公开(公告)号：CN113284964B

公开(公告)日：2022-06-24

申请号：CN202110438858.6

申请日：2021-04-22

Applicant: 北京邮电大学

Inventor： 胡成日 ,  陈年域 ,  王博 ,  刘巧莉 ,  胡安琪 ,  郭霞

IPC: H01L31/0232 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/09 ,  H01L31/18

Abstract: 本申请实施例提供一种导模光电探测器。其中，导模光电探测器包括：光波导结构，包括芯层和包裹芯层的包层，芯层延第一方向延伸预设距离，芯层的第一端用于接收目标入射光；目标入射光进入光波导结构后以导模光的形式沿第一方向传播；P型欧姆接触区和N型欧姆接触区，为芯层两侧的掺杂部分，均沿第一方向延伸；以及，P型电极和N型电极，沿第一方向延伸，并且P型电极与P型欧姆接触区的侧面贴合，N型电极与N型欧姆接触区的侧面贴合，用于收集目标入射光与芯层相互作用所产生的光生载流子。通过本方案可以解决现有光电探测器对波长接近光电探测器半导体材料禁带宽度的目标入射光的探测效率低的问题。

公开(公告)号：CN113284963B

公开(公告)日：2021-12-03

申请号：CN202110438832.1

申请日：2021-04-22

Applicant: 北京邮电大学

Inventor： 胡成日 ,  陈年域 ,  王博 ,  刘巧莉 ,  胡安琪 ,  郭霞

IPC: H01L31/0232 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/09 ,  H01L31/18

Abstract: 本申请实施例提供一种叉指型导模光电探测器。其中，探测器包括光波导结构，包括芯层和包裹芯层的包层，芯层沿第一方向延伸预设距离，芯层的第一端用于接收目标入射光；多个P型欧姆接触区和多个N型欧姆接触区，为芯层顶部的掺杂部分，均沿垂直于第一方向的第二方向延伸，且沿第一方向交替排列；以及，P型和N型电极，沿第一方向延伸；P型电极设有并列的多个第一枝节，每一个第一枝节与一个P型欧姆接触区贴合；N型电极设有并列的多个第二枝节，每一个第二枝节与一个N型欧姆接触区贴合。通过本方案可以解决现有光电探测器对波长接近光电探测器半导体材料禁带宽度的目标入射光的探测效率低的问题。

公开(公告)号：CN113284964A

公开(公告)日：2021-08-20

申请号：CN202110438858.6

申请日：2021-04-22

Applicant: 北京邮电大学

Inventor： 胡成日 ,  陈年域 ,  王博 ,  刘巧莉 ,  胡安琪 ,  郭霞

IPC: H01L31/0232 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/09 ,  H01L31/18

Abstract: 本申请实施例提供一种导模光电探测器。其中，导模光电探测器包括：光波导结构，包括芯层和包裹芯层的包层，芯层延第一方向延伸预设距离，芯层的第一端用于接收目标入射光；目标入射光进入光波导结构后以导模光的形式沿第一方向传播；P型欧姆接触区和N型欧姆接触区，为芯层两侧的掺杂部分，均沿第一方向延伸；以及，P型电极和N型电极，沿第一方向延伸，并且P型电极与P型欧姆接触区的侧面贴合，N型电极与N型欧姆接触区的侧面贴合，用于收集目标入射光与芯层相互作用所产生的光生载流子。通过本方案可以解决现有光电探测器对波长接近光电探测器半导体材料禁带宽度的目标入射光的探测效率低的问题。

公开(公告)号：CN116936654A

公开(公告)日：2023-10-24

申请号：CN202210335988.1

申请日：2022-03-31

Applicant: 北京邮电大学

Inventor： 刘巧莉 ,  陈年域 ,  胡安琪 ,  郭霞

IPC: H01L31/0232 ,  H01L31/105 ,  H01L31/107 ,  H01L31/18

Abstract: 本申请提供一种硅基集成光电探测器及其制备方法，包括硅光波导、波长转换波导和硅光电探测器，硅光波导用于接收并传输入射光，入射光其波长大于1100nm；波长转换波导设置于硅光波导的后方，用于波长下转换，将入射光转换为波长小于1100nm的转换光；硅光电探测器设置于波长转换波导的后方，用于将接收到的光信号转换为电信号。该结构可实现通信波段硅基集成光电探测，且由于硅材料晶格完整，探测的灵敏度高。

公开(公告)号：CN116936653A

公开(公告)日：2023-10-24

申请号：CN202210333941.1

申请日：2022-03-31

Applicant: 北京邮电大学

Inventor： 刘巧莉 ,  陈年域 ,  胡安琪 ,  郭霞

IPC: H01L31/0232 ,  H01L31/107 ,  H01L31/18

Abstract: 本申请提供一种片上集成硅单光子探测器及其制备方法，该片上集成硅单光子探测器包括氮化硅波导和硅导模探测器，氮化硅波导用于接收并传输入射光，入射光的波长为300nm‑1100nm；硅导模探测器的长度方向与氮化硅波导内的光传输方向一致，硅导模探测器的宽度方向与硅导模探测器通电时硅导模探测器内的电流方向一致；硅导模探测器与氮化硅波导间隔设置，且氮化硅波导位于硅导模探测器高度方向的上部，硅导模探测器用于接收氮化硅波导耦合来的入射光，以及当硅导模探测器通电时，用于将入射光转换为电信号。该片上集成硅单光子探测器解决了因硅材料对接近1100nm处的近红外光吸收系数小导致的探测效率低的技术问题。

公开(公告)号：CN113284963A

公开(公告)日：2021-08-20

申请号：CN202110438832.1

申请日：2021-04-22

Applicant: 北京邮电大学

Inventor： 胡成日 ,  陈年域 ,  王博 ,  刘巧莉 ,  胡安琪 ,  郭霞

IPC: H01L31/0232 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/09 ,  H01L31/18

Abstract: 本申请实施例提供一种叉指型导模光电探测器。其中，探测器包括光波导结构，包括芯层和包裹芯层的包层，芯层延第一方向延伸预设距离，芯层的第一端用于接收目标入射光；多个P型欧姆接触区和多个N型欧姆接触区，为芯层顶部的掺杂部分，均沿垂直于第一方向的第二方向延伸，且沿第一方向交替排列；以及，P型和N型电极，沿第一方向延伸；P型电极设有并列的多个第一枝节，每一个第一枝节与一个P型欧姆接触区贴合；N型电极设有并列的多个第二枝节，每一个第二枝节与一个N型欧姆接触区贴合。通过本方案可以解决现有光电探测器对波长接近光电探测器半导体材料禁带宽度的目标入射光的探测效率低的问题。