公开(公告)号：CN118763124A

公开(公告)日：2024-10-11

申请号：CN202410738118.8

申请日：2024-06-07

Applicant: 北京微电子技术研究所 ,  北京时代民芯科技有限公司

Inventor： 王立昊 ,  方星宇 ,  赵元富 ,  王亮 ,  董涛 ,  张建鹏

IPC: H01L29/808 ,  H01L21/337 ,  H01L23/552

Abstract: 一种抗辐射加固的SiC超结JFET结构及制备方法，从下至上依次为：漏极金属化层、N+衬底层、N缓冲层、P柱区、N柱区、P‑base区、电流扩展区、N+源区、P+栅区、隔离介质层、栅极金属化层、源极金属化层。P柱区与N柱区交替排列于N缓冲层上表面，P柱区左右对称设置，N柱区设置在两个P柱区之间。P柱区、P‑base区两者组成一个P型掺杂区整体，并与源极金属化层连接。P+栅区与P‑base区之间形成导电沟道结构，通过控制P+栅区上的电压实现沟道的开通和关断。本发明有效解决了器件内部由高能带电粒子轰击导致的电场集中问题，降低了局部高温，极大提高了SiC JFET的抗单粒子辐射能力。

公开(公告)号：CN118763110A

公开(公告)日：2024-10-11

申请号：CN202410738115.4

申请日：2024-06-07

Applicant: 北京微电子技术研究所 ,  北京时代民芯科技有限公司

Inventor： 王立昊 ,  方星宇 ,  赵元富 ,  王亮 ,  董涛 ,  毕潇

IPC: H01L29/78 ,  H01L23/552 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明提供一种抗单粒子栅穿的SiC MOSFET及制备方法，从下到上依次包括：漏极金属化层、N+衬底层、N‑漂移区、电流扩展区、P‑well区、第二N+源区、第二P‑base区、第一P‑base区、第一N+源区、栅氧、多晶硅栅、隔离氧、源极金属化层；所述第一N+源区、第二N+源区、P‑well区与源极金属化层接触；所述第二N+源区将沟槽栅氧的底部、两个拐角、一个侧壁包围；所述第二N+源区被P‑well区、第二P‑base区屏蔽，与电流扩展区、N‑漂移区隔离。本发明有效抑制了高能带电粒子辐射导致的栅氧强电场，极大提高了沟槽型SiC MOSFET的抗单粒子栅穿能力。

公开(公告)号：CN118571936A

公开(公告)日：2024-08-30

申请号：CN202410723612.7

申请日：2024-06-05

Applicant: 北京微电子技术研究所 ,  北京时代民芯科技有限公司

Inventor： 王立昊 ,  方星宇 ,  赵元富 ,  王亮 ,  董涛 ,  张建鹏

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/36

Abstract: 本发明涉及一种碳化硅场效应晶体管结构，属于功率半导体技术领域；包括漏极金属电极、N+衬底区、第一N‑漂移区、埋置P区、埋置N+区、埋置多晶硅、隔离介质层、第二N‑漂移区、P‑base区、N+源区、源极金属电极、栅极多晶硅和栅极氧化层；埋置N+区、隔离介质层横向交替设置在第一N‑漂移区与第二N‑漂移区之间，其中埋置N+区作为连接两者的导电通道；“U”型分布的埋置P区位于隔离介质层下方，内部设置有与源极金属电极相连接的埋置多晶硅。本发明结构有效降低了由于高能带电粒子轰击引起的栅极氧化层强电场，大幅提升了碳化硅场效应晶体管的抗单粒子辐射能力。

公开(公告)号：CN118538777A

公开(公告)日：2024-08-23

申请号：CN202410723610.8

申请日：2024-06-05

Applicant: 北京微电子技术研究所 ,  北京时代民芯科技有限公司

Inventor： 王立昊 ,  方星宇 ,  赵元富 ,  王亮 ,  戚晓伟 ,  董涛

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/06 ,  H01L29/36

Abstract: 本发明涉及一种碳化硅结势垒肖特基二极管结构，属于功率半导体技术领域；包括底部的阴极金属层、N+衬底层、N型缓冲层、第一N‑外延层、内置P型区、内置多晶硅、N+注入区、隔离介质层、第二N‑外延层、P+区、肖特基接触层、欧姆接触层以及顶部的阳极金属层；第一N‑外延层位于第二N‑外延层下方，在两者的交界处设置N+注入区和隔离介质层；U型分布的内置P型区位于隔离介质层下方，内部设置与阳极金属层相连的内置多晶硅。本发明二极管结构在截止状态具有更小的泄漏电流，同时有效降低了由于高能粒子辐射导致的泄漏电流增大，改善了肖特基结处的强电场分布，大幅提升了碳化硅结势垒肖特基二极管的抗单粒子烧毁能力。

公开(公告)号：CN116885011A

公开(公告)日：2023-10-13

申请号：CN202310798197.7

申请日：2023-06-30

Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 ,  北京微电子技术研究所

Inventor： 方星宇 ,  舒磊 ,  王亚坤 ,  李同德 ,  王亮 ,  张彦龙 ,  朱永钦 ,  杜芊 ,  鲍一豪 ,  刘智超

IPC: H01L29/808 ,  H01L21/337 ,  H01L29/16

Abstract: 本发明一种抗单粒子烧毁的高压沟槽型SiC JFET器件结构和制备方法，所述新型抗单粒子烧毁的沟槽型SiC JFET结构的元胞包括：漏极金属电极、N+衬底区、N‑漂移区、栅极金属电极、栅极沟槽底部和侧壁离子注入形成的P型掺杂区、电流扩展层、N+源区以及与源区相连的源极金属电极。其中，P型掺杂区整体与栅极相连，其内部由不同掺杂浓度的P型区域构成，重掺杂区域位于栅极沟槽拐角处。该结构改善了器件内部的电场分布，可有效缓解重离子入射引发的器件内部局部高温情况，具有较强的抗单粒子烧毁能力。同时，该结构可于漂移区额外添加缓冲层，进一步提高器件的抗单粒子烧毁能力。