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公开(公告)号：CN116450402B
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202310708268.X
申请日：2023-06-15
摘要： 本发明公开了一种程序流监控方法、编译方法、装置、处理器及计算机设备，所述程序流对应有控制流和数据流；所述控制流包括若干基本块；基本块头部在编译阶段插入有控制流校验指令，以及基本块尾部在链接阶段插入有数据流校验指令；所述程序流监控方法包括：在所述程序流运行到当前基本块的情况下，执行所述当前基本块内的所述控制流校验指令以校验所述控制流的正确性；在所述当前基本块运行至所述数据流校验指令的情况下，确定所述当前基本块的所有指令的CRC签名值，以校验所述数据流的完整性。由此在数据流和控制流上对程序流进行双重监控，可以有效检测程序执行行为与预期不符的问题。
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公开(公告)号：CN116450402A
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202310708268.X
申请日：2023-06-15
摘要： 本发明公开了一种程序流监控方法、编译方法、装置、处理器及计算机设备，所述程序流对应有控制流和数据流；所述控制流包括若干基本块；基本块头部在编译阶段插入有控制流校验指令，以及基本块尾部在链接阶段插入有数据流校验指令；所述程序流监控方法包括：在所述程序流运行到当前基本块的情况下，执行所述当前基本块内的所述控制流校验指令以校验所述控制流的正确性；在所述当前基本块运行至所述数据流校验指令的情况下，确定所述当前基本块的所有指令的CRC签名值，以校验所述数据流的完整性。由此在数据流和控制流上对程序流进行双重监控，可以有效检测程序执行行为与预期不符的问题。
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公开(公告)号：CN113986348A
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202111080668.8
申请日：2021-09-15
IPC分类号： G06F9/30
摘要： 本发明公开了一种数据压栈方法、装置、芯片及存储介质。其中，数据压栈方法包括：在压栈动作发生时，若存在未完成更新的上下文数据，则跳过未完成更新的上下文数据，并在其它上下文数据全部或部分压栈完成后再压栈未完成更新的上下文数据；若未存在未完成更新的上下文数据，则按序压栈所有上下文数据。由此，在存在未完成更新的上下文数据时，能够使得数据压栈和数据更新并行，减小或消除等待数据更新的时间，从而提高中断响应的实时性。
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公开(公告)号：CN117686105B
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202410158573.0
申请日：2024-02-04
申请人： 国网江苏省电力有限公司电力科学研究院 , 国家电网有限公司 , 国网江苏省电力有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司
摘要： 本发明提供了一种基于RFID芯片的电缆测温装置及方法，具体包括：嵌入电缆的测温RFID标签芯片及RFID读写设备，测温RFID标签芯片包括通过信号连接的射频前端单元及温度传感器单元；射频前端单元，用于接收RFID读写设备的测温指令以触发温度传感器单元的测温功能，并将温度传感器单元的温度数据反馈给RFID读写设备；温度传感器单元，包括传感器模拟前端电路及ADC模块，用于基于偏置电流下三极管的VBE，给出温度数据，并发送给射频前端单元。设置适合的射频前端单元，实现了温度传感器单元在低电压下稳定工作，配合ADC模块，兼顾低功耗、高精度，实现了传感器和RFID技术的深度融合。
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公开(公告)号：CN114356014B
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202111386539.1
申请日：2021-11-22
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国网浙江省电力有限公司 , 国家电网有限公司
IPC分类号： G05F1/567
摘要： 本发明公开了一种低压基准电压产生电路及芯片，其中电路包括基准电流源模块、缓冲器模块和高阶温度补偿模块，其中，基准电流源模块用于分别向缓冲器模块和高阶温度补偿模块提供零温度电流，并向缓冲器模块提供负温度特性电压；缓冲器模块用于根据零温度电流生成具有正温度特性的失调电压，并将失调电压与负温度特性电压进行叠加，以输出第一带隙基准电压；高阶温度补偿模块用于根据零温度电流对第一带隙基准电压进行高阶温度补偿，以使缓冲器模块输出低温漂带隙基准电压。由此，不仅可以实现低温漂带隙基准电压的输出，还可以使低工作电压处于宽工作电压范围，同时还可以降低电路设计复杂度以及功耗消耗。
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公开(公告)号：CN114818393B
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN202210740098.9
申请日：2022-06-28
申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网宁夏电力有限公司电力科学研究院 , 国家电网有限公司
