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公开(公告)号：CN114896929A
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN202210405357.2
申请日：2022-04-18
申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网江苏省电力有限公司常州供电分公司
IPC分类号： G06F30/36
摘要： 本发明实施例提供一种有界波电磁脉冲模拟器设计方法及系统，属于电磁技术领域。所述有界波电磁脉冲模拟器沿x轴向包括脉冲源、前过渡段、平行板段、后过渡段和终端负载，所述方法包括：获取终端负载的阻抗匹配值；基于所述阻抗匹配值和预设特征阻抗图谱，获得有界波电磁脉冲模拟器的结构参数；基于所述结构参数进行有界波电磁脉冲模拟器的模拟构建，对应输出模拟构建方案。本发明方案实现了基于用户需求进行有界波电磁脉冲模拟器结构参数准确推理的想法，实现了隔离开关操作场景下电磁环境的精准复现。
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公开(公告)号：CN114200244A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202210146277.X
申请日：2022-02-17
申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网江苏省电力有限公司常州供电分公司
摘要： 本发明实施例提供一种用于电力二次设备的环境应力试验系统，属于电力技术领域。所述用于电力二次设备的环境应力试验系统包括环境试验室，以及在所述环境试验室内设置的环境模拟系统、电气控制设备、故障模拟系统，所述环境模拟系统用于生成所述电力二次设备所处环境的综合环境参数，所述电气控制设备用于控制所述环境模拟系统生成所述综合环境参数，并对所述电力二次设备进行综合环境应力试验，所述故障模拟系统，配合所述环境模拟系统，用于模拟所述电力二次设备试验的电网各类故障和异常运行工况。通过环境模拟系统形成多种不同环境影响因素的共同作用，模拟户外电网真实运行环境。
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公开(公告)号：CN113945773A
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN202110283041.6
申请日：2021-03-16
申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网江苏省电力有限公司常州供电分公司
IPC分类号： G01R29/12
摘要： 本发明实施例提供一种用于静电测试的监测装置及静电测试系统，属于CDM测试技术领域。所述监测装置包括：采集模块，与用于静电测试的静电泄放弹性针连接，用于在对所述静电泄放弹性针进行测试位置调试的过程中，采集所述静电泄放弹性针与被测试物体的接触压力，并生成对应的压力信号；控制模块，与所述采集模块连接，用于接收所述压力信号，并根据所述压力信号确定所述静电泄放弹性针与所述被测试物体的接触状态，以及生成对应于不同接触状态的不同控制指令；以及告警模块，与所述控制模块连接，用于响应于不同的所述控制指令而进行告警提示。通过该技术方案可以精确定位静电泄放弹性针的测试位置，提高测试的效率性和准确性。
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公开(公告)号：CN113782528A
公开(公告)日：2021-12-10
申请号：CN202111330860.8
申请日：2021-11-11
申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 西安电子科技大学 , 国网江苏省电力有限公司常州供电分公司 , 国家电网有限公司
IPC分类号： H01L27/02 , H01L27/092 , H01L23/552 , H01L21/8238
摘要： 本发明提供一种半导体器件、集成电路产品以及制造方法，属于半导体器件技术领域。所述半导体器件包括：基体；第一掺杂区，形成于所述基体，所述第一掺杂区是第一MOS的源区和漏区的掺杂区；第二掺杂区，形成于所述基体，所述第二掺杂区与所述源区的距离小于所述第二掺杂区与所述漏区的距离，所述第二掺杂区与所述源区的导电类型相反；互连层，具有导电性，与所述第二掺杂区和所述源区有接触。本发明可为半导体器件提供抗电磁干扰能力。
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公开(公告)号：CN114200244B
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202210146277.X
申请日：2022-02-17
申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网江苏省电力有限公司常州供电分公司
摘要： 本发明实施例提供一种用于电力二次设备的环境应力试验系统，属于电力技术领域。所述用于电力二次设备的环境应力试验系统包括环境试验室，以及在所述环境试验室内设置的环境模拟系统、电气控制设备、故障模拟系统，所述环境模拟系统用于生成所述电力二次设备所处环境的综合环境参数，所述电气控制设备用于控制所述环境模拟系统生成所述综合环境参数，并对所述电力二次设备进行综合环境应力试验，所述故障模拟系统，配合所述环境模拟系统，用于模拟所述电力二次设备试验的电网各类故障和异常运行工况。通过环境模拟系统形成多种不同环境影响因素的共同作用，模拟户外电网真实运行环境。
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公开(公告)号：CN113782528B
