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公开(公告)号：CN119340220B
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202411890620.7
申请日：2024-12-20
IPC: H01L21/56 , H01L21/687 , H01L23/31
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件的加工方法、用于半导体器件加工的夹具，其中，半导体器件的加工方法包括：得到基体；在基体上设置芯片；在基体上形成封装体，封装体具有顶部通孔，顶部通孔露出芯片的测温区域；在顶部通孔内穿设止挡件，止挡件的端部遮住测温区域；在封装体、基体以及止挡件之间填充绝缘胶体。本申请的技术方案有效地解决了相关技术中测量半导体器件的结温时，需要去除半导体器件的外壳而导致半导体器件可能受到损伤的问题。
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公开(公告)号：CN119028965A
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202411519127.4
申请日：2024-10-29
IPC: H01L25/18 , H01L23/31 , H01L23/367
Abstract: 本发明提供了一种半导体封装结构，其中，半导体封装结构包括：封装壳，包括基板；第一芯片模块，与基板连接，第一芯片模块包括多个第一半导体芯片，多个所述第一半导体芯片并联连接；第二芯片模块，与基板连接，第二芯片模块与第一芯片模块串联连接；第一功率端子，与第一芯片模块导电连接；第二功率端子，与第二芯片模块导电连接。本申请的技术方案能够有效地解决相关技术中的功率半导体器件难以兼顾高电压等级和成本的问题。
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公开(公告)号：CN119028965B
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202411519127.4
申请日：2024-10-29
IPC: H01L25/18 , H01L23/31 , H01L23/367
Abstract: 本发明提供了一种半导体封装结构，其中，半导体封装结构包括：封装壳，包括基板；第一芯片模块，与基板连接，第一芯片模块包括多个第一半导体芯片，多个所述第一半导体芯片并联连接；第二芯片模块，与基板连接，第二芯片模块与第一芯片模块串联连接；第一功率端子，与第一芯片模块导电连接；第二功率端子，与第二芯片模块导电连接。本申请的技术方案能够有效地解决相关技术中的功率半导体器件难以兼顾高电压等级和成本的问题。
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公开(公告)号：CN119050110B
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202411540451.4
申请日：2024-10-31
IPC: H01L25/18 , H01L23/367 , H01L23/498
Abstract: 本发明提供了一种功率器件，包括：功率单元、第一功率端子以及第二功率端子；功率单元包括：底板上具有沿第一预设方向间隔设置第一导电层和第二导电层，第一导电层与第二导电层导电连接；芯片设置在第一导电层上，芯片的第一侧与第一导电层连接，芯片的第二侧与第三导电层连接；绝缘层设置在第一导电层上；控制部与芯片连接，控制部设置在绝缘层远离第一导电层的表面上，芯片和第二导电层位于控制部的两侧；第一二极管设置在第二导电层上。本申请的技术方案有效地解决了相关技术中的功率器件散热效果差的问题。
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公开(公告)号：CN119340220A
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202411890620.7
申请日：2024-12-20
IPC: H01L21/56 , H01L21/687 , H01L23/31
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件的加工方法、用于半导体器件加工的夹具，其中，半导体器件的加工方法包括：得到基体；在基体上设置芯片；在基体上形成封装体，封装体具有顶部通孔，顶部通孔露出芯片的测温区域；在顶部通孔内穿设止挡件，止挡件的端部遮住测温区域；在封装体、基体以及止挡件之间填充绝缘胶体。本申请的技术方案有效地解决了相关技术中测量半导体器件的结温时，需要去除半导体器件的外壳而导致半导体器件可能受到损伤的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119050110A
