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公开(公告)号：CN108866418A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201810588877.5
申请日：2018-06-08
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明提供了一种氧化物弥散强化铁钴镍中熵合金的制备方法，弥散强化相为氧化钇。以六水合三氯化铁作为铁源，以六水合氯化钴作为钴源，以六水合氯化镍作为镍源，以六水合硝酸钇作为钇源，以氢氧化钠稀溶液作为沉淀剂，使铁、钴、镍、钇离子生成相应的氢氧化物共沉淀。随后将得到的沉淀物进行洗涤、干燥、煅烧，使沉淀物中的氢氧化铁、氢氧化钴、氢氧化镍和氢氧化钇分解成相应的氧化物。将煅烧完毕后的氧化物粉末在氢气气氛下高温还原，由于氧化钇无法被还原，所以最终得到铁、钴、镍和氧化钇的混合物粉末。将得到的粉末进行烧结，得到氧化物弥散强化铁钴镍中熵合金。
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公开(公告)号：CN107557602A
公开(公告)日：2018-01-09
申请号：CN201710968906.6
申请日：2017-10-18
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明涉及一种石墨烯增强ODS铜的制备方法，属于铜基复合材料制备技术领域。以铜盐作为铜源，以硝酸铝作为铝源，以氢氧化钠或氨水作为沉淀剂，使铜离子、铝离子生成氢氧化铜、氢氧化铝，并与溶液中分散的石墨烯共沉淀，经干燥、还原、成型、烧结得到石墨烯增强ODS铜坯体，通过热挤压、热锻、热轧等热加工手段使之达到全致密。本发明提高了石墨烯在铜基体中的均匀分散性，改善了石墨烯与铜基体之间的界面结合状态，通过在铜基体引入石墨烯与弥散分布的纳米氧化铝颗粒达到双重强化效果，提高基体强度的同时又不会降低其传导性能。
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公开(公告)号：CN104561964B
公开(公告)日：2017-01-25
申请号：CN201410817466.0
申请日：2014-12-24
Applicant: 北京科技大学
IPC: C23C20/08
Abstract: 本发明属于半导体材料生长技术领域，涉及一种在水溶液中低温制备高质量且形貌可控的ZnO薄膜的工艺。本发明在70℃的水溶液环境下通过Zn片和ZnCl2溶液反应的方法制备出高质量ZnO。首先采用砂纸打磨掉Zn片表面明显的污渍，然后用稀盐酸对Zn片进行清洗，之后用丙酮和去离子水分别进行超声清洗。再配制一定浓度的ZnCl2溶液(0.005mol/L-0.09mol/L)，将处理好的Zn片垂直放置到溶液中。最后在70℃的油浴环境下加热，得到高质量的ZnO薄膜。本发明直接在ZnCl2溶液中进行加热、不用调节碱度、操作简单、简化并缩短了干燥过程、降低了生产成本、并且没有引入其他杂质离子、解决了制备温度较高的问题和制备周期较长的问题。
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公开(公告)号：CN103578938B
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201310587104.2
申请日：2013-11-20
Applicant: 北京科技大学
IPC: H01L21/205 , G01N27/414 , B82Y40/00
Abstract: 本发明涉及一种用Sn掺杂ZnO半导体材料及制备方法，以及此种材料的应用，属于半导体薄膜制备技术领域。本发明的制备方法是，将Sn粉与Zn粉混合在氧气与氩气的气氛中加热以CVD（化学气相沉积）沉积到器件表面形成Sn掺杂ZnO半导体材料。所述材料的组织结构是尺寸为40~100nm纳米针和200~500nm纳米棒的混合网状结构。本发明能够实现Sn掺杂ZnO纳米薄膜的可控生长；能够实现室温下对丙酮、酒精等气体的检测，也就是说采用该方法可以制备出室温气敏性元器件，能够实现室温条件下气敏元件的选择性：对酒精比丙酮气敏性好。提供的制备方法生长温度低，设备简单，成本低，没有环境污染。
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公开(公告)号：CN104400207B
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201410536228.2
申请日：2014-10-11
Applicant: 北京科技大学
IPC: B23K20/12 , B23K20/227 , B23K103/02 , B23K101/18
Abstract: 本发明涉及一种铁素体/奥氏体异种钢板的搅拌摩擦焊接方法，属于金属材料焊接技术领域。所述方法包括：将铁素体钢板和奥氏体钢板以对接的方式采用固定装置固定好，通过夹具固定在搅拌摩擦焊设备上，设置搅拌摩擦焊设备的搅拌头距对接面的距离即偏移量和轴肩下压量，调节搅拌头的倾角、旋转速度和行进速度后进行焊接。该方法在焊接过程中热输入少，不会产生熔焊中存在的过热区，也不存在夹杂、冷、热裂纹等熔焊中常见的缺陷，可以获得性能更加优良的焊接接头，解决了异种钢板焊接的工艺难题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104692444B
