公开(公告)号：CN112579182A

公开(公告)日：2021-03-30

申请号：CN202011349284.7

申请日：2020-11-26

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 ,  国网信息通信产业集团有限公司 ,  国网上海市电力公司 ,  国家电网有限公司

发明人： 李德建 ,  王于波 ,  刘畅 ,  唐晓柯 ,  杨立新 ,  王小曼

IPC分类号： G06F9/4401 ,  G06F1/324

摘要： 本发明实施例提供一种芯片的唤醒控制系统，属于电子技术领域。所述芯片的唤醒控制系统设置在系统高频时钟域中，且该芯片的唤醒控制系统包括：高频时钟振荡器，用于在接收唤醒信号后开启，其中所述唤醒信号为第一电平信号；唤醒控制模块，用于接收所述第一电平信号，并对其进行信号处理为第二电平信号，发送所述第二电平信号给系统控制模块；系统控制模块，用于在所述高频时钟振荡器处于工作状态并产生时钟信号时，将所述第二电平信号转化为第一脉冲信号，并发送给时钟控制模块；以及时钟控制模块，用于将所述第一脉冲信号转换成第三电平信号，并发送给所述高频时钟振荡器。该唤醒控制系统可以控制芯片快速进入唤醒状态，以减少额外的功耗消费。

公开(公告)号：CN114864666B

公开(公告)日：2023-02-24

申请号：CN202210810588.1

申请日：2022-07-11

申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 ,  北京智芯微电子科技有限公司 ,  国网上海市电力公司 ,  国家电网有限公司

发明人： 赵东艳 ,  王于波 ,  陈燕宁 ,  吴波 ,  刘芳 ,  邓永锋 ,  王凯 ,  余山 ,  付振 ,  郁文 ,  刘倩倩 ,  王帅鹏 ,  彭鹏 ,  邵宇鹰

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L27/088

摘要： 本发明涉及半导体技术领域，公开了一种NLDMOS器件、NLDMOS器件的制备方法及芯片。所述NLDMOS器件包括：衬底；设于所述衬底上的P型体区与N型漂移区；设于所述N型漂移区上的场氧化层与N型掺杂区；以及设于所述场氧化层与所述N型掺杂区上的栅极，其中，所述N型掺杂区包括所述场氧化层、所述栅极与所述N型漂移区的交界区。本发明中的N型掺杂区可在保证一定的关断状态下的击穿电压（BVoff）下减小NLDMOS器件的导通电阻，同时有效地将电力线密度重新分布以降低交界区的电场峰值，在器件大注入时为漂移区提供额外的净电荷，从而能够使Kirk效应得到有效的抑制，进而提高导通状态下的击穿电压（BVon），即，提高NLDMOS器件的安全工作区和可靠性。

公开(公告)号：CN112579182B

公开(公告)日：2022-01-14

申请号：CN202011349284.7

申请日：2020-11-26

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 ,  国网信息通信产业集团有限公司 ,  国网上海市电力公司 ,  国家电网有限公司

发明人： 李德建 ,  王于波 ,  刘畅 ,  唐晓柯 ,  杨立新 ,  王小曼

IPC分类号： G06F9/4401 ,  G06F1/324

摘要： 本发明实施例提供一种芯片的唤醒控制系统，属于电子技术领域。所述芯片的唤醒控制系统设置在系统高频时钟域中，且该芯片的唤醒控制系统包括：高频时钟振荡器，用于在接收唤醒信号后开启，其中所述唤醒信号为第一电平信号；唤醒控制模块，用于接收所述第一电平信号，并对其进行信号处理为第二电平信号，发送所述第二电平信号给系统控制模块；系统控制模块，用于在所述高频时钟振荡器处于工作状态并产生时钟信号时，将所述第二电平信号转化为第一脉冲信号，并发送给时钟控制模块；以及时钟控制模块，用于将所述第一脉冲信号转换成第三电平信号，并发送给所述高频时钟振荡器。该唤醒控制系统可以控制芯片快速进入唤醒状态，以减少额外的功耗消费。

