公开(公告)号：CN104561964A

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN201410817466.0

申请日：2014-12-24

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 常永勤 ,  储昭强 ,  徐阳璐 ,  张静 ,  龙毅

IPC: C23C20/08

CPC classification number: C23C18/1208

Abstract: 本发明属于半导体材料生长技术领域，涉及一种在水溶液中低温制备高质量且形貌可控的ZnO薄膜的工艺。本发明在70℃的水溶液环境下通过Zn片和ZnCl2溶液反应的方法制备出高质量ZnO。首先采用砂纸打磨掉Zn片表面明显的污渍，然后用稀盐酸对Zn片进行清洗，之后用丙酮和去离子水分别进行超声清洗。再配制一定浓度的ZnCl2溶液(0.005mol/L-0.09mol/L)，将处理好的Zn片垂直放置到溶液中。最后在70℃的油浴环境下加热，得到高质量的ZnO薄膜。本发明直接在ZnCl2溶液中进行加热、不用调节碱度、操作简单、简化并缩短了干燥过程、降低了生产成本、并且没有引入其他杂质离子、解决了制备温度较高的问题和制备周期较长的问题。

公开(公告)号：CN104561964B

公开(公告)日：2017-01-25

申请号：CN201410817466.0

申请日：2014-12-24

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 常永勤 ,  储昭强 ,  徐阳璐 ,  张静 ,  龙毅

IPC: C23C20/08

Abstract: 本发明属于半导体材料生长技术领域，涉及一种在水溶液中低温制备高质量且形貌可控的ZnO薄膜的工艺。本发明在70℃的水溶液环境下通过Zn片和ZnCl2溶液反应的方法制备出高质量ZnO。首先采用砂纸打磨掉Zn片表面明显的污渍，然后用稀盐酸对Zn片进行清洗，之后用丙酮和去离子水分别进行超声清洗。再配制一定浓度的ZnCl2溶液(0.005mol/L-0.09mol/L)，将处理好的Zn片垂直放置到溶液中。最后在70℃的油浴环境下加热，得到高质量的ZnO薄膜。本发明直接在ZnCl2溶液中进行加热、不用调节碱度、操作简单、简化并缩短了干燥过程、降低了生产成本、并且没有引入其他杂质离子、解决了制备温度较高的问题和制备周期较长的问题。