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公开(公告)号：CN118226409A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202410277714.0
申请日：2024-03-12
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01S7/481
Abstract: 本发明公开了一种基于集成超表面VCSEL的光束扫描系统，包括控制电路和集成超表面VCSEL芯片。所述集成超表面VCSEL芯片为阵列单元上集成超表面的VCSEL芯片。所述控制电路与集成超表面VCSEL芯片连接，通过控制电路控制集成超表面VCSEL芯片出射激光，出射激光经由集成超表面VCSEL芯片的阵列单元上的超表面偏转实现光束扫描。每个阵列单元均设计对应偏转角度的超表面来实现光束偏转，并最终由FPGA开发板进行自定义控制。可以实现激光雷达所需的大角度扫描。
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公开(公告)号：CN116345306A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202310198072.0
申请日：2023-03-03
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种片上生成矢量光束的垂直腔面发射激光器及制作方法，涉及微纳结构及半导体激光器技术领域，其结构主要包括欧姆接触保护电极、周期交替生长的上分布布拉格反射镜、电流限制氧化孔、氧化限制层；有源区、周期性交替生长的下分布布拉格反射镜、GaAs衬底层、P型金属电极层、钝化层、BCB固化绝缘层、N型金属电极层、出光孔和超构表面。本发明通过常规的半导体加工工艺，能够容易地在垂直腔面发射激光器出光端面集成双折射方形纳米柱结构，在芯片级上实现矢量光束的生成与操控；所开发的方法为VCSEL平台实现定制矢量光束铺平了道路，解决了传统的矢量光束生成装置结构复杂，体积大、效率低、不易操作等问题。
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公开(公告)号：CN119596424A
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN202510095331.6
申请日：2025-01-21
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种片上集成超构表面的功率分束器，该分束器是用半导体平面化工艺在背发射垂直腔面发射激光器VCSEL的衬底面上制备偏振不敏感的圆柱形超构表面，从而实现功率分束的功能。VCSEL发射的激光经过超构表面后被分裂成两束光，分别投射在相邻衍射级次上，且相邻衍射级的能量比是可调控的。所提出的片上集成功率分束器不仅可以有效减小光学器件的体积，还能实现分束器与激光器的精确对准，保证光束投射角度的正确性。
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公开(公告)号：CN116073233A
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202310198087.7
申请日：2023-03-03
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明提供了一种携带多通道轨道角动量的光束生成芯片的制备方法，包括：获取双面抛光的倒装980nm垂直腔面发射激光器的外延结构；基于垂直腔面发射激光器二维平面易于集成特性，通过电子束曝光和ICP刻蚀工艺在所述外延结构的衬底端面集成偏振不敏感的圆形纳米柱结构，以控制所述垂直腔面发射激光器的相位。本发明能够实现片上OAM模式的定向生成和携带多通道OAM模式的光束生成，解决传统的OAM生成装置结构复杂，体积大、可靠性低、不易操作等问题。
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