公开(公告)号：CN115358282A

公开(公告)日：2022-11-18

申请号：CN202211292155.8

申请日：2022-10-21

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 ,  国网上海市电力公司 ,  国家电网有限公司

发明人： 赵东艳 ,  王于波 ,  成睿琦 ,  梁英宗 ,  陈燕宁 ,  王立城 ,  仝傲宇 ,  王帅鹏 ,  彭鹏 ,  邵宇鹰

IPC分类号： G06K9/00

摘要： 本申请涉及数据处理领域，提供一种电磁环境数据压缩方法及装置。所述电磁环境数据压缩方法，包括：对电磁环境数据中的突变信号数据进行截取；对截取的突变信号数据进行滤波处理；对滤波处理后的数据进行特征点选取；对选取的特征点连接形成的包络线进行数据拟合，提取描述包络线波形的特征参数，将描述包络线波形的特征参数作为电磁环境数据的特征值。本申请实施例通过选取电磁环境数据的特征点，将特征点连接形成的包络线进行数据拟合，将拟合得到的特征参数作为电磁环境数据的特征值，实现对电磁环境数据的压缩。在对电磁环境数据进行存储时，大大降低了数据存储容量，且可以从存储的数据中直接获取特征数据。

公开(公告)号：CN114864666A

公开(公告)日：2022-08-05

申请号：CN202210810588.1

申请日：2022-07-11

申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 ,  北京智芯微电子科技有限公司 ,  国网上海市电力公司 ,  国家电网有限公司

发明人： 赵东艳 ,  王于波 ,  陈燕宁 ,  吴波 ,  刘芳 ,  邓永锋 ,  王凯 ,  余山 ,  付振 ,  郁文 ,  刘倩倩 ,  王帅鹏 ,  彭鹏 ,  邵宇鹰

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L27/088

摘要： 本发明涉及半导体技术领域，公开了一种NLDMOS器件、NLDMOS器件的制备方法及芯片。所述NLDMOS器件包括：衬底；设于所述衬底上的P型体区与N型漂移区；设于所述N型漂移区上的场氧化层与N型掺杂区；以及设于所述场氧化层与所述N型掺杂区上的栅极，其中，所述N型掺杂区包括所述场氧化层、所述栅极与所述N型漂移区的交界区。本发明中的N型掺杂区可在保证一定的关断状态下的击穿电压（BVoff）下减小NLDMOS器件的导通电阻，同时有效地将电力线密度重新分布以降低交界区的电场峰值，在器件大注入时为漂移区提供额外的净电荷，从而能够使Kirk效应得到有效的抑制，进而提高导通状态下的击穿电压（BVon），即，提高NLDMOS器件的安全工作区和可靠性。

公开(公告)号：CN117686105B

公开(公告)日：2024-04-30

申请号：CN202410158573.0

申请日：2024-02-04

申请人： 国网江苏省电力有限公司电力科学研究院 ,  国家电网有限公司 ,  国网江苏省电力有限公司 ,  北京智芯微电子科技有限公司

发明人： 卓洪树 ,  陈广 ,  厉苗 ,  许建明 ,  宋天民 ,  熊汉武 ,  孟贤 ,  张柯 ,  蔡云峰 ,  丁一 ,  杨凯 ,  刘建军 ,  陶加贵 ,  李成钢 ,  张建国 ,  王于波 ,  杜鹃

IPC分类号： G01K1/14 ,  G06K17/00 ,  G01K13/00

摘要： 本发明提供了一种基于RFID芯片的电缆测温装置及方法，具体包括：嵌入电缆的测温RFID标签芯片及RFID读写设备，测温RFID标签芯片包括通过信号连接的射频前端单元及温度传感器单元；射频前端单元，用于接收RFID读写设备的测温指令以触发温度传感器单元的测温功能，并将温度传感器单元的温度数据反馈给RFID读写设备；温度传感器单元，包括传感器模拟前端电路及ADC模块，用于基于偏置电流下三极管的VBE，给出温度数据，并发送给射频前端单元。设置适合的射频前端单元，实现了温度传感器单元在低电压下稳定工作，配合ADC模块，兼顾低功耗、高精度，实现了传感器和RFID技术的深度融合。

公开(公告)号：CN114356014B

公开(公告)日：2024-03-15

申请号：CN202111386539.1

申请日：2021-11-22

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 ,  国网信息通信产业集团有限公司 ,  国网浙江省电力有限公司 ,  国家电网有限公司

