公开(公告)号：CN103578938B

公开(公告)日：2016-06-08

申请号：CN201310587104.2

申请日：2013-11-20

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 常永勤 ,  邵长景

IPC: H01L21/205 ,  G01N27/414 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明涉及一种用Sn掺杂ZnO半导体材料及制备方法，以及此种材料的应用，属于半导体薄膜制备技术领域。本发明的制备方法是，将Sn粉与Zn粉混合在氧气与氩气的气氛中加热以CVD（化学气相沉积）沉积到器件表面形成Sn掺杂ZnO半导体材料。所述材料的组织结构是尺寸为40~100nm纳米针和200~500nm纳米棒的混合网状结构。本发明能够实现Sn掺杂ZnO纳米薄膜的可控生长；能够实现室温下对丙酮、酒精等气体的检测，也就是说采用该方法可以制备出室温气敏性元器件，能够实现室温条件下气敏元件的选择性：对酒精比丙酮气敏性好。提供的制备方法生长温度低，设备简单，成本低，没有环境污染。

公开(公告)号：CN103578938A

公开(公告)日：2014-02-12

申请号：CN201310587104.2

申请日：2013-11-20

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 常永勤 ,  邵长景

IPC: H01L21/205 ,  G01N27/414 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明涉及一种用Sn掺杂ZnO半导体材料及制备方法，以及此种材料的应用，属于半导体薄膜制备技术领域。本发明的制备方法是，将Sn粉与Zn粉混合在氧气与氩气的气氛中加热以CVD（化学气相沉积）沉积到器件表面形成Sn掺杂ZnO半导体材料。所述材料的组织结构是尺寸为40~100nm纳米针和200~500nm纳米棒的混合网状结构。本发明能够实现Sn掺杂ZnO纳米薄膜的可控生长；能够实现室温下对丙酮、酒精等气体的检测，也就是说采用该方法可以制备出室温气敏性元器件，能够实现室温条件下气敏元件的选择性：对酒精比丙酮气敏性好。提供的制备方法生长温度低，设备简单，成本低，没有环境污染。