数据降维方法、画像构建方法及系统、可读存储介质

    公开(公告)号:CN110991470B

    公开(公告)日:2022-04-15

    申请号:CN201910592441.8

    申请日:2019-07-03

    Abstract: 本发明提供的数据降维方法、画像构建方法及系统、可读存储介质,其中的数据降维方法中,采用如下步骤:(1)确定映射关系;(2)定义核函数和核矩阵;(3)构造拉格朗日函数;(4)计算比例系数;(5)得到降维时的投影向量,从而实现数据降维;(6)得降维后的数据样本和;(7)计算样本中和的关联程度;(8)计算任意节点的传播能力;(9)计算节点的度,并构建了复杂网络。本发明采用了将复杂网络(CN)与核典型关联分析(KCCA)的方式,融合了二者的优势,弥补了各自的不足之处,采用数据降维等大数据分析方法,剔除了冗余数据,并着重考虑了系统间的关联性。采用本发明提供的以上技术方案,建立企业安全生产画像构建方法是有效的,为我国各企业调整产业结构、强化监管工作重点提供了准确的分析依据。

    一种导模光电探测器
    7.
    发明授权

    公开(公告)号:CN113284964B

    公开(公告)日:2022-06-24

    申请号:CN202110438858.6

    申请日:2021-04-22

    Abstract: 本申请实施例提供一种导模光电探测器。其中,导模光电探测器包括:光波导结构,包括芯层和包裹芯层的包层,芯层延第一方向延伸预设距离,芯层的第一端用于接收目标入射光;目标入射光进入光波导结构后以导模光的形式沿第一方向传播;P型欧姆接触区和N型欧姆接触区,为芯层两侧的掺杂部分,均沿第一方向延伸;以及,P型电极和N型电极,沿第一方向延伸,并且P型电极与P型欧姆接触区的侧面贴合,N型电极与N型欧姆接触区的侧面贴合,用于收集目标入射光与芯层相互作用所产生的光生载流子。通过本方案可以解决现有光电探测器对波长接近光电探测器半导体材料禁带宽度的目标入射光的探测效率低的问题。

    输出状态稳定可控的多缺陷一维光子晶体全光开关的实现方法

    公开(公告)号:CN101598883B

    公开(公告)日:2011-06-22

    申请号:CN200910087698.4

    申请日:2009-07-03

    Abstract: 本发明涉及一种输出状态稳定可控的多缺陷一维光子晶体全光开关的实现方法,本发明设计了一种一维光子晶体级联结构,在周期性排列的线性介质层中加入具有较高非线性系数的非线性材料,利用引入多缺陷结构而产生的宽带缺陷模和窄带缺陷模来实现光开关效应,并同时实现泵浦光对非线性介质折射率的稳定控制,解决了全光开关设计中所存在的输出状态不易稳定控制的难题,从而得到实现性能稳定、响应时间快的全光开关,为未来全光通信网络、光计算机等领域提供了一种可实现全光开关的方法。

    一种叉指型导模光电探测器

    公开(公告)号:CN113284963B

    公开(公告)日:2021-12-03

    申请号:CN202110438832.1

    申请日:2021-04-22

    Abstract: 本申请实施例提供一种叉指型导模光电探测器。其中,探测器包括光波导结构,包括芯层和包裹芯层的包层,芯层沿第一方向延伸预设距离,芯层的第一端用于接收目标入射光;多个P型欧姆接触区和多个N型欧姆接触区,为芯层顶部的掺杂部分,均沿垂直于第一方向的第二方向延伸,且沿第一方向交替排列;以及,P型和N型电极,沿第一方向延伸;P型电极设有并列的多个第一枝节,每一个第一枝节与一个P型欧姆接触区贴合;N型电极设有并列的多个第二枝节,每一个第二枝节与一个N型欧姆接触区贴合。通过本方案可以解决现有光电探测器对波长接近光电探测器半导体材料禁带宽度的目标入射光的探测效率低的问题。

    一种导模光电探测器
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN113284964A

    公开(公告)日:2021-08-20

    申请号:CN202110438858.6

    申请日:2021-04-22

    Abstract: 本申请实施例提供一种导模光电探测器。其中,导模光电探测器包括:光波导结构,包括芯层和包裹芯层的包层,芯层延第一方向延伸预设距离,芯层的第一端用于接收目标入射光;目标入射光进入光波导结构后以导模光的形式沿第一方向传播;P型欧姆接触区和N型欧姆接触区,为芯层两侧的掺杂部分,均沿第一方向延伸;以及,P型电极和N型电极,沿第一方向延伸,并且P型电极与P型欧姆接触区的侧面贴合,N型电极与N型欧姆接触区的侧面贴合,用于收集目标入射光与芯层相互作用所产生的光生载流子。通过本方案可以解决现有光电探测器对波长接近光电探测器半导体材料禁带宽度的目标入射光的探测效率低的问题。

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