公开(公告)号：CN102623890A

公开(公告)日：2012-08-01

申请号：CN201210084753.6

申请日：2012-03-27

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 徐晨 ,  解意洋 ,  邓军 ,  朱彦旭 ,  魏思民 ,  毛明明 ,  曹田 ,  阚强 ,  王春霞 ,  陈弘达

IPC: H01S5/183

Abstract: 本发明属于光电子领域，是多孔缺陷匹配型光子晶体面发射激光器。依次包括有在衬底上依次生长下DBR，有源区，氧化限制层，上DBR和P型欧姆接触层，氧化限制层设有氧化孔；其特征在于：在上DBR和P型欧姆接触层中刻蚀出光子晶体空气孔制作出多孔缺陷型光子晶体结构，多孔缺陷型光子晶体结构包括光子晶体空气孔以及光子晶体缺陷孔；多孔缺陷型光子晶体结构周期1-3微米，占空比为0.3-0.9，刻蚀深度在1-2微米，同时氧化孔的直径D比光子晶体缺陷孔的直径d大一个光子晶体空气孔直径b，即D＝b+d。本发明使器件工作在低阈值电流、小串联电阻、高单模输出功率状态，应用于氧化限制型光子晶体面发射激光器，不受波长范围影响。

公开(公告)号：CN102611001A

公开(公告)日：2012-07-25

申请号：CN201210084836.5

申请日：2012-03-27

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 徐晨 ,  解意洋 ,  朱彦旭 ,  邓军 ,  毛明明 ,  魏思民 ,  曹田 ,  阚强 ,  王春霞 ,  陈弘达

IPC: H01S5/183

Abstract: 一种优化光子晶体面发射激光器方法属于半导体光电子技术领域。所述方法在氧化限制型面发射激光器和二维光子晶体横向耦合基础的上将氧化孔径与光子晶体缺陷孔径纵向匹配耦合。通过优化氧化孔径和光子晶体缺陷孔径的关系，制备氧化孔径比光子晶体缺陷孔径大一个光子晶体空气孔直径器件使器件工作在低阈值电流、小串联电阻、高单模输出功率状态。本发明的方法可应用于各种类型材料的氧化限制型光子晶体面发射激光器，不受波长范围影响。