-
公开(公告)号：CN119028965A
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202411519127.4
申请日：2024-10-29
IPC: H01L25/18 , H01L23/31 , H01L23/367
Abstract: 本发明提供了一种半导体封装结构，其中，半导体封装结构包括：封装壳，包括基板；第一芯片模块，与基板连接，第一芯片模块包括多个第一半导体芯片，多个所述第一半导体芯片并联连接；第二芯片模块，与基板连接，第二芯片模块与第一芯片模块串联连接；第一功率端子，与第一芯片模块导电连接；第二功率端子，与第二芯片模块导电连接。本申请的技术方案能够有效地解决相关技术中的功率半导体器件难以兼顾高电压等级和成本的问题。
-
公开(公告)号：CN119028965B
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202411519127.4
申请日：2024-10-29
IPC: H01L25/18 , H01L23/31 , H01L23/367
Abstract: 本发明提供了一种半导体封装结构，其中，半导体封装结构包括：封装壳，包括基板；第一芯片模块，与基板连接，第一芯片模块包括多个第一半导体芯片，多个所述第一半导体芯片并联连接；第二芯片模块，与基板连接，第二芯片模块与第一芯片模块串联连接；第一功率端子，与第一芯片模块导电连接；第二功率端子，与第二芯片模块导电连接。本申请的技术方案能够有效地解决相关技术中的功率半导体器件难以兼顾高电压等级和成本的问题。
-
公开(公告)号：CN119340220B
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202411890620.7
申请日：2024-12-20
IPC: H01L21/56 , H01L21/687 , H01L23/31
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件的加工方法、用于半导体器件加工的夹具，其中，半导体器件的加工方法包括：得到基体；在基体上设置芯片；在基体上形成封装体，封装体具有顶部通孔，顶部通孔露出芯片的测温区域；在顶部通孔内穿设止挡件，止挡件的端部遮住测温区域；在封装体、基体以及止挡件之间填充绝缘胶体。本申请的技术方案有效地解决了相关技术中测量半导体器件的结温时，需要去除半导体器件的外壳而导致半导体器件可能受到损伤的问题。
-
公开(公告)号：CN119340220A
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202411890620.7
申请日：2024-12-20
IPC: H01L21/56 , H01L21/687 , H01L23/31
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件的加工方法、用于半导体器件加工的夹具，其中，半导体器件的加工方法包括：得到基体；在基体上设置芯片；在基体上形成封装体，封装体具有顶部通孔，顶部通孔露出芯片的测温区域；在顶部通孔内穿设止挡件，止挡件的端部遮住测温区域；在封装体、基体以及止挡件之间填充绝缘胶体。本申请的技术方案有效地解决了相关技术中测量半导体器件的结温时，需要去除半导体器件的外壳而导致半导体器件可能受到损伤的问题。
-
公开(公告)号：CN117096120A
公开(公告)日：2023-11-21
申请号：CN202311022871.9
申请日：2023-08-15
IPC: H01L23/473 , H01L25/07 , H01B3/20
Abstract: 本发明提供了一种功率半导体封装结构，属于功率半导体技术领域，该功率半导体封装结构的主体中设有芯片单元，主体上设有对芯片单元进行液冷散热的冷却腔。本申请还提供包括上述半导体封装结构的阀串结构。该半导体封装结构通过冷却腔对芯片单元进行液冷散热，能够提高半导体封装结构的散热能力和对短时电流过冲的耐受能力。该半导体组件通过散热腔中的绝缘油进行散热，提升了组件内部绝缘介质的介电强度，从而有效减小半导体组件的体积和寄生参数，另外还能够提升器件内部的绝缘性能。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116995045A
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202311022874.2
申请日：2023-08-15
Abstract: 本发明提供了一种功率半导体器件及阀串结构，属于功率半导体技术领域，该功率半导体器件包括主体，所述主体内设有芯片单元，所述主体内设有油腔，所述芯片单元位于所述油腔中。该功率半导体器件可以通过油腔中填充绝缘油来有效减小器件的体积和寄生参数，同时提升器件的散热效率和对短时电流过冲的耐受能力，并且能够提升模块的绝缘能力，减少器件内部芯片的局部放电和沿面放电。
-
公开(公告)号：CN119181681B
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202411696422.7
申请日：2024-11-25
Applicant: 北京怀柔实验室
Abstract: 本发明提供了一种封装结构及其制造方法、封装模块，其中，封装结构，包括：基板上设置有功率端子导电部；封装体设置在基板上并封装功率端子导电部的第一区域，第一通孔结构露出功率端子导电部的第二区域；芯片结构并位于封装体内；功率端子结构穿设在第一通孔结构中，功率端子结构的第一端连接在功率端子导电部的第二区域上并与芯片结构导电连接，功率端子结构的第二端穿出第一通孔结构。本申请的技术方案有效地解决了相关技术中的封装结构的应用场景受限的问题。
-
公开(公告)号：CN119181691B
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202411696419.5
申请日：2024-11-25
Applicant: 北京怀柔实验室
IPC: H01L23/498 , H01L23/367 , H01L25/07
Abstract: 本发明提供了一种功率器件，功率器件包括：衬板，衬板的上表面具有间隔设置的第一导电层、第二导电层以及第三导电层，第二导电层位于第一导电层和第三导电层之间；芯片组件，包括多个第一芯片和多个第二芯片，每个第一芯片的漏极均与第二导电层导电连接，每个第二芯片的漏极均与第三导电层导电连接；第一互连构件，具有导电连接部和多个互连部，导电连接部与第一导电层电连接，多个互连部与多个第一芯片的源极一一对应导电连接；第二互连构件，第二导电层与多个第二芯片的源极通过第二互连构件导电连接。通过本申请提供的技术方案，能够解决相关技术中的功率器件的芯片结温一致性差的问题。
-
公开(公告)号：CN119181678A
公开(公告)日：2024-12-24
申请号：CN202411696421.2
申请日：2024-11-25
Applicant: 北京怀柔实验室
IPC: H01L23/367 , H01L23/31 , H01L23/48
Abstract: 本发明提供了一种封装结构，包括：外壳，包括基板；导电部，设置在基板上；第一芯片，设置在导电部上；第一功率端子，第一功率端子的第一端具有相互连接的芯片连接部及散热部，芯片连接部与第一芯片连接，散热部与基板散热配合；第二功率端子，第二功率端子的第一端与导电部连接。本申请的技术方案有效地解决了相关技术中的封装结构的封装限制芯片发挥更高结温的问题。
-
公开(公告)号：CN119314974A
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202411838928.7
申请日：2024-12-13
Applicant: 北京怀柔实验室
IPC: H01L23/498 , H01L25/07
Abstract: 本发明提供了一种功率半导体封装结构，包括：基板，具有间隔设置的第一导电层和第二导电层；功率模块，位于第一导电层上，且功率模块的漏极与第一导电层电连接；互连结构，位于功率模块远离基板的一侧，功率模块和基板通过互连结构电气连接；源极连接器，位于第二导电层上，且与功率模块的开尔文源极电连接。通过本申请，解决了由于现有技术中功率器件的电感不匹配导致开关损耗较大的问题。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
48
records
(took 0.104 seconds)
