公开(公告)号：CN110263499B

公开(公告)日：2024-03-05

申请号：CN201910670946.1

申请日：2019-07-24

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 ,  国网信息通信产业集团有限公司 ,  国家电网有限公司 ,  国网上海市电力公司

发明人： 赵秀斌 ,  胡毅 ,  胡旭 ,  冯曦 ,  冯文楠 ,  唐晓柯 ,  张喆 ,  马岩

IPC分类号： G06F30/392 ,  G06K19/077

摘要： 本发明公开了一种射频标签芯片的版图结构，该版图结构包括：第1版图区、第2版图区、第3版图区、第4版图区、第5版图区、第6版图区、第7版图区和第8版图区，其中，第1版图区分别与第2‑8版图区电连接；第2版图区分别与第1和6版图区电连接；第3版图区分别与第1和6版图区电连接；第4版图区分别与第1和6版图区电连接；第5版图区分别与第1和6版图区电连接；第6版图区分别与第1‑5版图区以及第7‑8版图区电连接；第7版图区分别与第1和6版图区电连接；以及第8版图区分别与第1和6版图区电连接，并覆盖在第3和4版图区上。本发明的版图结构能够显著提升射频标签芯片的存储容量、灵敏度和可靠性。

公开(公告)号：CN110263499A

公开(公告)日：2019-09-20

申请号：CN201910670946.1

申请日：2019-07-24

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 ,  国网信息通信产业集团有限公司 ,  国家电网有限公司 ,  国网上海市电力公司

发明人： 赵秀斌 ,  胡毅 ,  胡旭 ,  冯曦 ,  冯文楠 ,  唐晓柯 ,  张喆 ,  马岩

IPC分类号： G06F17/50 ,  G06K19/077

摘要： 本发明公开了一种高灵敏度大容量射频标签芯片的版图结构，该版图结构包括：第1版图区、第2版图区、第3版图区、第4版图区、第5版图区、第6版图区、第7版图区和第8版图区，其中，第1版图区分别与第2-8版图区电连接；第2版图区分别与第1和6版图区电连接；第3版图区分别与第1和6版图区电连接；第4版图区分别与第1和6版图区电连接；第5版图区分别与第1和6版图区电连接；第6版图区分别与第1-5版图区以及第7-8版图区电连接；第7版图区分别与第1和6版图区电连接；以及第8版图区分别与第1和6版图区电连接，并覆盖在第3和4版图区上。本发明的版图结构能够显著提升射频标签芯片的存储容量、灵敏度和可靠性。

公开(公告)号：CN110399331A

公开(公告)日：2019-11-01

申请号：CN201910724592.4

申请日：2019-08-07

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 ,  国网信息通信产业集团有限公司 ,  国家电网有限公司 ,  国网上海市电力公司

发明人： 郑礼坤 ,  胡旭 ,  冯曦 ,  冯文楠 ,  胡毅 ,  唐晓柯 ,  杨季 ,  周春良 ,  陈永利

IPC分类号： G06F15/78

摘要： 本发明公开了一种SOC芯片及SOC芯片中降低时钟信号噪声的方法，SOC芯片中内部具有时钟源，SOC芯片中降低时钟信号噪声的方法包括：确定时钟源的输出端至时钟信号接收单元的时钟信号输入端之间传输的需要单独处理的时钟信号，并将时钟信号的时钟线从时钟路径中分离出来；确定时钟源传递到时钟信号接收单元的时钟信号输入端经过的时钟驱动单元；根据需要单独处理的时钟信号的时钟线相连的时钟源和时钟信号接收单元在芯片布局中的相对布局位置，划分放置时钟驱动单元的单独区域，并将时钟驱动单元放置在单独区域内。借此，本发明的SOC芯片中降低时钟信号噪声的方法，有效减小了芯片电源噪声对时钟信号的干扰。

公开(公告)号：CN112668273B

公开(公告)日：2022-07-05

申请号：CN202011299820.7

申请日：2020-11-18

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 ,  国网信息通信产业集团有限公司 ,  国网江西省电力有限公司 ,  国家电网有限公司

