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公开(公告)号:CN112329025B
公开(公告)日:2022-02-01
申请号:CN202011296994.8
申请日:2020-11-18
申请人: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国网宁夏电力有限公司电力科学研究院 , 国家电网有限公司
摘要: 本发明提供一种电力终端旁路安全分析方法及系统,属于电力终端安全技术领域。所述方法包括:S1)选择攻击算法中间值集中的某一个中间值,并根据所选择的中间值测量攻击对象进行解密和/或加密不同数据时的能量消耗曲线,获得不同数据被加密和/或解密时对应的能量消耗曲线矩阵;S2)计算不同数据和不同假设密钥的假设中间值,获得假设中间值矩阵;S3)将假设中间值矩阵映射为不同假设密钥的假设能量消耗值矩阵;S4)通过对比每一假设密钥的假设能量消耗值矩阵和能量消耗曲线矩阵,获得最优密钥;S5)恢复所述最优密钥并判断所述最优密钥是否为正确密钥。本方法能够提高电力终端旁路攻击方法的泄漏密钥的发现效率以及发现准确率。
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公开(公告)号:CN112329025A
公开(公告)日:2021-02-05
申请号:CN202011296994.8
申请日:2020-11-18
申请人: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国网宁夏电力有限公司电力科学研究院 , 国家电网有限公司
摘要: 本发明提供一种电力终端旁路安全分析方法及系统,属于电力终端安全技术领域。所述方法包括:S1)选择攻击算法中间值集中的某一个中间值,并根据所选择的中间值测量攻击对象进行解密和/或加密不同数据时的能量消耗曲线,获得不同数据被加密和/或解密时对应的能量消耗曲线矩阵;S2)计算不同数据和不同假设密钥的假设中间值,获得假设中间值矩阵;S3)将假设中间值矩阵映射为不同假设密钥的假设能量消耗值矩阵;S4)通过对比每一假设密钥的假设能量消耗值矩阵和能量消耗曲线矩阵,获得最优密钥;S5)恢复所述最优密钥并判断所述最优密钥是否为正确密钥。本方法能够提高电力终端旁路攻击方法的泄漏密钥的发现效率以及发现准确率。
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公开(公告)号:CN110263499B
公开(公告)日:2024-03-05
申请号:CN201910670946.1
申请日:2019-07-24
申请人: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网上海市电力公司
IPC分类号: G06F30/392 , G06K19/077
摘要: 本发明公开了一种射频标签芯片的版图结构,该版图结构包括:第1版图区、第2版图区、第3版图区、第4版图区、第5版图区、第6版图区、第7版图区和第8版图区,其中,第1版图区分别与第2‑8版图区电连接;第2版图区分别与第1和6版图区电连接;第3版图区分别与第1和6版图区电连接;第4版图区分别与第1和6版图区电连接;第5版图区分别与第1和6版图区电连接;第6版图区分别与第1‑5版图区以及第7‑8版图区电连接;第7版图区分别与第1和6版图区电连接;以及第8版图区分别与第1和6版图区电连接,并覆盖在第3和4版图区上。本发明的版图结构能够显著提升射频标签芯片的存储容量、灵敏度和可靠性。
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公开(公告)号:CN108563590B
公开(公告)日:2024-02-23
申请号:CN201810684179.5
申请日:2018-06-28
申请人: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网江苏省电力有限公司南京供电分公司
摘要: 本发明提供了一种基于片上FLASH存储器的OTP控制器和控制方法。该OTP控制器包括:通信总线模块,处理器通过该通信总线模块用于对片上FLASH存储器和OTP控制器进行数据读写;总线协议转换模块,其与所述通信总线模块进行通信,将该通信总线模块的总线协议转换为片上FLASH存储器的读写总线协议;读写状态控制模块,其与所述总线协议转换模块进行通信,用于控制所述片上FLASH存储器的读写状态;以及OTP接口,其与所述总线协议转换模块以及所述片上FLASH存储器进行通信,用于OTP数据在OTP控制器与片上FLASH存储器的存储单元之间的传输。本发明的OTP控制器能够对FLASH存储器进行一次性编程的数据读写,并能够保护OTP数据不被改写。
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公开(公告)号:CN112596576B
公开(公告)日:2024-02-02
申请号:CN202011302615.1
申请日:2020-11-19
申请人: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国网浙江省电力有限公司 , 国家电网有限公司
IPC分类号: G05F3/26
摘要: 本发明提供一种带隙基准电路,属于集成电路技术领域。所述带隙基准电路包括:电源模块,与电源端相连接,用于输出电流信号;以及误差放大模块,包括运算放大器,与所述电源模块相连接,用于对所述电流信号进行补偿,以使得所述带隙基准电路输出第一参考源电压。通过本发明提供的技术方案,采用由运算放大器构成的误差放大模块对电信号进行补偿,可以得到高精度、低温漂的带隙基准电压,且带隙基准电路的结构简单,可以适用于纯模拟电路领域中。
