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公开(公告)号：CN101588018B
公开(公告)日：2011-01-05
申请号：CN200910087713.5
申请日：2009-06-19
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明涉及内腔式多有源区光子晶体垂直腔面发射半导体激光器，属于半导体光电子领域。普通氧化限制性垂直腔面发射半导体激光器多横模激射、单模输出功率低、阈值电流大、串联电阻大等问题。本发明在器件的的有有源区上采用了多有源区结构。同时将缺陷型光子晶体结构引入到垂直腔面发射半导体激光器的上DBR中，通过合理的优化光子晶体周期，空气孔径，刻蚀深度，器件直径，氧化孔径等，得到了单模工作氧化孔径几十微米、单模功率几个毫瓦、串联电阻几十欧姆、边模抑制40分贝以上的内腔式多有源区光子晶体垂直腔面发射半导体面发射激光器。
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公开(公告)号：CN101588019A
公开(公告)日：2009-11-25
申请号：CN200910087714.X
申请日：2009-06-19
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 外腔式多有源区光子晶体垂直腔面发射半导体激光器属于半导体光电子领域。普通的垂直腔面发射半导体激光器存在单程光增益小、多横模激射、单模输出功率低、阈值电流大、串联电阻大等问题。本发明在器件的有有源区上采用了多有源区结构。同时将缺陷型光子晶体结构引入到垂直腔面发射半导体激光器的上DBR中，通过合理的优化光子晶体周期，空气孔径，刻蚀深度，器件直径，氧化孔径等，得到了单模工作氧化孔径几十微米、单模功率几个毫瓦、串联电阻几十欧姆、边模抑制35分贝以上的外腔式多有源区光子晶体垂直腔面发射半导体面发射激光器。
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公开(公告)号：CN102623890A
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：CN201210084753.6
申请日：2012-03-27
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01S5/183
Abstract: 本发明属于光电子领域，是多孔缺陷匹配型光子晶体面发射激光器。依次包括有在衬底上依次生长下DBR，有源区，氧化限制层，上DBR和P型欧姆接触层，氧化限制层设有氧化孔；其特征在于：在上DBR和P型欧姆接触层中刻蚀出光子晶体空气孔制作出多孔缺陷型光子晶体结构，多孔缺陷型光子晶体结构包括光子晶体空气孔以及光子晶体缺陷孔；多孔缺陷型光子晶体结构周期1-3微米，占空比为0.3-0.9，刻蚀深度在1-2微米，同时氧化孔的直径D比光子晶体缺陷孔的直径d大一个光子晶体空气孔直径b，即D＝b+d。本发明使器件工作在低阈值电流、小串联电阻、高单模输出功率状态，应用于氧化限制型光子晶体面发射激光器，不受波长范围影响。
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公开(公告)号：CN102611001A
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN201210084836.5
申请日：2012-03-27
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01S5/183
Abstract: 一种优化光子晶体面发射激光器方法属于半导体光电子技术领域。所述方法在氧化限制型面发射激光器和二维光子晶体横向耦合基础的上将氧化孔径与光子晶体缺陷孔径纵向匹配耦合。通过优化氧化孔径和光子晶体缺陷孔径的关系，制备氧化孔径比光子晶体缺陷孔径大一个光子晶体空气孔直径器件使器件工作在低阈值电流、小串联电阻、高单模输出功率状态。本发明的方法可应用于各种类型材料的氧化限制型光子晶体面发射激光器，不受波长范围影响。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101588018A
公开(公告)日：2009-11-25
申请号：CN200910087713.5
申请日：2009-06-19
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明涉及内腔式多有源区光子晶体垂直腔面发射半导体激光器，属于半导体光电子领域。普通氧化限制性垂直腔面发射半导体激光器多横模激射、单模输出功率低、阈值电流大、串联电阻大等问题。本发明在器件的有有源区上采用了多有源区结构。同时将缺陷型光子晶体结构引入到垂直腔面发射半导体激光器的上DBR中，通过合理的优化光子晶体周期，空气孔径，刻蚀深度，器件直径，氧化孔径等，得到了单模工作氧化孔径几十微米、单模功率几个毫瓦、串联电阻几十欧姆、边模抑制40分贝以上的内腔式多有源区光子晶体垂直腔面发射半导体面发射激光器。
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公开(公告)号：CN119596424A
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN202510095331.6
申请日：2025-01-21
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种片上集成超构表面的功率分束器，该分束器是用半导体平面化工艺在背发射垂直腔面发射激光器VCSEL的衬底面上制备偏振不敏感的圆柱形超构表面，从而实现功率分束的功能。VCSEL发射的激光经过超构表面后被分裂成两束光，分别投射在相邻衍射级次上，且相邻衍射级的能量比是可调控的。所提出的片上集成功率分束器不仅可以有效减小光学器件的体积，还能实现分束器与激光器的精确对准，保证光束投射角度的正确性。
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公开(公告)号：CN101588019B
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN200910087714.X
申请日：2009-06-19
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 外腔式多有源区光子晶体垂直腔面发射半导体激光器属于半导体光电子领域。普通的垂直腔面发射半导体激光器存在单程光增益小、多横模激射、单模输出功率低、阈值电流大、串联电阻大等问题。本发明在器件的的有有源区上采用了多有源区结构。同时将缺陷型光子晶体结构引入到垂直腔面发射半导体激光器的上DBR中，通过合理的优化光子晶体周期，空气孔径，刻蚀深度，器件直径，氧化孔径等，得到了单模工作氧化孔径几十微米、单模功率几个毫瓦、串联电阻几十欧姆、边模抑制35分贝以上的外腔式多有源区光子晶体垂直腔面发射半导体面发射激光器。
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公开(公告)号：CN201435527Y
公开(公告)日：2010-03-31
申请号：CN200920109746.0
申请日：2009-06-26
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 低阈值内腔三有源区光子晶体垂直腔面发射半导体激光器，属于半导体光电子领域。普通氧化限制性垂直腔面发射半导体激光器多横模激射、单模输出功率低、阈值电流大、串联电阻大等问题。本实用新型在器件的有源区上采用了多有源区结构。同时将缺陷型光子晶体结构引入到垂直腔面发射半导体激光器的上DBR中，通过合理的优化光子晶体周期，空气孔径，刻蚀深度，器件直径，氧化孔径等，得到了单模工作氧化孔径几十微米、单模功率几个毫瓦、串联电阻几十欧姆、边模抑制40分贝以上的内腔式多有源区光子晶体垂直腔面发射半导体面发射激光器。
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公开(公告)号：CN201435526Y
公开(公告)日：2010-03-31
申请号：CN200920109744.1
申请日：2009-06-26
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 外腔大功率三有源区光子晶体垂直腔面发射半导体激光器，属于半导体光电子领域。普通的垂直腔面发射半导体激光器存在单程光增益小、多横模激射、单模输出功率低、阈值电流大、串联电阻大等问题。本实用新型在器件的有源区上采用了多有源区结构。同时将缺陷型光子晶体结构引入到垂直腔面发射半导体激光器的上DBR中，通过合理的优化光子晶体周期，空气孔径，刻蚀深度，器件直径，氧化孔径等，得到了单模工作氧化孔径几十微米、单模功率几个毫瓦、串联电阻几十欧姆、边模抑制35分贝以上的外腔式多有源区光子晶体垂直腔面发射半导体面发射激光器。
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