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公开(公告)号：CN119050091B
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202411509883.9
申请日：2024-10-28
IPC: H01L23/52 , H01L23/488
Abstract: 本发明提供了一种多界面互连构件及具有其的功率模块，多界面互连构件包括：主体段，主体段的下表面为导电连接面；第一界面互连段，位于主体段的侧部并与主体段连接，第一界面互连段的下表面为第一互连面；第二界面互连段，位于主体段的侧部并与主体段连接，第二界面互连段的下表面为第二互连面；其中，主体段的下表面、第一界面互连段的下表面以及第二界面互连段的下表面中的至少一个设置有浸润槽。通过本申请提供的技术方案，能够解决相关技术中的功率模块内利用率低的问题。
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公开(公告)号：CN119028954B
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411509876.9
申请日：2024-10-28
IPC: H01L23/64 , H01L23/498
Abstract: 本发明提供了一种功率器件，该功率器件包括：衬板，设置有导电层；芯片，设置在导电层上；控制组件，包括安装基板以及设置在安装基板上的电阻元件；其中，导电层上设置有安装位，安装基板在其厚度方向上的其中一个表面与安装位连接，电阻元件位于安装基板在其厚度方向上的另一个表面上。通过本申请提供的技术方案，能够解决相关技术中的电阻元件的互连工艺失效风险较大的问题。
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公开(公告)号：CN119050091A
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202411509883.9
申请日：2024-10-28
IPC: H01L23/52 , H01L23/488
Abstract: 本发明提供了一种多界面互连构件及具有其的功率模块，多界面互连构件包括：主体段，主体段的下表面为导电连接面；第一界面互连段，位于主体段的侧部并与主体段连接，第一界面互连段的下表面为第一互连面；第二界面互连段，位于主体段的侧部并与主体段连接，第二界面互连段的下表面为第二互连面；其中，主体段的下表面、第一界面互连段的下表面以及第二界面互连段的下表面中的至少一个设置有浸润槽。通过本申请提供的技术方案，能够解决相关技术中的功率模块内利用率低的问题。
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公开(公告)号：CN119028954A
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202411509876.9
申请日：2024-10-28
IPC: H01L23/64 , H01L23/498
Abstract: 本发明提供了一种功率器件，该功率器件包括：衬板，设置有导电层；芯片，设置在导电层上；控制组件，包括安装基板以及设置在安装基板上的电阻元件；其中，导电层上设置有安装位，安装基板在其厚度方向上的其中一个表面与安装位连接，电阻元件位于安装基板在其厚度方向上的另一个表面上。通过本申请提供的技术方案，能够解决相关技术中的电阻元件的互连工艺失效风险较大的问题。
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公开(公告)号：CN118969739A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411438306.5
申请日：2024-10-15
IPC: H01L23/057 , H01L23/10 , H01L23/49 , H01L23/08
Abstract: 本发明提供了一种半导体封装结构，其中，半导体封装结构包括：封装壳，包括基板以及与基板连接的围板；半导体芯片，与基板连接；第一端子，与半导体芯片的第一侧连接；第二端子，与半导体芯片的第二侧连接；绝缘加强部，与围板连接，绝缘加强部包括第一绝缘加强肋和第二绝缘加强肋，第一绝缘加强肋设置在第一端子和第二端子之间，第二绝缘加强肋的两端分别与围板的相对的两个内表面连接，第一绝缘加强肋和第二绝缘加强肋相交且相连。本申请的技术方案能够有效地解决相关技术中的壳体的绝缘性能和结构强度难以兼顾的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116646258A
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN202310592212.2
申请日：2023-05-24
Abstract: 本发明公开一种利用有机硅凝胶灌封IGBT器件的系统，涉及材料灌封技术领域，腔体上开设第一通孔、第二通孔和第三通孔，抽气泵的一端通过第一通孔与腔体的内部连通，抽气泵的另一端与第一三通阀的第一端连接，第一三通阀的第二端与废气处理装置连接，第一三通阀的第三端与第一绝缘气体存储容器连接；第二绝缘气体存储容器与第二三通阀的第一端连接，第二三通阀的第二端通过第二通孔与腔体的内部连通，第二三通阀的第三端与外界环境连接；硅凝胶注入装置通过第三通孔伸入至腔体的内部，实现对放置在腔体的内部的IGBT器件的灌封，本发明增设了两个绝缘气体存储容器和废气处理装置，提高了利用有机硅凝胶灌封得到的IGBT器件的耐压水平。
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公开(公告)号：CN119028965B
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202411519127.4
申请日：2024-10-29
IPC: H01L25/18 , H01L23/31 , H01L23/367
Abstract: 本发明提供了一种半导体封装结构，其中，半导体封装结构包括：封装壳，包括基板；第一芯片模块，与基板连接，第一芯片模块包括多个第一半导体芯片，多个所述第一半导体芯片并联连接；第二芯片模块，与基板连接，第二芯片模块与第一芯片模块串联连接；第一功率端子，与第一芯片模块导电连接；第二功率端子，与第二芯片模块导电连接。本申请的技术方案能够有效地解决相关技术中的功率半导体器件难以兼顾高电压等级和成本的问题。
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公开(公告)号：CN118943094B
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202411438305.0
申请日：2024-10-15
IPC: H01L23/367 , H01L23/373 , H01L23/49
Abstract: 本发明提供了一种半导体封装结构，包括：壳体，包括基板；第一半导体芯片，与基板连接；第一金属连接部，连接在基板和第一半导体芯片之间并与第一半导体芯片的第一极电连接；第二金属连接部，与第一金属连接部间隔设置，第二金属连接部与基板连接并与第一半导体芯片的第二极电连接；第一端子，与第一金属连接部电连接；第二端子，与第二金属连接部电连接；第一绝缘凸块，设置在基板上并设置在第一金属连接部和第二金属连接部之间。本申请的技术方案能够有效地解决相关技术中的半导体芯片散热效果不佳的问题。
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公开(公告)号：CN119050110B
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202411540451.4
申请日：2024-10-31
IPC: H01L25/18 , H01L23/367 , H01L23/498
Abstract: 本发明提供了一种功率器件，包括：功率单元、第一功率端子以及第二功率端子；功率单元包括：底板上具有沿第一预设方向间隔设置第一导电层和第二导电层，第一导电层与第二导电层导电连接；芯片设置在第一导电层上，芯片的第一侧与第一导电层连接，芯片的第二侧与第三导电层连接；绝缘层设置在第一导电层上；控制部与芯片连接，控制部设置在绝缘层远离第一导电层的表面上，芯片和第二导电层位于控制部的两侧；第一二极管设置在第二导电层上。本申请的技术方案有效地解决了相关技术中的功率器件散热效果差的问题。
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公开(公告)号：CN118943094A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202411438305.0
申请日：2024-10-15
IPC: H01L23/367 , H01L23/373 , H01L23/49
Abstract: 本发明提供了一种半导体封装结构，包括：壳体，包括基板；第一半导体芯片，与基板连接；第一金属连接部，连接在基板和第一半导体芯片之间并与第一半导体芯片的第一极电连接；第二金属连接部，与第一金属连接部间隔设置，第二金属连接部与基板连接并与第一半导体芯片的第二极电连接；第一端子，与第一金属连接部电连接；第二端子，与第二金属连接部电连接；第一绝缘凸块，设置在基板上并设置在第一金属连接部和第二金属连接部之间。本申请的技术方案能够有效地解决相关技术中的半导体芯片散热效果不佳的问题。
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