公开(公告)号：CN104528822B

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201410816703.1

申请日：2014-12-24

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 常永勤 ,  张静 ,  王卡 ,  万康 ,  陈林 ,  陈琼 ,  龙毅

IPC: C01G25/02 ,  C04B41/50

Abstract: 一种立方相氧化锆纳米晶薄膜的制备方法，属于纳米晶薄膜材料制备技术领域。本发明以氧氯化锆为锆源，硝酸钇为掺杂剂，草酸为沉淀剂，来制备8％摩尔钇掺杂的稳定立方相氧化锆溶胶(记作8YSZ)。溶胶的制备过程均在室温下进行，使得操作更为简便。用单晶Si片作为衬底，结合旋转涂膜，然后退火处理的方法，制备出了立方相的ZrO2薄膜。薄膜表面平整无裂纹，在相对较低的热处理温度下就可以获得纯的立方相，并且薄膜的晶粒非常小，而且分布均匀。

公开(公告)号：CN104528822A

公开(公告)日：2015-04-22

申请号：CN201410816703.1

申请日：2014-12-24

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 常永勤 ,  张静 ,  王卡 ,  万康 ,  陈林 ,  陈琼 ,  龙毅

IPC: C01G25/02 ,  C04B41/50

Abstract: 一种立方相氧化锆纳米晶薄膜的制备方法，属于纳米晶薄膜材料制备技术领域。本发明以氧氯化锆为锆源，硝酸钇为掺杂剂，草酸为沉淀剂，来制备8％摩尔钇掺杂的稳定立方相氧化锆溶胶(记作8YSZ)。溶胶的制备过程均在室温下进行，使得操作更为简便。用单晶Si片作为衬底，结合旋转涂膜，然后退火处理的方法，制备出了立方相的ZrO2薄膜。薄膜表面平整无裂纹，在相对较低的热处理温度下就可以获得纯的立方相，并且薄膜的晶粒非常小，而且分布均匀。