发明人： 许可敬 ,  甘杰 ,  冯文楠 ,  胡旭 ,  唐晓柯 ,  胡毅 ,  李德建

IPC分类号： G06F30/392 ,  G06F115/02

摘要： 本发明涉及芯片设计技术领域，提供一种芯片IO布局的方法及装置、SOC芯片。所述方法包括：根据输入文件确定芯片的尺寸和用于放置所述芯片的IO引脚的预留位置；从所述输入文件获取所述IO引脚的目录，将所述IO引脚的目录导入脚本程序；通过执行所述脚本程序将所述IO引脚的图形按所述目录中的顺序布局到所述预留位置。本发明通过从输入文件获取芯片的IO引脚的目录将其导入脚本程序，通过执行脚本程序将IO引脚的图形按顺序布局到芯片的预留位置，可快速实现芯片IO的版图布局，无需手动对IO排序摆放，节约时间，提高IO版图布局的效率。

公开(公告)号：CN112486242B

公开(公告)日：2022-01-28

申请号：CN202011230892.6

申请日：2020-11-06

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 ,  国网信息通信产业集团有限公司 ,  国网浙江省电力有限公司 ,  国家电网有限公司

发明人： 唐晓柯 ,  胡毅 ,  赵东艳 ,  李振国 ,  冯文楠 ,  汪宇怀

IPC分类号： G05F3/26

摘要： 本发明涉及集成电路技术领域，提供一种基于基准源的电流温度系数控制电路，包括：零温度系数电压生成模块，用于生成零温度系数电压；可调温度系数电流生成模块，包括第三电阻R3、第七PMOS管MP7以及第六PMOS管MP6，用于在所述零温度系数电压稳定的情况下，通过所述第七PMOS管MP7的正温度系数电流与所述第六PMOS管MP6的负温度系数电流之和，得到可调温度系数的参考电流，所述参考电流的可调温度系数通过调节施加有负温度系数电流的所述第三电阻R3的阻值得到。本发明实施例在保证基准源中零温度系数电压特性稳定的前提下，实现基准源中电流温度系数的调节。

公开(公告)号：CN112578841A

公开(公告)日：2021-03-30

申请号：CN202011306895.3

申请日：2020-11-19

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 ,  国网信息通信产业集团有限公司 ,  国网浙江省电力有限公司 ,  国家电网有限公司

发明人： 王于波 ,  胡毅 ,  刘兴 ,  唐晓柯 ,  李振国 ,  冯文楠 ,  张帆

IPC分类号： G05F1/575

摘要： 本发明提供一种带隙基准电路，属于集成电路技术领域。所述带隙基准电路包括：电源模块，与电源端相连接，用于输出电流信号；以及误差放大模块，包括两级运算放大电路，与所述电源模块相连接，用于对所述电流信号进行补偿，以使得所述带隙基准电路输出第一参考源电压。通过上述技术方案，采用由两级运算放大电路构成的误差放大模块对电信号进行补偿，可以得到高精度、低温漂的带隙基准电压，且带隙基准电路的结构简单，还可以适用于纯模拟电路领域中。

公开(公告)号：CN112383307A

公开(公告)日：2021-02-19

申请号：CN202011212875.X

申请日：2020-11-03

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 ,  国网信息通信产业集团有限公司 ,  国网浙江省电力有限公司 ,  国家电网有限公司

发明人： 胡毅 ,  唐晓柯 ,  李振国 ,  王亚彬 ,  冯文楠 ,  尹芸婷 ,  汪宇怀

IPC分类号： H03M1/10

摘要： 本发明涉及集成电路技术领域，提供一种基于数据处理的模数转换装置的校准方法，所述模数转换装置为逐次逼近模数转换装置，该方法包括：步骤一：检测模数转换装置的输出信号，获得所述输出信号的DNL值；步骤二：判断所述DNL值是否满足预设条件；步骤三：若所述DNL值不满足所述预设条件，根据所述DNL值调整可调电容的电容值；其中，所述可调电容的一端与所述电容阵列连接，另一端接地；循环执行步骤一至步骤三，直至所述DNL值满足所述预设条件。本发明提供的技术方案，能够在不改变现有的电容阵列的布局的情况下对逐次逼近模数转换装置进行精确、有效地校准，从而提高逐次逼近模数转换装置在正常工作时输出信号的精度。

