Patent search ap:("北京工业大学") AND inv:"袁江缘" Page 1

1.

发明公开
一种扩锌的电流扩展层的VCSEL耦合阵列结构及工艺审中-实审

公开(公告)号：CN115776042A

公开(公告)日：2023-03-10

申请号：CN202211690824.7

申请日：2022-12-27

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 徐晨 , 袁江缘 , 解意洋 , 傅攀 , 包蕾 , 常鹏鹰

IPC: H01S5/183 , H01S5/42 , H01S5/042

Abstract: 本发明公开了一种扩锌的电流扩展层的VCSEL耦合阵列结构及工艺，属于半导体激光器技术领域。本发明通过刻、溅射、剥离、PECVD、ICP等工艺制备了含Zn/Ti/Au的电流扩展层的VCSEL。它解决了VCSEL同相耦合阵列的输出功率不够大的问题。

Patent Agency Ranking