公开(公告)号：CN116631859A

公开(公告)日：2023-08-22

申请号：CN202310905373.2

申请日：2023-07-24

Applicant: 北京无线电测量研究所

Inventor： 董鹏 ,  边旭明 ,  廖梦雅 ,  徐浩 ,  杨云畅 ,  曹佳 ,  王琦

IPC: H01L21/28 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件的T型栅及其制备方法，所述方法包括：在外延片上设置表面钝化层和牺牲层；在牺牲层的表面涂敷光刻胶，采用i‑line光刻工艺制备出光刻胶线条图形；刻蚀去除未被光刻胶线条图形覆盖的牺牲层，并侧向刻蚀被光刻胶线条图形覆盖的牺牲层，获得线宽缩小的牺牲层线条图形；在牺牲层线条图形上设置平坦化层；对平坦化层进行一致性去除，暴露出牺牲层线条图形；刻蚀去除牺牲层线条图形，形成线条图形窗口；利用线条图形窗口作为掩模，对表面钝化层进行刻蚀形成栅脚图形窗口；采用i‑line光刻工艺光刻出栅帽图形窗口，形成T型栅的图形窗口；在T型栅的图形窗口内沉积栅极金属层，形成T型栅。本发明能够降低制备成本，提高制备效率。

公开(公告)号：CN116631859B

公开(公告)日：2023-10-20

申请号：CN202310905373.2

申请日：2023-07-24

Applicant: 北京无线电测量研究所

Inventor： 董鹏 ,  边旭明 ,  廖梦雅 ,  徐浩 ,  杨云畅 ,  曹佳 ,  王琦

IPC: H01L21/28 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件的T型栅及其制备方法，所述方法包括：在外延片上设置表面钝化层和牺牲层；在牺牲层的表面涂敷光刻胶，采用i‑line光刻工艺制备出光刻胶线条图形；刻蚀去除未被光刻胶线条图形覆盖的牺牲层，并侧向刻蚀被光刻胶线条图形覆盖的牺牲层，获得线宽缩小的牺牲层线条图形；在牺牲层线条图形上设置平坦化层；对平坦化层进行一致性去除，暴露出牺牲层线条图形；刻蚀去除牺牲层线条图形，形成线条图形窗口；利用线条图形窗口作为掩模，对表面钝化层进行刻蚀形成栅脚图形窗口；采用i‑line光刻工艺光刻出栅帽图形窗口，形成T型栅的图形窗口；在T型栅的图形窗口内沉积栅极金属层，形成T型栅。本发明能够降低制备成本，提高制备效率。

公开(公告)号：CN115912054A

公开(公告)日：2023-04-04

申请号：CN202211395786.2

申请日：2022-11-09

Applicant: 北京无线电测量研究所

Inventor： 廖梦雅 ,  董鹏 ,  边旭明 ,  徐浩 ,  曹佳 ,  王琦

IPC: H01S5/22 ,  H01S5/30 ,  H01S5/34 ,  H01S5/40 ,  H01S5/02 ,  H01S5/026 ,  H01S5/028 ,  H01S5/065 ,  H01S5/10

Abstract: 本发明实施例公开了一种硅基FP激光器件、集成可调谐激光器及其制备方法。在一具体实施方式中，该器件包括硅衬底；形成在衬底上的第一导电类型的第一接触层；形成在第一接触层上的第一电极和耦合腔结构；所述耦合腔结构包括形成在第一接触层上的下波导光限制层和III‑V族量子点有源层，以及形成在量子点有源层上的第一脊型波导和第二脊型波导以及其间的隔离槽，每一脊型波导包括依次形成的上波导光限制层、第二导电类型的第二接触层和第二电极。该实施方式工艺简单，避免了使用传统分布式反馈激光器的布拉格光栅和二次外延技术，可实现较大的激光阵列波长覆盖范围，适用于低成本大规模硅光集成芯片生产。