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公开(公告)号：CN115498034B
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202211118526.0
申请日：2022-09-13
Applicant: 北京无线电测量研究所
IPC: H01L29/778 , H01L29/40 , H01L21/335
Abstract: 本发明实施例公开了一种GaN HEMT器件及其制备方法。在一具体实施方式中，包括缓冲层；在缓冲层上方形成的GaN沟道层；在GaN沟道层上方形成的势垒层；在势垒层上方形成的栅极、源极和漏极；第一钝化层，其形成在栅极和漏极之间的区域以及栅极和源极之间的区域中；以及栅极场板，其电连接到栅极并形成在第一钝化层上方，该栅极场板上形成有图形化开孔。该实施方式通过图形化的场板结构，直接控制场板产生电场的强度大小、强度的均匀性和面积大小，能够平均峰值电场；同时也可以最大面积上抑制虚栅形成，有利于器件更稳定工作；而且可以有效提升场板金属的制程良率，也可以降低贵金属的使用量，降低生产成本。
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公开(公告)号：CN116631859A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202310905373.2
申请日：2023-07-24
Applicant: 北京无线电测量研究所
IPC: H01L21/28 , H01L29/423
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件的T型栅及其制备方法，所述方法包括：在外延片上设置表面钝化层和牺牲层；在牺牲层的表面涂敷光刻胶，采用i‑line光刻工艺制备出光刻胶线条图形；刻蚀去除未被光刻胶线条图形覆盖的牺牲层，并侧向刻蚀被光刻胶线条图形覆盖的牺牲层，获得线宽缩小的牺牲层线条图形；在牺牲层线条图形上设置平坦化层；对平坦化层进行一致性去除，暴露出牺牲层线条图形；刻蚀去除牺牲层线条图形，形成线条图形窗口；利用线条图形窗口作为掩模，对表面钝化层进行刻蚀形成栅脚图形窗口；采用i‑line光刻工艺光刻出栅帽图形窗口，形成T型栅的图形窗口；在T型栅的图形窗口内沉积栅极金属层，形成T型栅。本发明能够降低制备成本，提高制备效率。
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公开(公告)号：CN116344337A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202310622486.1
申请日：2023-05-30
Applicant: 北京无线电测量研究所
IPC: H01L21/304 , H01L21/683
Abstract: 本发明公开了一种化合物半导体晶圆背面加工方法，包括：在晶圆正面涂布第一层高熔点的键合胶剂，完全覆盖结构器件作为器件保护层，在器件保护层上涂布第二层熔点低于第一层的键合胶剂，第一层键合胶剂的熔点高于第二层键合胶剂的熔点10°C以上，第二层键合胶剂涂布的厚度大于5微米；通过加热使第二层键合胶剂达到熔点软化，通过加压使晶圆与蓝宝石载具贴合后降温，使晶圆与蓝宝石载具键合在一起；通过砂轮研磨将晶圆衬底减薄；通过加热使第二层键合胶剂达到熔点软化，将蓝宝石载具从减薄的晶圆上卸载，使用有机溶剂对晶圆正面残留的第一层键合胶剂和第二层键合胶剂进行清洗。本发明能够确保结构器件在键合及解键过程中不会压伤受损。
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公开(公告)号：CN116759310B
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202311065455.7
申请日：2023-08-23
Applicant: 北京无线电测量研究所
IPC: H01L21/3213 , G03F7/42
Abstract: 本发明公开了一种使用正型光刻胶的金属剥离方法，所述方法包括：在衬底上涂布正型光刻胶；以掩膜版与正型光刻胶相接触的方式，对光刻胶进行曝光，在光刻胶与掩模版接触的表面部分形成倒勾形区域；对光刻胶进行预烤并显影，形成上方为正梯形的光刻胶开口；在光刻胶上和光刻胶开口中蒸镀金属；剥离光刻胶，留下光刻胶开口中的金属，得到金属图形。本发明能够降低制备成本，提高芯片质量，适用于大规模化的产品生产。
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公开(公告)号：CN116683280A
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN202310678490.X
申请日：2023-06-08
Applicant: 北京无线电测量研究所
IPC: H01S5/026 , H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本发明实施例公开一种GaN激光器和GaN HEMT的集成器件及其制备方法。包括基底；形成在基底上的激光器层结构和HEMT层结构，其间设置有隔离槽；覆盖激光器层结构、HEMT层结构和隔离槽的钝化层；形成在钝化层上的平坦化层，激光器层结构包括依次形成的N型GaN接触层、多层InGaN量子阱有源区和P型GaN接触层；HEMT层结构包括依次形成的掺杂的GaN缓冲层、GaN沟道层和AlGaN势垒层；激光器层结构还包括N型GaN接触层形成的台阶，形成在该台阶上的N型电极，形成在P型GaN接触层上的P型电极；HEMT层结构还包括形成在AlGaN势垒层上的漏极和源极，形成在其间的栅极；平坦化层表面通过过孔与激光器的N型电极电连接的N型电极布线、电连接激光器的P型电极和HEMT的源极电极的连接布线。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116504609A
