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公开(公告)号：CN119596424A
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN202510095331.6
申请日：2025-01-21
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种片上集成超构表面的功率分束器，该分束器是用半导体平面化工艺在背发射垂直腔面发射激光器VCSEL的衬底面上制备偏振不敏感的圆柱形超构表面，从而实现功率分束的功能。VCSEL发射的激光经过超构表面后被分裂成两束光，分别投射在相邻衍射级次上，且相邻衍射级的能量比是可调控的。所提出的片上集成功率分束器不仅可以有效减小光学器件的体积，还能实现分束器与激光器的精确对准，保证光束投射角度的正确性。
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公开(公告)号：CN118510371A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410117632.X
申请日：2024-01-28
Applicant: 北京工业大学
IPC: H10N50/10
Abstract: 一种多量子阱结构共振隧穿铁电隧道结属于微电子与集成电路存储器技术领域。本发明从上到下叠层结构依次为：上电极(1)、铁电势垒层(2)、多量子阱层(3)及下电极(4)；其中，多量子阱层(3)包括第一量子阱(31)、第二量子阱(32)、…、第N量子阱(3N)，共N个量子阱，且N为大于1的整数；其中，第n个量子阱包括一个第n势阱层(3n1)和一个第n势垒层(3n2)，且1≤n≤N。这种多量子阱结构克服了开态电流与TER比值的优化冲突，可同时提高开态电流与TER比值，实现低功耗、多阻态的铁电隧道结，有利于实现大规模阵列电路及其存算一体化应用。
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公开(公告)号：CN116073233A
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202310198087.7
申请日：2023-03-03
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明提供了一种携带多通道轨道角动量的光束生成芯片的制备方法，包括：获取双面抛光的倒装980nm垂直腔面发射激光器的外延结构；基于垂直腔面发射激光器二维平面易于集成特性，通过电子束曝光和ICP刻蚀工艺在所述外延结构的衬底端面集成偏振不敏感的圆形纳米柱结构，以控制所述垂直腔面发射激光器的相位。本发明能够实现片上OAM模式的定向生成和携带多通道OAM模式的光束生成，解决传统的OAM生成装置结构复杂，体积大、可靠性低、不易操作等问题。
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公开(公告)号：CN115776042A
公开(公告)日：2023-03-10
申请号：CN202211690824.7
申请日：2022-12-27
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种扩锌的电流扩展层的VCSEL耦合阵列结构及工艺，属于半导体激光器技术领域。本发明通过刻、溅射、剥离、PECVD、ICP等工艺制备了含Zn/Ti/Au的电流扩展层的VCSEL。它解决了VCSEL同相耦合阵列的输出功率不够大的问题。
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公开(公告)号：CN116345306A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202310198072.0
申请日：2023-03-03
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种片上生成矢量光束的垂直腔面发射激光器及制作方法，涉及微纳结构及半导体激光器技术领域，其结构主要包括欧姆接触保护电极、周期交替生长的上分布布拉格反射镜、电流限制氧化孔、氧化限制层；有源区、周期性交替生长的下分布布拉格反射镜、GaAs衬底层、P型金属电极层、钝化层、BCB固化绝缘层、N型金属电极层、出光孔和超构表面。本发明通过常规的半导体加工工艺，能够容易地在垂直腔面发射激光器出光端面集成双折射方形纳米柱结构，在芯片级上实现矢量光束的生成与操控；所开发的方法为VCSEL平台实现定制矢量光束铺平了道路，解决了传统的矢量光束生成装置结构复杂，体积大、效率低、不易操作等问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119310041A
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202411394959.8
申请日：2024-10-08
