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公开(公告)号：CN114401196B
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202210082959.9
申请日：2022-01-25
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 浙江大学 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网有限公司
IPC: H04L41/0896
Abstract: 本发明公开了一种无线时间敏感网络系统的带宽配置方法、装置及存储介质、芯片，方法包括：在接收到时间敏感网络TSN设备发送的新业务接入请求时，根据所述新业务接入请求对相应的新业务进行分类，其中，所述TSN设备通过无线网络连接到时间敏感网络系统；根据所述新业务的类别，估算所述新业务的有效带宽，并根据所述有效带宽得到所述新业务接入后的需求总带宽；判断所述需求总带宽是否大于预设资源总量；如果是，则执行分优先级的接入控制；如果否，则接入所述新业务，并直接为所述新业务分配所述有效带宽对应的带宽资源。该方法可提高系统灵活性，降低配置方法复杂度，且可提高网络资源利用率。
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公开(公告)号：CN112052184B
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202011049951.X
申请日：2020-09-29
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网有限公司 , 北京智芯半导体科技有限公司
IPC: G06F11/36
Abstract: 本发明公开一种测试脚本的自动生成方法，应用于芯片操作系统，该方法包括：判断是否获取到所有输入内容中的所有内容信息，内容信息包括目录结构信息、指令列表信息、共用函数信息、配置信息以及脚本模板信息；在确定获取到所有内容信息情况下，获取开发需求信息，基于开发需求信息生成结构创建脚本，结构创建脚本用于生成待测试文件结构；基于指令列表信息创建指令测试脚本集和公共脚本集；基于指令列表信息生成与指令测试脚本集对应的指令测试脚本，以及基于指令列表信息生成与公共脚本集对应的公共脚本；将待测试文件结构、指令测试脚本和公共脚本存储于脚本模板信息，生成芯片操作系统的测试脚本。本发明还公开一种测试脚本的自动生成装置。
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公开(公告)号：CN112213582B
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202011048442.5
申请日：2020-09-29
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网有限公司 , 北京智芯半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开一种电子模块的检测系统，该系统包括：参数设置模块，与待检测的电子模块电连接，用于获取第一设置操作，基于第一设置操作生成并设置电子模块的模块参数，模块参数包括频率参数和/或电压参数；控制模块，与电子模块电连接，用于实时控制电子模块按照模块参数运行；检测模块，与电子模块电连接，用于对运行中的电子模块执行检测操作，获得对应的检测结果。本发明还公开一种电子模块的检测方法及一种电子模块的检测装置。通过采用宽压高速MCU对电子模块的工作电压和/或工作频率进行调整测试，从而对在工作频率或工作电压的干扰下运行的电子模块进行模拟并进行检测，从而有效保证了对电子模块的检测完整度，满足技术人员的实际检测需求。
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公开(公告)号：CN109918338B
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN201910180286.9
申请日：2019-03-11
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网有限公司
Abstract: 本发明公开了一种安全芯片操作系统测试装置，是通过Python语言构建的，其包括PCSC通信接口层、算法库接口层、功能指令接口层、基本算法接口层、脚本编写和执行层。通过PCSC通信接口层实现与待测安全芯片的通信。算法库接口层用于封装待测安全芯片所应用的多种安全算法的接口。功能指令接口层用于封装待测安全芯片的操作系统中的功能指令。基本算法接口层用于对算法库接口层的接口进行二次组合封装，同时新增运算函数。脚本编写和执行层用于存储、执行和修改测试脚本，脚本编写和执行层通过组合和调用PCSC通信接口层、算法库接口层、功能指令接口层以及基本算法接口层从而实现对测试。该安全芯片操作系统测试装置能够有效地提高测试脚本的编写和调试速率。
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公开(公告)号：CN109982439B
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN201910288663.0
申请日：2019-04-11
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网有限公司
IPC: H04W72/54
Abstract: 本发明公开了一种基于蜂窝网络的D2D通信系统的信道资源分配方法，该信道资源分配方法包括：基站接收D2D通信系统中的所有D2D通信对的发送端所发起的D2D通信请求；基站向D2D通信对的接收端发送业务通知信号；基站接收D2D通信对的接收端所返回的应答信号；基站通知D2D通信对的发送端向接收端发送探测信号；基站接收所有D2D通信对的接收端所测量的D2D通信对对每个蜂窝用户的干扰值、D2D通信对的链路增益以及D2D通信对所接收到的链路噪声信息；基站根据所有D2D通信对对每个蜂窝用户的干扰值、D2D通信对的链路增益以及D2D通信对所接收到的链路噪声信息，以吞吐量最大化的算法对信道资源进行分配，该信道资源分配方法能够实现最大化吞吐量和最大化接入。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111999553B