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201510068116.3
申请日：2015-02-09
Applicant: 北京科技大学
IPC: C01F17/00
Abstract: 本发明属于纳米薄膜材料制备技术领域，涉及一种制备二氧化铈纳米晶薄膜的方法。本发明采用溶胶—凝胶方法结合旋涂技术，通过加入适量水解控制剂乙酰丙酮缩减了成胶时间，解决了溶胶制备周期长的问题。采用水浴回流和蒸发溶剂的方法来调节分散剂的含量，有效地控制了溶胶的质量。通过设计合理的溶液滴加顺序，避免了溶胶聚沉现象的产生。采用亲水性较好的聚乙烯醇(PVA)溶液作为溶胶分散剂，解决了旋涂时薄膜收缩破裂的问题。通过使用分级干燥和低速升温焙烧方法，有效地防止了薄膜在热处理时容易开裂的现象的发生。
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公开(公告)号：CN104692444A
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201510068116.3
申请日：2015-02-09
Applicant: 北京科技大学
IPC: C01F17/00
Abstract: 本发明属于纳米薄膜材料制备技术领域，涉及一种制备二氧化铈纳米晶薄膜的方法。本发明采用溶胶—凝胶方法结合旋涂技术，通过加入适量水解控制剂乙酰丙酮缩减了成胶时间，解决了溶胶制备周期长的问题。采用水浴回流和蒸发溶剂的方法来调节分散剂的含量，有效地控制了溶胶的质量。通过设计合理的溶液滴加顺序，避免了溶胶聚沉现象的产生。采用亲水性较好的聚乙烯醇(PVA)溶液作为溶胶分散剂，解决了旋涂时薄膜收缩破裂的问题。通过使用分级干燥和低速升温焙烧方法，有效地防止了薄膜在热处理时容易开裂的现象的发生。
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公开(公告)号：CN103060692B
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201310014932.7
申请日：2013-01-15
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明属于磁制冷材料技术领域，提供了一种高耐蚀性稀土-铁铬硅碳磁热材料。本发明的高耐蚀性稀土-铁铬硅碳磁热材料中含有部分替代铁原子的铬原子、作为间隙原子存在的C原子。本发明的高耐蚀性稀土-铁铬硅碳磁热材料在温度为25摄氏度的自来水中浸泡12小时,腐蚀速率小于0.2g/m2.h。上述高耐蚀性稀土-铁铬硅碳磁热材料由两种化学分子式组成，一种化学分子式为La1-xRx(Fe1-y-mCryMm)13-zSizCa，另一种化学分子式LaFeSi。本发明的高耐蚀性稀土-铁铬硅碳磁热材料腐蚀速率是一般稀土-铁硅磁热材料的一半以下，并且上述高耐蚀性稀土-铁铬硅碳磁热铸锭短时间退火后,具有高的磁熵变化值，可以作为实用材料用于磁制冷技术中。
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公开(公告)号：CN104528822A
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201410816703.1
申请日：2014-12-24
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种立方相氧化锆纳米晶薄膜的制备方法，属于纳米晶薄膜材料制备技术领域。本发明以氧氯化锆为锆源，硝酸钇为掺杂剂，草酸为沉淀剂，来制备8％摩尔钇掺杂的稳定立方相氧化锆溶胶(记作8YSZ)。溶胶的制备过程均在室温下进行，使得操作更为简便。用单晶Si片作为衬底，结合旋转涂膜，然后退火处理的方法，制备出了立方相的ZrO2薄膜。薄膜表面平整无裂纹，在相对较低的热处理温度下就可以获得纯的立方相，并且薄膜的晶粒非常小，而且分布均匀。
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公开(公告)号：CN103578938A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201310587104.2
申请日：2013-11-20
Applicant: 北京科技大学
IPC: H01L21/205 , G01N27/414 , B82Y40/00
Abstract: 本发明涉及一种用Sn掺杂ZnO半导体材料及制备方法，以及此种材料的应用，属于半导体薄膜制备技术领域。本发明的制备方法是，将Sn粉与Zn粉混合在氧气与氩气的气氛中加热以CVD（化学气相沉积）沉积到器件表面形成Sn掺杂ZnO半导体材料。所述材料的组织结构是尺寸为40~100nm纳米针和200~500nm纳米棒的混合网状结构。本发明能够实现Sn掺杂ZnO纳米薄膜的可控生长；能够实现室温下对丙酮、酒精等气体的检测，也就是说采用该方法可以制备出室温气敏性元器件，能够实现室温条件下气敏元件的选择性：对酒精比丙酮气敏性好。提供的制备方法生长温度低，设备简单，成本低，没有环境污染。
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