公开(公告)号：CN110263499B

公开(公告)日：2024-03-05

申请号：CN201910670946.1

申请日：2019-07-24

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 ,  国网信息通信产业集团有限公司 ,  国家电网有限公司 ,  国网上海市电力公司

发明人： 赵秀斌 ,  胡毅 ,  胡旭 ,  冯曦 ,  冯文楠 ,  唐晓柯 ,  张喆 ,  马岩

IPC分类号： G06F30/392 ,  G06K19/077

摘要： 本发明公开了一种射频标签芯片的版图结构，该版图结构包括：第1版图区、第2版图区、第3版图区、第4版图区、第5版图区、第6版图区、第7版图区和第8版图区，其中，第1版图区分别与第2‑8版图区电连接；第2版图区分别与第1和6版图区电连接；第3版图区分别与第1和6版图区电连接；第4版图区分别与第1和6版图区电连接；第5版图区分别与第1和6版图区电连接；第6版图区分别与第1‑5版图区以及第7‑8版图区电连接；第7版图区分别与第1和6版图区电连接；以及第8版图区分别与第1和6版图区电连接，并覆盖在第3和4版图区上。本发明的版图结构能够显著提升射频标签芯片的存储容量、灵敏度和可靠性。

公开(公告)号：CN112131831B

公开(公告)日：2021-08-20

申请号：CN202011333827.6

申请日：2020-11-25

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 ,  国网信息通信产业集团有限公司 ,  国网上海市电力公司 ,  国家电网有限公司

发明人： 郑礼坤 ,  徐一 ,  李德建 ,  胡旭 ,  唐晓柯 ,  胡毅

IPC分类号： G06F30/398 ,  G06F30/392 ,  G06F30/3315

摘要： 本发明提供一种多电源域版图布局方法及存储介质，属于电子技术领域。所述方法包括：S1）读入多电源域版图设计数据，根据多电源域版图设计数据设置不同电源区域的PG区域；S2）根据物理设计规则依次执行多电源域版图布局的各个布局阶段，其中每完成一个布局阶段，获取该布局阶段的完成信息并对所述完成信息进行错误单元筛查，得到该布局阶段的错误单元统计信息；根据错误单元统计信息进行设计信息修改；S3）在完成所有布局阶段的设计信息修改之后，对修改后的设计信息进行静态时序分析和物理验证，判断是否存在时序和设计规则错误，并在发现错误时执行错误修复，直到所有错误修复完成。解决了当前非UPF下多电源域设计无法保证所有cell都处于设计位置的问题。

公开(公告)号：CN112311395B

公开(公告)日：2022-02-01

申请号：CN202011287801.2

申请日：2020-11-17

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 ,  国网信息通信产业集团有限公司 ,  国网上海市电力公司 ,  国家电网有限公司

发明人： 赵东艳 ,  李德建 ,  杨小坤 ,  唐晓柯 ,  杨立新 ,  胡毅

IPC分类号： H03M1/10

摘要： 本发明实施例提供一种电荷型SAR ADC的校准方法，属于芯片设计领域。所述电荷型SAR ADC包括：分段的DAC阵列、以及比较器，其中所述分段的DAC阵列包括MSB电容阵列和LSB电容阵列，所述MSB电容阵列和所述LSB电容阵列之间通过比例电容连接，所述方法包括：触发所述比较器执行一次信号采样和一次状态转换后，获取所述比较器的输出；以及根据所述比较器的输出来调整校准电容的大小以执行校准，其中所述校准电容与所述比例电容并列、或者所述校准电容并联于所述LSB电容阵列中。其能够实现电荷型SAR ADC的自动校准。

公开(公告)号：CN110399331A

公开(公告)日：2019-11-01

申请号：CN201910724592.4

申请日：2019-08-07

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 ,  国网信息通信产业集团有限公司 ,  国家电网有限公司 ,  国网上海市电力公司