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202411540451.4
申请日：2024-10-31
IPC: H01L25/18 , H01L23/367 , H01L23/498
Abstract: 本发明提供了一种功率器件，包括：功率单元、第一功率端子以及第二功率端子；功率单元包括：底板上具有沿第一预设方向间隔设置第一导电层和第二导电层，第一导电层与第二导电层导电连接；芯片设置在第一导电层上，芯片的第一侧与第一导电层连接，芯片的第二侧与第三导电层连接；绝缘层设置在第一导电层上；控制部与芯片连接，控制部设置在绝缘层远离第一导电层的表面上，芯片和第二导电层位于控制部的两侧；第一二极管设置在第二导电层上。本申请的技术方案有效地解决了相关技术中的功率器件散热效果差的问题。
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公开(公告)号：CN119050109B
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411540447.8
申请日：2024-10-31
IPC: H01L25/18 , H01L23/367 , H01L23/498
Abstract: 本发明提供了一种功率单元及具有其的功率器件，其中，功率单元包括：基板，基板在第一方向上依次间隔设置有第一端子导电部、芯片导电部以及第二端子导电部，芯片导电部与第二端子导电部导电连接；芯片，设置在芯片导电部上，芯片的第一侧与芯片导电部连接，芯片的第二侧与第一端子导电部导电连接；第一二极管，设置在第二端子导电部上；控制部，设置在基板上，并与芯片连接，控制部设置在芯片与第一二极管之间。本申请的技术方案有效地解决了相关技术中的功率单元散热效果差的问题。
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公开(公告)号：CN119050109A
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202411540447.8
申请日：2024-10-31
IPC: H01L25/18 , H01L23/367 , H01L23/498
Abstract: 本发明提供了一种功率单元及具有其的功率器件，其中，功率单元包括：基板，基板在第一方向上依次间隔设置有第一端子导电部、芯片导电部以及第二端子导电部，芯片导电部与第二端子导电部导电连接；芯片，设置在芯片导电部上，芯片的第一侧与芯片导电部连接，芯片的第二侧与第一端子导电部导电连接；第一二极管，设置在第二端子导电部上；控制部，设置在基板上，并与芯片连接，控制部设置在芯片与第一二极管之间。本申请的技术方案有效地解决了相关技术中的功率单元散热效果差的问题。
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公开(公告)号：CN119165319B
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202411603333.3
申请日：2024-11-11
Applicant: 北京怀柔实验室
Abstract: 本发明提供了一种环境模拟装置及其控制方法，其中，环境模拟装置用于对半导体功率器件进行测试，环境模拟装置包括：样品箱，具有密闭腔；珀尔帖控温器，设置在样品箱内并具有承载待测试的半导体功率器件的承载面；加湿器，设置在样品箱外并与密闭腔连通；干燥器，设置在样品箱外并与密闭腔连通；控压器，设置在样品箱外并与密闭腔连通；喷淋组件，包括设置在密闭腔内并位于珀尔帖控温器上方的喷淋部；检测组件，设置在样品箱内；供电模块，设置在样品箱外并具有伸入至密闭腔内的供电端；控制器，设置在样品箱外。本申请的技术方案能够有效地解决相关技术中的难以对半导体功率器件进行在各种复杂、恶劣的工作环境下的性能测试的问题。
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公开(公告)号：CN119165319A
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202411603333.3
申请日：2024-11-11
Applicant: 北京怀柔实验室
Abstract: 本发明提供了一种环境模拟装置及其控制方法，其中，环境模拟装置用于对半导体功率器件进行测试，环境模拟装置包括：样品箱，具有密闭腔；珀尔帖控温器，设置在样品箱内并具有承载待测试的半导体功率器件的承载面；加湿器，设置在样品箱外并与密闭腔连通；干燥器，设置在样品箱外并与密闭腔连通；控压器，设置在样品箱外并与密闭腔连通；喷淋组件，包括设置在密闭腔内并位于珀尔帖控温器上方的喷淋部；检测组件，设置在样品箱内；供电模块，设置在样品箱外并具有伸入至密闭腔内的供电端；控制器，设置在样品箱外。本申请的技术方案能够有效地解决相关技术中的难以对半导体功率器件进行在各种复杂、恶劣的工作环境下的性能测试的问题。
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