IPC分类号： G06F30/20 , G01R31/26 , G06F119/04
摘要： 本公开实施例公开了一种半导体器件失效时刻预测方法、装置、设备及介质。本公开实施例提供的半导体器件失效时刻预测方法，包括：获取所述半导体器件的静态参数的第一阶段测试数据，其中，所述测试数据为时间序列数据；基于所述第一阶段测试数据和预先构建的差分整合移动平均自回归ARIMA模型得到所述半导体器件的第二阶段预测数据；基于所述半导体器件的第二阶段预测数据确定所述半导体器件的失效时刻。本公开实施例的技术方案解决了现有的HCI测试耗时过长，无法满足工业生产过程中产品数量大、工期紧的需求的技术问题，大幅缩短了半导体器件失效时刻的获取时长，降低了测试成本，提高了测试效率。
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公开(公告)号：CN114200244B
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202210146277.X
申请日：2022-02-17
申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网江苏省电力有限公司常州供电分公司
摘要： 本发明实施例提供一种用于电力二次设备的环境应力试验系统，属于电力技术领域。所述用于电力二次设备的环境应力试验系统包括环境试验室，以及在所述环境试验室内设置的环境模拟系统、电气控制设备、故障模拟系统，所述环境模拟系统用于生成所述电力二次设备所处环境的综合环境参数，所述电气控制设备用于控制所述环境模拟系统生成所述综合环境参数，并对所述电力二次设备进行综合环境应力试验，所述故障模拟系统，配合所述环境模拟系统，用于模拟所述电力二次设备试验的电网各类故障和异常运行工况。通过环境模拟系统形成多种不同环境影响因素的共同作用，模拟户外电网真实运行环境。
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公开(公告)号：CN114397999A
公开(公告)日：2022-04-26
申请号：CN202111415577.5
申请日：2021-11-25
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国网江苏省电力有限公司 , 国家电网有限公司
摘要： 本发明实施例提供一种基于非易失内存接口‑远程处理消息传递NVMe‑over‑RPMsg的通信方法、装置及设备，属于计算机技术领域。用于在异构多核系统级芯片上虚拟化远程存储系统，NVMe‑over‑RPMsg包括：来宾操作系统和远程操作系统，所述通信方法包括：使所述来宾操作系统识别所述远程操作系统为NVMe‑over‑RPMsg的目的端；在所述来宾操作系统上通过定制的非易失内存接口驱动器，将所述NVMe‑over‑RPMsg目的端封装成NVMe SSD，其中所述来宾操作系统包括NVMe‑over‑RPMsg的前端；将从所述来宾操作系统发送的非易失内存接口命令发送到所述NVMe‑over‑RPMsg的目的端的仿真NVMe SSD控制器；使所述NVMe‑over‑RPMSG的前端和所述NVMe‑over‑RPMSG的目的端通过RPMsg通道相互通信。该通信方法消除高开销的系统调用并减少长I/O堆栈，同时提高随机读/写吞吐量。
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公开(公告)号：CN114356014A
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202111386539.1
申请日：2021-11-22
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国网浙江省电力有限公司 , 国家电网有限公司
IPC分类号： G05F1/567
摘要： 本发明公开了一种低压基准电压产生电路及芯片，其中电路包括基准电流源模块、缓冲器模块和高阶温度补偿模块，其中，基准电流源模块用于分别向缓冲器模块和高阶温度补偿模块提供零温度电流，并向缓冲器模块提供负温度特性电压；缓冲器模块用于根据零温度电流生成具有正温度特性的失调电压，并将失调电压与负温度特性电压进行叠加，以输出第一带隙基准电压；高阶温度补偿模块用于根据零温度电流对第一带隙基准电压进行高阶温度补偿，以使缓冲器模块输出低温漂带隙基准电压。由此，不仅可以实现低温漂带隙基准电压的输出，还可以使低工作电压处于宽工作电压范围，同时还可以降低电路设计复杂度以及功耗消耗。
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公开(公告)号：CN114325303A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111405410.0
申请日：2021-11-24
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网福建省电力有限公司电力科学研究院
IPC分类号： G01R31/28
摘要： 本发明提供一种砷化镓芯片开封方法，属于芯片技术领域。该方法包括如下步骤：S1：打磨砷化镓芯片的目标开封区域至粗糙；S2：将混酸液滴在打磨粗糙的目标开封区域，加热砷化镓芯片使其处于目标温度，自所述目标开封区域发生反应产生棕红色水泡起计时，至反应第一预设时间止，清洗砷化镓芯片；S3：重复执行S2，直至肉眼可见砷化镓芯片表面；S4：将反应时间调整为第二预设时间，重复执行S2，直至所述目标开封区域不再发生反应，清洗砷化镓芯片后完成开封，得到暴露出砷化镓芯片表面电路的芯片。对目标开封区域进行打磨能够去除表面的氧化层及脏污，能够限制反应区域，实现局部开封，利用封装体保护砷化镓衬底，阻止酸液与砷化镓反应。
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