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公开(公告)号：CN119340220B
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202411890620.7
申请日：2024-12-20
IPC: H01L21/56 , H01L21/687 , H01L23/31
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件的加工方法、用于半导体器件加工的夹具，其中，半导体器件的加工方法包括：得到基体；在基体上设置芯片；在基体上形成封装体，封装体具有顶部通孔，顶部通孔露出芯片的测温区域；在顶部通孔内穿设止挡件，止挡件的端部遮住测温区域；在封装体、基体以及止挡件之间填充绝缘胶体。本申请的技术方案有效地解决了相关技术中测量半导体器件的结温时，需要去除半导体器件的外壳而导致半导体器件可能受到损伤的问题。
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公开(公告)号：CN119028935B
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202411509868.4
申请日：2024-10-28
IPC: H01L23/488 , H01L23/367 , H01L23/52
Abstract: 本发明提供了一种功率模块及具有其的功率器件，该功率模块包括衬板和芯片，衬板上设置有第一导电结构和第二导电结构，第一导电结构和第二导电结构均为轴对称结构，第一导电结构和第二导电结构的对称轴均沿功率模块的长度方向延伸，第一导电结构和第二导电结构上均设置有芯片；其中，功率模块还包括片状的第一互连片和第二互连片，芯片的上表面通过第一互连片与第一导电结构和/或第二导电结构导电连接，第一导电结构通过第二互连片与第二导电结构导电连接。通过本申请提供的技术方案，能够解决相关技术中的功率模块的散热能力较差的问题。
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公开(公告)号：CN119028936A
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202411509870.1
申请日：2024-10-28
IPC: H01L23/488 , H01L23/367 , H01L23/52
Abstract: 本发明提供了一种功率模块及具有其的功率器件，该功率模块包括衬板和多个芯片，衬板上设置有第一导电结构和第二导电结构，第一导电结构和第二导电结构均为轴对称结构，第一导电结构和第二导电结构的对称轴均沿第一方向延伸，第一导电结构和第二导电结构上均设置有多个芯片，第一导电结构上的多个芯片和第二导电结构上的多个芯片均在对称轴的两侧对称排布。通过本申请提供的技术方案，能够解决相关技术中的功率模块的芯片布局位置较为集中的问题。
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公开(公告)号：CN119050109B
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411540447.8
申请日：2024-10-31
IPC: H01L25/18 , H01L23/367 , H01L23/498
Abstract: 本发明提供了一种功率单元及具有其的功率器件，其中，功率单元包括：基板，基板在第一方向上依次间隔设置有第一端子导电部、芯片导电部以及第二端子导电部，芯片导电部与第二端子导电部导电连接；芯片，设置在芯片导电部上，芯片的第一侧与芯片导电部连接，芯片的第二侧与第一端子导电部导电连接；第一二极管，设置在第二端子导电部上；控制部，设置在基板上，并与芯片连接，控制部设置在芯片与第一二极管之间。本申请的技术方案有效地解决了相关技术中的功率单元散热效果差的问题。
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公开(公告)号：CN119050109A
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202411540447.8
申请日：2024-10-31
IPC: H01L25/18 , H01L23/367 , H01L23/498
Abstract: 本发明提供了一种功率单元及具有其的功率器件，其中，功率单元包括：基板，基板在第一方向上依次间隔设置有第一端子导电部、芯片导电部以及第二端子导电部，芯片导电部与第二端子导电部导电连接；芯片，设置在芯片导电部上，芯片的第一侧与芯片导电部连接，芯片的第二侧与第一端子导电部导电连接；第一二极管，设置在第二端子导电部上；控制部，设置在基板上，并与芯片连接，控制部设置在芯片与第一二极管之间。本申请的技术方案有效地解决了相关技术中的功率单元散热效果差的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119028935A
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202411509868.4
申请日：2024-10-28
IPC: H01L23/488 , H01L23/367 , H01L23/52
Abstract: 本发明提供了一种功率模块及具有其的功率器件，该功率模块包括衬板和芯片，衬板上设置有第一导电结构和第二导电结构，第一导电结构和第二导电结构均为轴对称结构，第一导电结构和第二导电结构的对称轴均沿功率模块的长度方向延伸，第一导电结构和第二导电结构上均设置有芯片；其中，功率模块还包括片状的第一互连片和第二互连片，芯片的上表面通过第一互连片与第一导电结构和/或第二导电结构导电连接，第一导电结构通过第二互连片与第二导电结构导电连接。通过本申请提供的技术方案，能够解决相关技术中的功率模块的散热能力较差的问题。
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公开(公告)号：CN119050110B
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202411540451.4
申请日：2024-10-31
IPC: H01L25/18 , H01L23/367 , H01L23/498
Abstract: 本发明提供了一种功率器件，包括：功率单元、第一功率端子以及第二功率端子；功率单元包括：底板上具有沿第一预设方向间隔设置第一导电层和第二导电层，第一导电层与第二导电层导电连接；芯片设置在第一导电层上，芯片的第一侧与第一导电层连接，芯片的第二侧与第三导电层连接；绝缘层设置在第一导电层上；控制部与芯片连接，控制部设置在绝缘层远离第一导电层的表面上，芯片和第二导电层位于控制部的两侧；第一二极管设置在第二导电层上。本申请的技术方案有效地解决了相关技术中的功率器件散热效果差的问题。
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公开(公告)号：CN119028936B
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202411509870.1
申请日：2024-10-28
IPC: H01L23/488 , H01L23/367 , H01L23/52
Abstract: 本发明提供了一种功率模块及具有其的功率器件，该功率模块包括衬板和多个芯片，衬板上设置有第一导电结构和第二导电结构，第一导电结构和第二导电结构均为轴对称结构，第一导电结构和第二导电结构的对称轴均沿第一方向延伸，第一导电结构和第二导电结构上均设置有多个芯片，第一导电结构上的多个芯片和第二导电结构上的多个芯片均在对称轴的两侧对称排布。通过本申请提供的技术方案，能够解决相关技术中的功率模块的芯片布局位置较为集中的问题。
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公开(公告)号：CN119340220A
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202411890620.7
申请日：2024-12-20
IPC: H01L21/56 , H01L21/687 , H01L23/31
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件的加工方法、用于半导体器件加工的夹具，其中，半导体器件的加工方法包括：得到基体；在基体上设置芯片；在基体上形成封装体，封装体具有顶部通孔，顶部通孔露出芯片的测温区域；在顶部通孔内穿设止挡件，止挡件的端部遮住测温区域；在封装体、基体以及止挡件之间填充绝缘胶体。本申请的技术方案有效地解决了相关技术中测量半导体器件的结温时，需要去除半导体器件的外壳而导致半导体器件可能受到损伤的问题。
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公开(公告)号：CN119050110A
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202411540451.4
申请日：2024-10-31
IPC: H01L25/18 , H01L23/367 , H01L23/498
Abstract: 本发明提供了一种功率器件，包括：功率单元、第一功率端子以及第二功率端子；功率单元包括：底板上具有沿第一预设方向间隔设置第一导电层和第二导电层，第一导电层与第二导电层导电连接；芯片设置在第一导电层上，芯片的第一侧与第一导电层连接，芯片的第二侧与第三导电层连接；绝缘层设置在第一导电层上；控制部与芯片连接，控制部设置在绝缘层远离第一导电层的表面上，芯片和第二导电层位于控制部的两侧；第一二极管设置在第二导电层上。本申请的技术方案有效地解决了相关技术中的功率器件散热效果差的问题。
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