公开(公告)号：CN119947117A

公开(公告)日：2025-05-06

申请号：CN202510013672.4

申请日：2025-01-06

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 常鹏鹰 ,  郭子硕 ,  苏金宝 ,  张欢 ,  包蕾 ,  解意洋

IPC: H10B51/30 ,  H10B51/40 ,  H10B51/50

Abstract: 一种面向高密度三维存储集成的垂直圆柱壳结构铁电薄膜拓扑畴壁存储器件属于微电子与集成电路存储器技术领域。从里到外叠层结构依次为：内电极(1)、铁电势垒层(2)及外电极(3)；内电极(1)和外电极(3)采用金属材料或半导体材料，内电极的半径在几纳米至500纳米之间；铁电势垒层(2)采用铁电材料，厚度在1nm到几十纳米之间；垂直圆柱壳的高度在几纳米至微米之间。该器件可以形成稳定的中心四重铁电极化拓扑畴结构，并且可以在收敛状态和发散状态之间切换，其中的带电拓扑畴壁呈现出巨隧穿电致电阻(TER)效应，可实现低功耗、高开关比、非破坏性读取的畴壁铁电隧道结；该器件结构可实现三维阵列集成，提高存储密度。