公开(公告)号：CN110365687A

公开(公告)日：2019-10-22

申请号：CN201910653347.9

申请日：2019-07-19

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 ,  国网信息通信产业集团有限公司 ,  国家电网有限公司

发明人： 潘金龙 ,  冯曦 ,  冯文楠 ,  胡毅 ,  唐晓柯

IPC分类号： H04L29/06

摘要： 本发明公开了一种SWP协议处理器，包括：协议处理模块，对接收到的信号进行解调以及协议转换形成数据帧；帧解析模块，用于接收数据帧并对数据帧进行校验；FIFO，与帧解析模块相连接，该帧解析模块用于将校验结果正确的数据帧写入FIFO中；以及帧重组模块，分别与FIFO以及协议处理模块相连接，用于从FIFO中读出待发送的数据并对待发送的数据进行校验，根据校验结果对待发送的数据进行预设方式的填充以形成数据帧，并将数据帧发送至协议处理模块；其中，协议处理模块用于对数据帧进行协议转换以及调制，将调制后的信号进行发送。本发明提供的SWP协议处理器紧凑处理器的结构，减少面积占用，并且使得协议处理模块中各个处理进程间的代码可以复用，增加重用性。

公开(公告)号：CN108563590B

公开(公告)日：2024-02-23

申请号：CN201810684179.5

申请日：2018-06-28

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 ,  国网信息通信产业集团有限公司 ,  国家电网有限公司 ,  国网江苏省电力有限公司南京供电分公司

发明人： 冯文楠 ,  聂远铮 ,  周芝梅 ,  冯曦 ,  胡毅 ,  唐晓柯 ,  朱红 ,  李维

IPC分类号： G06F13/16 ,  G06F12/02

摘要： 本发明提供了一种基于片上FLASH存储器的OTP控制器和控制方法。该OTP控制器包括：通信总线模块，处理器通过该通信总线模块用于对片上FLASH存储器和OTP控制器进行数据读写；总线协议转换模块，其与所述通信总线模块进行通信，将该通信总线模块的总线协议转换为片上FLASH存储器的读写总线协议；读写状态控制模块，其与所述总线协议转换模块进行通信，用于控制所述片上FLASH存储器的读写状态；以及OTP接口，其与所述总线协议转换模块以及所述片上FLASH存储器进行通信，用于OTP数据在OTP控制器与片上FLASH存储器的存储单元之间的传输。本发明的OTP控制器能够对FLASH存储器进行一次性编程的数据读写，并能够保护OTP数据不被改写。

公开(公告)号：CN112596576B

公开(公告)日：2024-02-02

申请号：CN202011302615.1

申请日：2020-11-19

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 ,  国网信息通信产业集团有限公司 ,  国网浙江省电力有限公司 ,  国家电网有限公司

发明人： 赵东艳 ,  胡毅 ,  刘兴 ,  唐晓柯 ,  李振国 ,  冯文楠 ,  汪宇怀

IPC分类号： G05F3/26

摘要： 本发明提供一种带隙基准电路，属于集成电路技术领域。所述带隙基准电路包括：电源模块，与电源端相连接，用于输出电流信号；以及误差放大模块，包括运算放大器，与所述电源模块相连接，用于对所述电流信号进行补偿，以使得所述带隙基准电路输出第一参考源电压。通过本发明提供的技术方案，采用由运算放大器构成的误差放大模块对电信号进行补偿，可以得到高精度、低温漂的带隙基准电压，且带隙基准电路的结构简单，可以适用于纯模拟电路领域中。