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公开(公告)号：CN104692444B
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201510068116.3
申请日：2015-02-09
Applicant: 北京科技大学
IPC: C01F17/00
Abstract: 本发明属于纳米薄膜材料制备技术领域，涉及一种制备二氧化铈纳米晶薄膜的方法。本发明采用溶胶—凝胶方法结合旋涂技术，通过加入适量水解控制剂乙酰丙酮缩减了成胶时间，解决了溶胶制备周期长的问题。采用水浴回流和蒸发溶剂的方法来调节分散剂的含量，有效地控制了溶胶的质量。通过设计合理的溶液滴加顺序，避免了溶胶聚沉现象的产生。采用亲水性较好的聚乙烯醇(PVA)溶液作为溶胶分散剂，解决了旋涂时薄膜收缩破裂的问题。通过使用分级干燥和低速升温焙烧方法，有效地防止了薄膜在热处理时容易开裂的现象的发生。
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公开(公告)号：CN104692444A
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201510068116.3
申请日：2015-02-09
Applicant: 北京科技大学
IPC: C01F17/00
Abstract: 本发明属于纳米薄膜材料制备技术领域，涉及一种制备二氧化铈纳米晶薄膜的方法。本发明采用溶胶—凝胶方法结合旋涂技术，通过加入适量水解控制剂乙酰丙酮缩减了成胶时间，解决了溶胶制备周期长的问题。采用水浴回流和蒸发溶剂的方法来调节分散剂的含量，有效地控制了溶胶的质量。通过设计合理的溶液滴加顺序，避免了溶胶聚沉现象的产生。采用亲水性较好的聚乙烯醇(PVA)溶液作为溶胶分散剂，解决了旋涂时薄膜收缩破裂的问题。通过使用分级干燥和低速升温焙烧方法，有效地防止了薄膜在热处理时容易开裂的现象的发生。
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公开(公告)号：CN104528822A
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201410816703.1
申请日：2014-12-24
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种立方相氧化锆纳米晶薄膜的制备方法，属于纳米晶薄膜材料制备技术领域。本发明以氧氯化锆为锆源，硝酸钇为掺杂剂，草酸为沉淀剂，来制备8％摩尔钇掺杂的稳定立方相氧化锆溶胶(记作8YSZ)。溶胶的制备过程均在室温下进行，使得操作更为简便。用单晶Si片作为衬底，结合旋转涂膜，然后退火处理的方法，制备出了立方相的ZrO2薄膜。薄膜表面平整无裂纹，在相对较低的热处理温度下就可以获得纯的立方相，并且薄膜的晶粒非常小，而且分布均匀。
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公开(公告)号：CN104528822B
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201410816703.1
申请日：2014-12-24
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种立方相氧化锆纳米晶薄膜的制备方法，属于纳米晶薄膜材料制备技术领域。本发明以氧氯化锆为锆源，硝酸钇为掺杂剂，草酸为沉淀剂，来制备8％摩尔钇掺杂的稳定立方相氧化锆溶胶(记作8YSZ)。溶胶的制备过程均在室温下进行，使得操作更为简便。用单晶Si片作为衬底，结合旋转涂膜，然后退火处理的方法，制备出了立方相的ZrO2薄膜。薄膜表面平整无裂纹，在相对较低的热处理温度下就可以获得纯的立方相，并且薄膜的晶粒非常小，而且分布均匀。
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