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202010731994.X
申请日：2020-07-27
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
Abstract: 本发明实施例提供一种确定中继器电表的方法、通信装置、电表及金属电表箱，属于无线通信技术领域。放置于具有外置天线的金属电表箱内的电表的通信装置包括：外置天线射频连接器，用于执行与所述外置天线的通断；外置天线取样电路，用于当所述外置天线射频连接器被连接到所述外置天线时，输出第一指定电平；以及MCU，用于检测所述外置天线取样电路的输出电平，并当检测到所述输出电平为所述第一指定电平时，确定所述电表被激活中继器功能以及所述电表为所述金属电表箱中的中继器电表。本发明实施例适用于金属电表箱内的电表的通信过程。
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公开(公告)号：CN113990942B
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202111623306.9
申请日：2021-12-28
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
IPC: H01L29/423 , H01L29/40 , H01L29/78 , H01L21/28 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供一种圆形对称结构的LDMOS器件及其制备方法，包括：衬底、栅介质层和栅电极；衬底上划分有第一区域，第一区域形成有高压阱区；第一区域包括第二区域和第三区域；第二区域形成有体区，第三区域形成有漂移区，漂移区和体区位于高压阱区内；第二区域包括第四区域和第五区域，第四区域经离子注入形成源区；第三区域包括第六区域和第七区域；第七区域经离子注入形成漏区；栅介质层形成在第五区域和第六区域上方；栅介质层包括薄氧区和场氧区；场氧区表面划分有第八区域；栅电极设置在第八区域与薄氧区上。采用中心对称布局，消除工艺梯度误差，提升量产工艺的良率、均匀性和一致性；采用圆形场板结构，提升器件的击穿电压和可靠性。
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公开(公告)号：CN114050181B
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN202210014429.0
申请日：2022-01-07
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明实施例提供一种NLDMOS器件及制备方法、芯片，所述NLDMOS器件包括：衬底，所述衬底上方设有第一高压N阱区和第二高压N阱区，所述第一高压N阱区和第二高压N阱区之间留有衬底间隙；所述第一高压N阱区和第二高压N阱区上设有P型降低电场区，所述P型降低电场区经过所述衬底间隙；所述第一高压N阱区上还设有P型体区，所述第二高压N阱区上设有N型漂移区；所述P型体区、衬底间隙以及N型漂移区形成PIN结。所述NLDMOS器件的结构设计有效的提高了击穿电压。
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公开(公告)号：CN114203592A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202111473541.2
申请日：2021-11-29
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
Abstract: 本发明实施例提供一种芯片局部涂覆装置，属于芯片分析处理设备技术领域，所述装置包括：机箱、涂覆装置、载物台和显微镜，所述机箱的一侧开设有涂覆作业口，所述涂覆装置包括涂覆探针，所述涂覆装置安装在所述机箱内部，且所述涂覆探针从所述涂覆作业口伸出至所述机箱外部，所述显微镜和所述载物台固定安装在所述涂覆作业口上下两侧的机箱上，且所述载物台位于所述涂覆作业口的下方，所述显微镜位于所述涂覆作业口的上方。通过涂覆装置在芯片坑洼或层数较少的部位涂覆覆盖材料，利用覆盖材料的遮挡性和粘附性对芯片坑洼或层数较少的部位形成保护膜，以实现在干法刻蚀和湿法刻蚀去层过程中仅将层数多的部位进行去层，使芯片处于同一层次。
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公开(公告)号：CN114065674A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202210046994.5
申请日：2022-01-17
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网福建省电力有限公司电力科学研究院
IPC: G06F30/33
Abstract: 本发明实施例提供一种CMOS器件的EOS失效率的预测方法和装置，属于集成电路技术领域。预测方法包括：确定CMOS器件的基础EOS失效率；确定在CMOS器件的全部工艺环节中影响EOS失效率的影响因子；获取针对每一影响因子进行EOS失效率评价的评价结果，并基于该评价结果确定示出影响因子对EOS失效率的影响程度的权重值，其中权重值越大表示影响因子对EOS失效率的影响程度越大；基于基础EOS失效率和各个影响因子对应的权重值，建立针对EOS失效率的预测模型，以得到CMOS器件的EOS失效率的预测值。本发明从CMOS器件各个工艺环节系统性分析，综合考虑影响其EOS失效率的每个影响因素，所得到的EOS失效率的预测值更为精准，从而能够对EOS可靠性预测提供准确的预测依据。
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