发明人： 郑礼坤 ,  胡旭 ,  冯曦 ,  冯文楠 ,  胡毅 ,  唐晓柯 ,  杨季 ,  周春良 ,  陈永利

IPC分类号： G06F15/78

摘要： 本发明公开了一种SOC芯片及SOC芯片中降低时钟信号噪声的方法，SOC芯片中内部具有时钟源，SOC芯片中降低时钟信号噪声的方法包括：确定时钟源的输出端至时钟信号接收单元的时钟信号输入端之间传输的需要单独处理的时钟信号，并将时钟信号的时钟线从时钟路径中分离出来；确定时钟源传递到时钟信号接收单元的时钟信号输入端经过的时钟驱动单元；根据需要单独处理的时钟信号的时钟线相连的时钟源和时钟信号接收单元在芯片布局中的相对布局位置，划分放置时钟驱动单元的单独区域，并将时钟驱动单元放置在单独区域内。借此，本发明的SOC芯片中降低时钟信号噪声的方法，有效减小了芯片电源噪声对时钟信号的干扰。

公开(公告)号：CN112131831A

公开(公告)日：2020-12-25

申请号：CN202011333827.6

申请日：2020-11-25

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 ,  国网信息通信产业集团有限公司 ,  国网上海市电力公司 ,  国家电网有限公司

发明人： 郑礼坤 ,  徐一 ,  李德建 ,  胡旭 ,  唐晓柯 ,  胡毅

IPC分类号： G06F30/398 ,  G06F30/392 ,  G06F30/3315

摘要： 本发明提供一种多电源域版图布局方法及存储介质，属于电子技术领域。所述方法包括：S1）读入多电源域版图设计数据，根据多电源域版图设计数据设置不同电源区域的PG区域；S2）根据物理设计规则依次执行多电源域版图布局的各个布局阶段，其中每完成一个布局阶段，获取该布局阶段的完成信息并对所述完成信息进行错误单元筛查，得到该布局阶段的错误单元统计信息；根据错误单元统计信息进行设计信息修改；S3）在完成所有布局阶段的设计信息修改之后，对修改后的设计信息进行静态时序分析和物理验证，判断是否存在时序和设计规则错误，并在发现错误时执行错误修复，直到所有错误修复完成。解决了当前非UPF下多电源域设计无法保证所有cell都处于设计位置的问题。

公开(公告)号：CN110263499A

公开(公告)日：2019-09-20

申请号：CN201910670946.1

申请日：2019-07-24

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 ,  国网信息通信产业集团有限公司 ,  国家电网有限公司 ,  国网上海市电力公司

发明人： 赵秀斌 ,  胡毅 ,  胡旭 ,  冯曦 ,  冯文楠 ,  唐晓柯 ,  张喆 ,  马岩

IPC分类号： G06F17/50 ,  G06K19/077

摘要： 本发明公开了一种高灵敏度大容量射频标签芯片的版图结构，该版图结构包括：第1版图区、第2版图区、第3版图区、第4版图区、第5版图区、第6版图区、第7版图区和第8版图区，其中，第1版图区分别与第2-8版图区电连接；第2版图区分别与第1和6版图区电连接；第3版图区分别与第1和6版图区电连接；第4版图区分别与第1和6版图区电连接；第5版图区分别与第1和6版图区电连接；第6版图区分别与第1-5版图区以及第7-8版图区电连接；第7版图区分别与第1和6版图区电连接；以及第8版图区分别与第1和6版图区电连接，并覆盖在第3和4版图区上。本发明的版图结构能够显著提升射频标签芯片的存储容量、灵敏度和可靠性。

公开(公告)号：CN112311395A

公开(公告)日：2021-02-02

申请号：CN202011287801.2

申请日：2020-11-17

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 ,  国网信息通信产业集团有限公司 ,  国网上海市电力公司 ,  国家电网有限公司

