公开(公告)号：CN101588018B

公开(公告)日：2011-01-05

申请号：CN200910087713.5

申请日：2009-06-19

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 徐晨 ,  解意洋 ,  沈光地 ,  陈弘达 ,  阚强 ,  王春霞 ,  刘英明 ,  王宝强

IPC: H01S5/183 ,  H01S5/065 ,  H01S5/06 ,  H01S5/20

Abstract: 本发明涉及内腔式多有源区光子晶体垂直腔面发射半导体激光器，属于半导体光电子领域。普通氧化限制性垂直腔面发射半导体激光器多横模激射、单模输出功率低、阈值电流大、串联电阻大等问题。本发明在器件的的有有源区上采用了多有源区结构。同时将缺陷型光子晶体结构引入到垂直腔面发射半导体激光器的上DBR中，通过合理的优化光子晶体周期，空气孔径，刻蚀深度，器件直径，氧化孔径等，得到了单模工作氧化孔径几十微米、单模功率几个毫瓦、串联电阻几十欧姆、边模抑制40分贝以上的内腔式多有源区光子晶体垂直腔面发射半导体面发射激光器。

公开(公告)号：CN101588019B

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN200910087714.X

申请日：2009-06-19

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 沈光地 ,  徐晨 ,  解意洋 ,  陈弘达 ,  阚强 ,  王春霞 ,  刘英明 ,  王宝强

IPC: H01S5/183 ,  H01S5/065 ,  H01S5/06 ,  H01S5/20

Abstract: 外腔式多有源区光子晶体垂直腔面发射半导体激光器属于半导体光电子领域。普通的垂直腔面发射半导体激光器存在单程光增益小、多横模激射、单模输出功率低、阈值电流大、串联电阻大等问题。本发明在器件的的有有源区上采用了多有源区结构。同时将缺陷型光子晶体结构引入到垂直腔面发射半导体激光器的上DBR中，通过合理的优化光子晶体周期，空气孔径，刻蚀深度，器件直径，氧化孔径等，得到了单模工作氧化孔径几十微米、单模功率几个毫瓦、串联电阻几十欧姆、边模抑制35分贝以上的外腔式多有源区光子晶体垂直腔面发射半导体面发射激光器。

公开(公告)号：CN101588018A

公开(公告)日：2009-11-25

申请号：CN200910087713.5

申请日：2009-06-19

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 徐晨 ,  解意洋 ,  沈光地 ,  陈弘达 ,  阚强 ,  王春霞 ,  刘英明 ,  王宝强

IPC: H01S5/183 ,  H01S5/065 ,  H01S5/06 ,  H01S5/20

Abstract: 本发明涉及内腔式多有源区光子晶体垂直腔面发射半导体激光器，属于半导体光电子领域。普通氧化限制性垂直腔面发射半导体激光器多横模激射、单模输出功率低、阈值电流大、串联电阻大等问题。本发明在器件的有有源区上采用了多有源区结构。同时将缺陷型光子晶体结构引入到垂直腔面发射半导体激光器的上DBR中，通过合理的优化光子晶体周期，空气孔径，刻蚀深度，器件直径，氧化孔径等，得到了单模工作氧化孔径几十微米、单模功率几个毫瓦、串联电阻几十欧姆、边模抑制40分贝以上的内腔式多有源区光子晶体垂直腔面发射半导体面发射激光器。

公开(公告)号：CN101588019A

公开(公告)日：2009-11-25

申请号：CN200910087714.X

申请日：2009-06-19

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 沈光地 ,  徐晨 ,  解意洋 ,  陈弘达 ,  阚强 ,  王春霞 ,  刘英明 ,  王宝强

IPC: H01S5/183 ,  H01S5/065 ,  H01S5/06 ,  H01S5/20

Abstract: 外腔式多有源区光子晶体垂直腔面发射半导体激光器属于半导体光电子领域。普通的垂直腔面发射半导体激光器存在单程光增益小、多横模激射、单模输出功率低、阈值电流大、串联电阻大等问题。本发明在器件的有有源区上采用了多有源区结构。同时将缺陷型光子晶体结构引入到垂直腔面发射半导体激光器的上DBR中，通过合理的优化光子晶体周期，空气孔径，刻蚀深度，器件直径，氧化孔径等，得到了单模工作氧化孔径几十微米、单模功率几个毫瓦、串联电阻几十欧姆、边模抑制35分贝以上的外腔式多有源区光子晶体垂直腔面发射半导体面发射激光器。

公开(公告)号：CN201435527Y

公开(公告)日：2010-03-31

申请号：CN200920109746.0

申请日：2009-06-26

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 徐晨 ,  解意洋 ,  王宝强 ,  刘英明 ,  阚强 ,  王春霞

IPC: H01S5/183 ,  H01S5/06 ,  H01S5/065

Abstract: 低阈值内腔三有源区光子晶体垂直腔面发射半导体激光器，属于半导体光电子领域。普通氧化限制性垂直腔面发射半导体激光器多横模激射、单模输出功率低、阈值电流大、串联电阻大等问题。本实用新型在器件的有源区上采用了多有源区结构。同时将缺陷型光子晶体结构引入到垂直腔面发射半导体激光器的上DBR中，通过合理的优化光子晶体周期，空气孔径，刻蚀深度，器件直径，氧化孔径等，得到了单模工作氧化孔径几十微米、单模功率几个毫瓦、串联电阻几十欧姆、边模抑制40分贝以上的内腔式多有源区光子晶体垂直腔面发射半导体面发射激光器。

公开(公告)号：CN201435526Y

公开(公告)日：2010-03-31

申请号：CN200920109744.1

申请日：2009-06-26

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 徐晨 ,  解意洋 ,  刘英明 ,  王宝强 ,  阚强 ,  王春霞

IPC: H01S5/183 ,  H01S5/14 ,  H01S5/06 ,  H01S5/065

Abstract: 外腔大功率三有源区光子晶体垂直腔面发射半导体激光器，属于半导体光电子领域。普通的垂直腔面发射半导体激光器存在单程光增益小、多横模激射、单模输出功率低、阈值电流大、串联电阻大等问题。本实用新型在器件的有源区上采用了多有源区结构。同时将缺陷型光子晶体结构引入到垂直腔面发射半导体激光器的上DBR中，通过合理的优化光子晶体周期，空气孔径，刻蚀深度，器件直径，氧化孔径等，得到了单模工作氧化孔径几十微米、单模功率几个毫瓦、串联电阻几十欧姆、边模抑制35分贝以上的外腔式多有源区光子晶体垂直腔面发射半导体面发射激光器。