公开(公告)号：CN118538777A

公开(公告)日：2024-08-23

申请号：CN202410723610.8

申请日：2024-06-05

Applicant: 北京微电子技术研究所 ,  北京时代民芯科技有限公司

Inventor： 王立昊 ,  方星宇 ,  赵元富 ,  王亮 ,  戚晓伟 ,  董涛

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/06 ,  H01L29/36

Abstract: 本发明涉及一种碳化硅结势垒肖特基二极管结构，属于功率半导体技术领域；包括底部的阴极金属层、N+衬底层、N型缓冲层、第一N‑外延层、内置P型区、内置多晶硅、N+注入区、隔离介质层、第二N‑外延层、P+区、肖特基接触层、欧姆接触层以及顶部的阳极金属层；第一N‑外延层位于第二N‑外延层下方，在两者的交界处设置N+注入区和隔离介质层；U型分布的内置P型区位于隔离介质层下方，内部设置与阳极金属层相连的内置多晶硅。本发明二极管结构在截止状态具有更小的泄漏电流，同时有效降低了由于高能粒子辐射导致的泄漏电流增大，改善了肖特基结处的强电场分布，大幅提升了碳化硅结势垒肖特基二极管的抗单粒子烧毁能力。