公开(公告)号：CN103078036A

公开(公告)日：2013-05-01

申请号：CN201310017932.2

申请日：2013-01-17

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 徐晨 ,  许坤 ,  孙捷 ,  邓军 ,  朱彦旭 ,  毛明明 ,  解意洋 ,  郑雷

IPC: H01L33/42

Abstract: 基于石墨烯薄膜的透明电极的制备方法，在石墨烯薄层与器件表面之间插入ITO纳米薄层；包括以下步骤：将GaN基LED外延片（208）进行清洗；在p-GaN层（203）上制作第一纳米ITO薄层（202），厚度为7-10nm；退火；将第二石墨烯薄膜层（201）转移到（202）上；在（202）上光刻定义出台阶区域，并且利用台阶上的光刻胶作为掩模，去除（201）和（202），然后进行ICP刻蚀，直至刻蚀到n-GaN为止；光刻定义出透明导电层的图形（201）和（202）；光刻电极图形，制作金属电极；进行超声剥离；GaN基LED所需的后段工艺。本发明降低了石墨烯与半导体材料的接触电阻，并且使整个透明导电层结构保持一个很高的透光率，使整体的透光率和石墨烯薄膜几乎保持一致。

公开(公告)号：CN102623890A

公开(公告)日：2012-08-01

申请号：CN201210084753.6

申请日：2012-03-27

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 徐晨 ,  解意洋 ,  邓军 ,  朱彦旭 ,  魏思民 ,  毛明明 ,  曹田 ,  阚强 ,  王春霞 ,  陈弘达

IPC: H01S5/183

Abstract: 本发明属于光电子领域，是多孔缺陷匹配型光子晶体面发射激光器。依次包括有在衬底上依次生长下DBR，有源区，氧化限制层，上DBR和P型欧姆接触层，氧化限制层设有氧化孔；其特征在于：在上DBR和P型欧姆接触层中刻蚀出光子晶体空气孔制作出多孔缺陷型光子晶体结构，多孔缺陷型光子晶体结构包括光子晶体空气孔以及光子晶体缺陷孔；多孔缺陷型光子晶体结构周期1-3微米，占空比为0.3-0.9，刻蚀深度在1-2微米，同时氧化孔的直径D比光子晶体缺陷孔的直径d大一个光子晶体空气孔直径b，即D＝b+d。本发明使器件工作在低阈值电流、小串联电阻、高单模输出功率状态，应用于氧化限制型光子晶体面发射激光器，不受波长范围影响。

公开(公告)号：CN102611001A

公开(公告)日：2012-07-25

申请号：CN201210084836.5

申请日：2012-03-27

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 徐晨 ,  解意洋 ,  朱彦旭 ,  邓军 ,  毛明明 ,  魏思民 ,  曹田 ,  阚强 ,  王春霞 ,  陈弘达

IPC: H01S5/183

Abstract: 一种优化光子晶体面发射激光器方法属于半导体光电子技术领域。所述方法在氧化限制型面发射激光器和二维光子晶体横向耦合基础的上将氧化孔径与光子晶体缺陷孔径纵向匹配耦合。通过优化氧化孔径和光子晶体缺陷孔径的关系，制备氧化孔径比光子晶体缺陷孔径大一个光子晶体空气孔直径器件使器件工作在低阈值电流、小串联电阻、高单模输出功率状态。本发明的方法可应用于各种类型材料的氧化限制型光子晶体面发射激光器，不受波长范围影响。

公开(公告)号：CN103078036B

公开(公告)日：2015-11-18

申请号：CN201310017932.2

申请日：2013-01-17

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 徐晨 ,  许坤 ,  孙捷 ,  邓军 ,  朱彦旭 ,  毛明明 ,  解意洋 ,  郑雷

IPC: H01L33/42

Abstract: 基于石墨烯薄膜的透明电极的制备方法，在石墨烯薄层与器件表面之间插入ITO纳米薄层；包括以下步骤：将GaN基LED外延片（208）进行清洗；在p-GaN层（203）上制作第一纳米ITO薄层（202），厚度为7-10nm；退火；将第二石墨烯薄膜层（201）转移到（202）上；在（202）上光刻定义出台阶区域，并且利用台阶上的光刻胶作为掩模，去除（201）和（202），然后进行ICP刻蚀，直至刻蚀到n-GaN为止；光刻定义出透明导电层的图形（201）和（202）；光刻电极图形，制作金属电极；进行超声剥离；GaN基LED所需的后段工艺。本发明降低了石墨烯与半导体材料的接触电阻，并且使整个透明导电层结构保持一个很高的透光率，使整体的透光率和石墨烯薄膜几乎保持一致。

公开(公告)号：CN102868091A

公开(公告)日：2013-01-09

申请号：CN201210338837.8

申请日：2012-09-13

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 徐晨 ,  毛明明 ,  许坤 ,  孙捷 ,  解意洋 ,  刘久澄 ,  邓军 ,  朱彦旭

IPC: H01S5/183 ,  H01S5/028

Abstract: 一种应用石墨烯表面电流扩展层的大功率面发射激光器，属于半导体光电子技术领域。包括下电极10，N型衬底2，N型分布布拉格反射镜31，有源层4，电流限制层5，P型分布布拉格反射镜32，欧姆接触层6，石墨烯电流扩展层7，上电极11。利用石墨烯薄膜的高导电性，良好的透光率及导热性来用作顶发射型垂直腔面发射激光器的表面电流扩展层，提高大功率垂直腔面发射激光器性能。解决之前电流扩展差，电流注入拥挤的问题。而石墨烯在紫外和近红外区透光率远高于常用的氧化铟锡透明导电膜（ITO），其纳米级的厚度也不会给器件带来有关光干涉的影响。