发明人： 李振国 ,  王于波 ,  胡毅 ,  李德建 ,  张喆 ,  侯佳力 ,  苏萌 ,  宋海飞 ,  张帆

IPC分类号： G05F1/567

摘要： 本发明公开了一种低压基准电压产生电路及芯片，其中电路包括基准电流源模块、缓冲器模块和高阶温度补偿模块，其中，基准电流源模块用于分别向缓冲器模块和高阶温度补偿模块提供零温度电流，并向缓冲器模块提供负温度特性电压；缓冲器模块用于根据零温度电流生成具有正温度特性的失调电压，并将失调电压与负温度特性电压进行叠加，以输出第一带隙基准电压；高阶温度补偿模块用于根据零温度电流对第一带隙基准电压进行高阶温度补偿，以使缓冲器模块输出低温漂带隙基准电压。由此，不仅可以实现低温漂带隙基准电压的输出，还可以使低工作电压处于宽工作电压范围，同时还可以降低电路设计复杂度以及功耗消耗。

公开(公告)号：CN116450402B

公开(公告)日：2023-08-18

申请号：CN202310708268.X

申请日：2023-06-15

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 ,  国网宁夏电力有限公司营销服务中心(国网宁夏电力有限公司计量中心) ,  国家电网有限公司

发明人： 张茜歌 ,  李德建 ,  王于波 ,  刘亮 ,  张喆 ,  郝晓鹏 ,  周佳慧 ,  孙玉峰 ,  刘朋远 ,  丁海丽

IPC分类号： G06F11/10 ,  G06F9/30 ,  G06F9/38 ,  G06F11/30

摘要： 本发明公开了一种程序流监控方法、编译方法、装置、处理器及计算机设备，所述程序流对应有控制流和数据流；所述控制流包括若干基本块；基本块头部在编译阶段插入有控制流校验指令，以及基本块尾部在链接阶段插入有数据流校验指令；所述程序流监控方法包括：在所述程序流运行到当前基本块的情况下，执行所述当前基本块内的所述控制流校验指令以校验所述控制流的正确性；在所述当前基本块运行至所述数据流校验指令的情况下，确定所述当前基本块的所有指令的CRC签名值，以校验所述数据流的完整性。由此在数据流和控制流上对程序流进行双重监控，可以有效检测程序执行行为与预期不符的问题。

公开(公告)号：CN116450402A

公开(公告)日：2023-07-18

申请号：CN202310708268.X

申请日：2023-06-15

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 ,  国网宁夏电力有限公司营销服务中心(国网宁夏电力有限公司计量中心) ,  国家电网有限公司

发明人： 张茜歌 ,  李德建 ,  王于波 ,  刘亮 ,  张喆 ,  郝晓鹏 ,  周佳慧 ,  孙玉峰 ,  刘朋远 ,  丁海丽

IPC分类号： G06F11/10 ,  G06F9/30 ,  G06F9/38 ,  G06F11/30

摘要： 本发明公开了一种程序流监控方法、编译方法、装置、处理器及计算机设备，所述程序流对应有控制流和数据流；所述控制流包括若干基本块；基本块头部在编译阶段插入有控制流校验指令，以及基本块尾部在链接阶段插入有数据流校验指令；所述程序流监控方法包括：在所述程序流运行到当前基本块的情况下，执行所述当前基本块内的所述控制流校验指令以校验所述控制流的正确性；在所述当前基本块运行至所述数据流校验指令的情况下，确定所述当前基本块的所有指令的CRC签名值，以校验所述数据流的完整性。由此在数据流和控制流上对程序流进行双重监控，可以有效检测程序执行行为与预期不符的问题。

公开(公告)号：CN114818393B

公开(公告)日：2023-04-14

申请号：CN202210740098.9

申请日：2022-06-28

申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 ,  北京智芯微电子科技有限公司 ,  国网宁夏电力有限公司电力科学研究院 ,  国家电网有限公司

发明人： 赵东艳 ,  王于波 ,  梁英宗 ,  陈燕宁 ,  鹿祥宾 ,  张东嵘 ,  付振 ,  刘芳 ,  闫振华 ,  张庆平 ,  夏绪卫

IPC分类号： G06F30/20 ,  G01R31/26 ,  G06F119/04

摘要： 本公开实施例公开了一种半导体器件失效时刻预测方法、装置、设备及介质。本公开实施例提供的半导体器件失效时刻预测方法，包括：获取所述半导体器件的静态参数的第一阶段测试数据，其中，所述测试数据为时间序列数据；基于所述第一阶段测试数据和预先构建的差分整合移动平均自回归ARIMA模型得到所述半导体器件的第二阶段预测数据；基于所述半导体器件的第二阶段预测数据确定所述半导体器件的失效时刻。本公开实施例的技术方案解决了现有的HCI测试耗时过长，无法满足工业生产过程中产品数量大、工期紧的需求的技术问题，大幅缩短了半导体器件失效时刻的获取时长，降低了测试成本，提高了测试效率。