二电极层之间且位于功率芯片的侧部的复合连接板，复合连接板包括：第一绝缘板、位于第一绝缘板一侧的第一导电层、位于第一绝缘板背向第一导电层一侧的第二导电层，所述第一导电层和第二导电层均分别与所述第一电极层和第二电极层间隔；栅极通过第一键合线与第一导电层电学连接；发射极通过第二键合线与第二导电层电学连接。所述压接型功率芯片封装结构的开关速度提高、开关损耗减小。
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公开(公告)号：CN114220796B
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202111503735.2
申请日：2021-12-10
Applicant: 全球能源互联网研究院有限公司 , 国家电网有限公司
IPC: H01L23/552 , H01L25/07 , H01L23/498
Abstract: 本发明提供一种功率半导体芯片封装结构，包括：第一基板电极；位于部分所述第一基板电极上且与所述第一基板电极电连接的功率半导体芯片；环绕所述功率半导体芯片的线圈屏蔽结构，所述线圈屏蔽结构包括导电线圈以及包覆所述导电线圈的绝缘体。所述功率半导体芯片封装结构具有较高的耐压性。
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公开(公告)号：CN114220796A
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN202111503735.2
申请日：2021-12-10
Applicant: 全球能源互联网研究院有限公司 , 国家电网有限公司
IPC: H01L23/552 , H01L25/07 , H01L23/498
Abstract: 本发明提供一种功率半导体芯片封装结构，包括：第一基板电极；位于部分所述第一基板电极上且与所述第一基板电极电连接的功率半导体芯片；环绕所述功率半导体芯片的线圈屏蔽结构，所述线圈屏蔽结构包括导电线圈以及包覆所述导电线圈的绝缘体。所述功率半导体芯片封装结构具有较高的耐压性。
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公开(公告)号：CN113345852A
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN202110580677.7
申请日：2021-05-26
Applicant: 全球能源互联网研究院有限公司 , 国网山西省电力公司检修分公司 , 国家电网有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/49 , H01L23/10 , H01L23/16 , H01L29/739
Abstract: 本发明提供一种压接型功率芯片封装结构，包括：第一电极层和第二电极层；功率芯片；位于第一电极层和第二电极层之间且位于功率芯片的侧部的复合连接板，复合连接板包括：第一绝缘板、位于第一绝缘板一侧的第一导电层、位于第一绝缘板背向第一导电层一侧的第二导电层，所述第一导电层和第二导电层均分别与所述第一电极层和第二电极层间隔；栅极通过第一键合线与第一导电层电学连接；发射极通过第二键合线与第二导电层电学连接。所述压接型功率芯片封装结构的开关速度提高、开关损耗减小。
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