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公开(公告)号:CN112462834B
公开(公告)日:2022-05-13
申请号:CN202011163154.4
申请日:2020-10-27
申请人: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国网浙江省电力有限公司 , 国家电网有限公司
IPC分类号: G05F1/56
摘要: 本发明提供一种用于快速唤醒芯片的电流偏置电路,属于集成电路技术领域。所述电流偏置电路包括偏置电流产生电路、低精度偏置电流产生电路以及电流输出支路,还包括附加开关电路;所述附加开关电路设置于所述偏置电流产生电路与所述电流输出支路之间,用于在所述电流偏置电路由关断到开启的过程中瞬间拉低所述电流输出支路的工作点的电位,以快速打开所述电流输出支路输出所述偏置电流产生电路产生的偏置电流。本发明通过附加开关电路在电流偏置电路由关断到开启的过程中瞬间拉低电流输出支路的工作点的电位,从而快速打开电流输出支路将偏置电流输出,从而快速启动芯片中的各种关键电路以快速唤醒芯片,解决了芯片唤醒时间长的问题。
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公开(公告)号:CN114301450A
公开(公告)日:2022-04-08
申请号:CN202111404859.5
申请日:2021-11-24
申请人: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国网福建省电力有限公司 , 国家电网有限公司
摘要: 本发明涉及控制电路技术领域,其实施方式提供了一种可配置门控单元、可配置跟踪保持电路及相位内插分频器。其中可配置门控单元,包括:N个D触发器、加法器、比较器和鉴相器;所述N个D触发器用于分别响应于N路相位不同的参考时钟,输出被触发的状态;所述加法器用于统计所述N个D触发器中符合预设状态的D触发器的数目,所述预设状态包括高电平状态或低电平状态;所述比较器,用于根据所述加法器统计的数目与预设值之间的大小关系输出对应的电平信号;所述鉴相器,用于根据所述比较器的输出电平信号与反馈信号的相位关系,输出对应的电平信号。本发明提供的实施方式能够根据动态选择延时时间,抑制输出信号中毛刺产生。
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公开(公告)号:CN114281145A
公开(公告)日:2022-04-05
申请号:CN202111342508.6
申请日:2021-11-12
申请人: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国网浙江省电力有限公司 , 国家电网有限公司
IPC分类号: G05F1/567
摘要: 本发明公开了一种基准电流源电路、基准电流生成方法及芯片,其中基准电流源电路包括:调整电路、电流产生电路和输出电路,调整电路和输出电路分别与电流产生电路相连,调整电路用于生成调整电压;电流产生电路用于生成正温度系数电流和负温度系数电压,并基于负温度系数电压与调整电压之间的差值生成负温度系数电流,以及根据正温度系数电流和负温度系数电流生成零温度基准电流;输出电路用于输出零温度基准电流。该电路能够有效降低基准功耗且不会增加过多电路面积。
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公开(公告)号:CN112332843B
公开(公告)日:2022-01-14
申请号:CN202011164059.6
申请日:2020-10-27
申请人: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国网浙江省电力有限公司 , 国家电网有限公司
摘要: 本发明属于集成电路技术领域,提供一种电容阵列、SAR型模数转换器及电容校准方法,所述电容阵列包括低段电容阵列、高段电容阵列、缩放电容和辅助电容阵列;所述低段电容阵列中各电容的一端均连接缩放电容的一端,所述高段电容阵列中各电容的一端均连接缩放电容的另一端;所述低段电容阵列和高段电容阵列中各电容的另一端通过与该电容对应的第一多路选择开关选择接参考电压或接地;所述辅助电容阵列中各电容的一端通过与该电容对应的第二多路选择开关选择接参考电压或接地。本发明通过增加辅助电容阵列,在校准的过程中随机向主电容阵列中加入“扰动”,避免低位电容的误差向高位逐步累积,提高了对电容的校准精度。
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公开(公告)号:CN110554855B
公开(公告)日:2021-10-12
申请号:CN201910859035.3
申请日:2019-09-11
申请人: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网有限公司
IPC分类号: G06F7/58
摘要: 本发明公开了一种真随机数发生器,该真随机数发生器包括低频时钟单元,所述低频时钟单元具有慢振荡器,该慢振荡器包括:跨阻放大器、迟滞比较器、电荷泵、跨导放大器、第一电容以及电压缓冲器。跨阻放大器包括:运算放大器、第一电阻、第二电阻、第三电阻以及第四电阻。该真随机数发生器的jitter值在低频时钟输出频率确定的情况下只与跨阻放大器的噪声电阻、噪声带宽、噪声电压增益这三个参数相关,在噪声电阻和噪声带宽在比较小的情况下,通过增大噪声电压增益得到比较大的噪声电压标准差,即可以设计出比较大的低频时钟jitter,增大随机数的性能,并且可以减少电路的功耗和面积。
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