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202310769716.7
申请日：2023-06-28
Applicant: 北京无线电测量研究所
IPC: H01L21/02 , H01L21/683
Abstract: 本发明公开了一种翘曲晶圆应力消除方法，包括如下步骤：在室温下对翘曲晶圆进行曲率测试得到晶圆的翘曲度；根据晶圆的翘曲度选择粘附层和应力层的种类；在晶圆的背面依次形成粘附层和应力层，使得粘附层和应力层形成的应力与晶圆的应力平衡，从而使室温下的晶圆表面平整；器件工艺完成后，对粘附层和应力层进行第一段温度下的加热，所述第一段温度为25℃～75℃，然后对粘附层和应力层进行第二段温度下的加热，所述第二段温度为‑55℃～10℃，使粘附层和应力层从晶圆背面剥离，并使晶圆背面出现断裂，从而消除晶圆内部的应力。本发明能够消除晶圆翘曲对器件工艺的不利影响，并且能够消除翘曲晶圆内部的应力，防止碎片风险。
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公开(公告)号：CN115912054A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202211395786.2
申请日：2022-11-09
Applicant: 北京无线电测量研究所
IPC: H01S5/22 , H01S5/30 , H01S5/34 , H01S5/40 , H01S5/02 , H01S5/026 , H01S5/028 , H01S5/065 , H01S5/10
Abstract: 本发明实施例公开了一种硅基FP激光器件、集成可调谐激光器及其制备方法。在一具体实施方式中，该器件包括硅衬底；形成在衬底上的第一导电类型的第一接触层；形成在第一接触层上的第一电极和耦合腔结构；所述耦合腔结构包括形成在第一接触层上的下波导光限制层和III‑V族量子点有源层，以及形成在量子点有源层上的第一脊型波导和第二脊型波导以及其间的隔离槽，每一脊型波导包括依次形成的上波导光限制层、第二导电类型的第二接触层和第二电极。该实施方式工艺简单，避免了使用传统分布式反馈激光器的布拉格光栅和二次外延技术，可实现较大的激光阵列波长覆盖范围，适用于低成本大规模硅光集成芯片生产。
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公开(公告)号：CN115498034A
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202211118526.0
申请日：2022-09-13
Applicant: 北京无线电测量研究所
IPC: H01L29/778 , H01L29/40 , H01L21/335
Abstract: 本发明实施例公开了一种GaN HEMT器件及其制备方法。在一具体实施方式中，包括缓冲层；在缓冲层上方形成的GaN沟道层；在GaN沟道层上方形成的势垒层；在势垒层上方形成的栅极、源极和漏极；第一钝化层，其形成在栅极和漏极之间的区域以及栅极和源极之间的区域中；以及栅极场板，其电连接到栅极并形成在第一钝化层上方，该栅极场板上形成有图形化开孔。该实施方式通过图形化的场板结构，直接控制场板产生电场的强度大小、强度的均匀性和面积大小，能够平均峰值电场；同时也可以最大面积上抑制虚栅形成，有利于器件更稳定工作；而且可以有效提升场板金属的制程良率，也可以降低贵金属的使用量，降低生产成本。
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公开(公告)号：CN114709182A
公开(公告)日：2022-07-05
申请号：CN202210329272.0
申请日：2022-03-30
Applicant: 北京无线电测量研究所
IPC: H01L23/373 , H01L29/06 , H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本发明涉及半导体器件技术领域，具体而言，涉及一种GaN HEMT器件的散热结构及其制备方法。该结构的外延片的正面设有GaN HEMT晶圆结构，外延片包括外延结构和衬底，GaN HEMT晶圆结构固定于外延结构的正面，衬底固定在外延结构的背面；衬底上开设有多个直径为2μm～200μm的深孔结构，每个深孔结构内填充有高导热材料。该方法先在外延结构上面制作GaNHEMT晶圆结构，再在衬底的背面刻蚀深孔结构，并在深孔结构中填充高导热材料。该散热结构具有优异的散热效果，使GaN HEMT能够充分发挥大功率性能优势，而且具有很长的寿命。该方法对晶圆结构不产生影响，与常规工艺具有良好的兼容性，大幅度降低了制作成本。
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公开(公告)号：CN116631859B
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202310905373.2
申请日：2023-07-24
Applicant: 北京无线电测量研究所
IPC: H01L21/28 , H01L29/423
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件的T型栅及其制备方法，所述方法包括：在外延片上设置表面钝化层和牺牲层；在牺牲层的表面涂敷光刻胶，采用i‑line光刻工艺制备出光刻胶线条图形；刻蚀去除未被光刻胶线条图形覆盖的牺牲层，并侧向刻蚀被光刻胶线条图形覆盖的牺牲层，获得线宽缩小的牺牲层线条图形；在牺牲层线条图形上设置平坦化层；对平坦化层进行一致性去除，暴露出牺牲层线条图形；刻蚀去除牺牲层线条图形，形成线条图形窗口；利用线条图形窗口作为掩模，对表面钝化层进行刻蚀形成栅脚图形窗口；采用i‑line光刻工艺光刻出栅帽图形窗口，形成T型栅的图形窗口；在T型栅的图形窗口内沉积栅极金属层，形成T型栅。本发明能够降低制备成本，提高制备效率。
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