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种微环谐振器结构的光学生物传感器，包括：波导夹层结构、直通端狭缝波导、下载端狭缝波导、狭缝微环以及衬底层；波导夹层结构、直通端狭缝波导、下载端狭缝波导以及狭缝微环设置于衬底层上方；直通端狭缝波导设置于狭缝微环的一侧，下载端狭缝波导设置于狭缝微环的另一侧；波导夹层结构设置于直通端狭缝波导、下载端狭缝波导和狭缝微环的内部；波导夹层结构与直通端狭缝波导、下载端狭缝波导和狭缝微环构成的夹层狭缝波导结构能够实现波导的单模传输；波导夹层结构与直通端狭缝波导、下载端狭缝波导和狭缝微环构成的微环谐振器能够实现临界耦合，本发明用于解决光学生物传感器灵敏度低的问题。
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公开(公告)号：CN119009673A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202411073519.2
申请日：2024-08-06
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种幅度相位联合调制编码超表面垂直腔面发射激光器，由垂直腔面发射激光器(Vertical‑Cavity Surface‑Emitting Laser，VCSEL)和幅度相位联合调制超表面两部分组成。通过在VCSEL的出光口制备高质量纳米光学超表面结构，实现超表面与VCSEL激光器的一体化设计。通过调整超表面单元旋转角度和几何尺寸，能够同时对透射激光的相位和幅度的准确调控，且相位与幅度相互独立。通过合理设计超表面的相位和幅度响应分布，可以激光器背出射面实现多平面高质量全息成像，有效地推进集成式超表面激光器的发展，提高了超表面激光器对激光的有效控制，在无线通信、雷达、成像、信号处理等领域都有重要的应用前景。
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公开(公告)号：CN116147766A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202211691923.7
申请日：2022-12-27
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种覆盖parylene提升传感芯片灵敏度及重复利用的方法，采用nacl溶液进行实验测试，通过生长parylene前后分别测试两次，通过比较两次数据可以得到生长parylene对传感芯片的影响，并且，在生长parylene后的VCSEL传感芯片上，通过测试去除parylene前后的数据对比可以得到parylene是否完全去除，同理，在生长parylene的传感芯片上测试其他生物试剂，也可以通过去除parylene达到重复利用。该方法操作简单，成本低，有很大的应用潜力。
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公开(公告)号：CN119947117A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202510013672.4
申请日：2025-01-06
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种面向高密度三维存储集成的垂直圆柱壳结构铁电薄膜拓扑畴壁存储器件属于微电子与集成电路存储器技术领域。从里到外叠层结构依次为：内电极(1)、铁电势垒层(2)及外电极(3)；内电极(1)和外电极(3)采用金属材料或半导体材料，内电极的半径在几纳米至500纳米之间；铁电势垒层(2)采用铁电材料，厚度在1nm到几十纳米之间；垂直圆柱壳的高度在几纳米至微米之间。该器件可以形成稳定的中心四重铁电极化拓扑畴结构，并且可以在收敛状态和发散状态之间切换，其中的带电拓扑畴壁呈现出巨隧穿电致电阻(TER)效应，可实现低功耗、高开关比、非破坏性读取的畴壁铁电隧道结；该器件结构可实现三维阵列集成，提高存储密度。
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公开(公告)号：CN119401130A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202411611874.0
申请日：2024-11-13
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种透光2bit可编程反射式共形编码超表面，实现曲面共形有源超表面天线的波束扫描，包括一层透明介质基板，两层涤纶树脂层，介质基板夹于两层涤纶树脂层中间，矩形金属贴片和金属馈线印刷在第一涤纶树脂层上下两侧，在表面金属贴片上集成有变容二极管，第二涤纶树脂层上侧印刷有线形金属地板。本发明中提出的透光2bit可编程反射式共形编码超表面具有透光率高和易共形的特点，便于加载在建筑外部、飞机机身、卫星以及其他具有曲面结构的部位，也可以应用于窗户等要求透光的场景；通过调控单元表面集成的变容二极管两端电压改变其容值，从而获得不同的相位响应，从而实现波束扫描功能，可应用于曲面载体平台的通信系统。
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