发明人： 赵东艳 ,  李德建 ,  杨小坤 ,  唐晓柯 ,  杨立新 ,  胡毅

IPC分类号： H03M1/10

摘要： 本发明实施例提供一种电荷型SAR ADC的校准方法，属于芯片设计领域。所述电荷型SAR ADC包括：分段的DAC阵列、以及比较器，其中所述分段的DAC阵列包括MSB电容阵列和LSB电容阵列，所述MSB电容阵列和所述LSB电容阵列之间通过比例电容连接，所述方法包括：触发所述比较器执行一次信号采样和一次状态转换后，获取所述比较器的输出；以及根据所述比较器的输出来调整校准电容的大小以执行校准，其中所述校准电容与所述比例电容并列、或者所述校准电容并联于所述LSB电容阵列中。其能够实现电荷型SAR ADC的自动校准。

公开(公告)号：CN108563590B

公开(公告)日：2024-02-23

申请号：CN201810684179.5

申请日：2018-06-28

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 ,  国网信息通信产业集团有限公司 ,  国家电网有限公司 ,  国网江苏省电力有限公司南京供电分公司

发明人： 冯文楠 ,  聂远铮 ,  周芝梅 ,  冯曦 ,  胡毅 ,  唐晓柯 ,  朱红 ,  李维

IPC分类号： G06F13/16 ,  G06F12/02

摘要： 本发明提供了一种基于片上FLASH存储器的OTP控制器和控制方法。该OTP控制器包括：通信总线模块，处理器通过该通信总线模块用于对片上FLASH存储器和OTP控制器进行数据读写；总线协议转换模块，其与所述通信总线模块进行通信，将该通信总线模块的总线协议转换为片上FLASH存储器的读写总线协议；读写状态控制模块，其与所述总线协议转换模块进行通信，用于控制所述片上FLASH存储器的读写状态；以及OTP接口，其与所述总线协议转换模块以及所述片上FLASH存储器进行通信，用于OTP数据在OTP控制器与片上FLASH存储器的存储单元之间的传输。本发明的OTP控制器能够对FLASH存储器进行一次性编程的数据读写，并能够保护OTP数据不被改写。

公开(公告)号：CN112596576B

公开(公告)日：2024-02-02

申请号：CN202011302615.1

申请日：2020-11-19

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 ,  国网信息通信产业集团有限公司 ,  国网浙江省电力有限公司 ,  国家电网有限公司

发明人： 赵东艳 ,  胡毅 ,  刘兴 ,  唐晓柯 ,  李振国 ,  冯文楠 ,  汪宇怀

IPC分类号： G05F3/26

摘要： 本发明提供一种带隙基准电路，属于集成电路技术领域。所述带隙基准电路包括：电源模块，与电源端相连接，用于输出电流信号；以及误差放大模块，包括运算放大器，与所述电源模块相连接，用于对所述电流信号进行补偿，以使得所述带隙基准电路输出第一参考源电压。通过本发明提供的技术方案，采用由运算放大器构成的误差放大模块对电信号进行补偿，可以得到高精度、低温漂的带隙基准电压，且带隙基准电路的结构简单，可以适用于纯模拟电路领域中。

公开(公告)号：CN112462834B

公开(公告)日：2022-05-13

申请号：CN202011163154.4

申请日：2020-10-27

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 ,  国网信息通信产业集团有限公司 ,  国网浙江省电力有限公司 ,  国家电网有限公司

发明人： 胡毅 ,  唐晓柯 ,  王于波 ,  侯佳力 ,  冯文楠 ,  张帆

IPC分类号： G05F1/56

摘要： 本发明提供一种用于快速唤醒芯片的电流偏置电路，属于集成电路技术领域。所述电流偏置电路包括偏置电流产生电路、低精度偏置电流产生电路以及电流输出支路，还包括附加开关电路；所述附加开关电路设置于所述偏置电流产生电路与所述电流输出支路之间，用于在所述电流偏置电路由关断到开启的过程中瞬间拉低所述电流输出支路的工作点的电位，以快速打开所述电流输出支路输出所述偏置电流产生电路产生的偏置电流。本发明通过附加开关电路在电流偏置电路由关断到开启的过程中瞬间拉低电流输出支路的工作点的电位，从而快速打开电流输出支路将偏置电流输出，从而快速启动芯片中的各种关键电路以快速唤醒芯片，解决了芯片唤醒时间长的问题。