公开(公告)日：2022-02-08
申请号：CN202111330860.8
申请日：2021-11-11
申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 西安电子科技大学 , 国网江苏省电力有限公司常州供电分公司 , 国家电网有限公司
IPC分类号： H01L27/02 , H01L27/092 , H01L23/552 , H01L21/8238
摘要： 本发明提供一种半导体器件、集成电路产品以及制造方法，属于半导体器件技术领域。所述半导体器件包括：基体；第一掺杂区，形成于所述基体，所述第一掺杂区是第一MOS的源区和漏区的掺杂区；第二掺杂区，形成于所述基体，所述第二掺杂区与所述源区的距离小于所述第二掺杂区与所述漏区的距离，所述第二掺杂区与所述源区的导电类型相反；互连层，具有导电性，与所述第二掺杂区和所述源区有接触。本发明可为半导体器件提供抗电磁干扰能力。
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公开(公告)号：CN116930670B
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202311205204.4
申请日：2023-09-19
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网江苏省电力有限公司常州供电分公司 , 国家电网有限公司
IPC分类号： G01R31/00
摘要： 本申请提供一种芯片级电磁干扰传导注入测试方法及装置，属于芯片电磁抗扰度测试技术领域。所述芯片级电磁干扰传导注入测试方法包括：构建测试装置；根据当前被测芯片标定测试装置不同参数对应的注入能量及波形特征；将当前被测芯片连接到测试装置上；采用测试装置注入电磁干扰到当前被测芯片；记录当前被测芯片的不同注入能量及波形特征以及对应的芯片状态。通过上述技术手段，在对被测芯片进行测试前标定被测芯片在测试装置采用不同参数时注入的能量及波形特征，然后将被测芯片连接到测试装置上进行测试，最后记录被测芯片状态及对应的注入能量及波形特征，为研究干扰注入能量及波形特征对芯片失效的影响提供数据基础，该方法适用范围广。
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公开(公告)号：CN116930670A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202311205204.4
申请日：2023-09-19
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网江苏省电力有限公司常州供电分公司 , 国家电网有限公司
IPC分类号： G01R31/00
摘要： 本申请提供一种芯片级电磁干扰传导注入测试方法及装置，属于芯片电磁抗扰度测试技术领域。所述芯片级电磁干扰传导注入测试方法包括：构建测试装置；根据当前被测芯片标定测试装置不同参数对应的注入能量及波形特征；将当前被测芯片连接到测试装置上；采用测试装置注入电磁干扰到当前被测芯片；记录当前被测芯片的不同注入能量及波形特征以及对应的芯片状态。通过上述技术手段，在对被测芯片进行测试前标定被测芯片在测试装置采用不同参数时注入的能量及波形特征，然后将被测芯片连接到测试装置上进行测试，最后记录被测芯片状态及对应的注入能量及波形特征，为研究干扰注入能量及波形特征对芯片失效的影响提供数据基础，该方法适用范围广。
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公开(公告)号：CN114966294B
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202210894078.7
申请日：2022-07-27
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司 , 国网福建省电力有限公司电力科学研究院 , 国家电网有限公司
摘要： 本发明实施例提供一种电力设备的可靠性试验系统及控制方法、装置和介质，属于可靠性试验技术领域。高温老化箱，设置于试验室端，用于容纳预期进行可靠性试验的第一电力设备；控制装置，设置于试验室端并与所述高温老化箱连接，用于设置在高温老化箱内对所述第一电力设备进行可靠性试验的试验环境参数，并监测第一电力设备在基于试验环境参数的可靠性试验下的运行情况；采集装置，其设置于位于现场端的第二电力设备的箱体内，用于采集第二电力设备内部的参考环境参数，并将该参考环境参数提供给控制装置以使得控制装置基于参考环境参数设置试验环境参数。本发明对于第一电力设备的试验环境参数设置更贴近实际，试验结果更准确可靠。
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公开(公告)号：CN116743141A
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202310560064.6
申请日：2023-05-17
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司 , 国网山西省电力公司电力科学研究院 , 国网山西省电力公司 , 国家电网有限公司
IPC分类号： H03K17/567
摘要： 本发明涉及电子信息领域，公开了一种IGBT的控制装置和控制方法、芯片及电路，该控制装置包括：电压采样模块，用于采集所述IGBT的集电极电压；电流采样模块，用于采集所述IGBT的输出电流；以及控制模块，用于：比较输入控制信号和预设控制信号阈值；以及基于比较结果，根据所述电流采样模块采集的所述输出电流或所述电压采集模块采集的所述集电极电压和所述输入控制信号确定输入至所述IGBT的栅极的输入电压。藉此，实现了对IGBT的栅极进行控制。
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