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公开(公告)号：CN116219541A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202310198085.8
申请日：2023-03-03
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明提供了一种可转移、复用性超薄光学超构表面的制备方法，包括：获取衬底，并利用第一生长技术在衬底表面生长牺牲层和微米级薄层；对微米级薄层进行外延，得到微米级薄层的外延结构；利用第二生长技术在外延结构的表面成长应力层，得到应力层‑微米级薄层‑牺牲层‑衬底的结构；腐蚀牺牲层，得到应力层‑微米级薄层‑衬底的结构；利用应力层产生的应力将微米级薄层与衬底分离，得到应力层‑微米级薄层结构和衬底；去除应力层，得到微米级薄层和衬底；对微米级薄层进行处理，得到超薄超构表面。本发明解决了现有技术中集成式超构表面有着灵活性差、加工成本高、加工后不可分离、不可重复利用的问题。
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公开(公告)号：CN110844876B
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN201911136443.2
申请日：2019-11-19
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种石墨烯辅助制备大面积金属纳米颗粒阵列的工艺方法，属于微纳加工领域。本发明在传统工艺的基础上，首先采用表面周期性处理工艺，在衬底101表面制备出一个个纳米柱106，其目的是将金属原子102的注入区域分隔开，转移石墨烯105并退火，退火过程中金属原子102团聚成金属纳米颗粒103。石墨烯105起到了完美的阻挡层作用，阻止金属原子102的蒸发。因此，退火温度可以远高于传统工艺中的退火温度。此外，表面周期性处理使得金属纳米颗粒呈现规则排列，这样能够获得结构排列可调的金属纳米颗粒阵列。同时，制备出的石墨烯被金属纳米颗粒保护，阻隔其与空气的接触，有效保证了金属纳米颗粒的长期性质稳定。
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公开(公告)号：CN110616408A
公开(公告)日：2019-12-27
申请号：CN201910879303.8
申请日：2019-09-18
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了基于二维材料的多层金属纳米结构的制备方法，属于新型纳米结构加工领域。其制备过程主要分为三步：第一步:将超薄AAO模板转移到亲水处理后的衬底上。第二步:利用溅射的方法将金属均匀沉积到AAO模板孔洞中。第三步:用胶带粘掉衬底上的AAO模板并在上面转移一层h-BN，在h-BN上再次转移一层超薄AAO模板。第四步:将衬底放入溅射设备中再次沉积一层金属，并去除掉AAO模板，重复第三、四步工艺进行下一层纳米颗粒沉积。本发明工艺简单、成本较低；工艺重复性强，工艺参数好控制。可以大面积制备具有周期性的多层金属纳米结构阵列。
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公开(公告)号：CN116130543A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202211690835.5
申请日：2022-12-27
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L31/108 , H01L31/18 , H01L31/028
Abstract: 本发明公开了应用相变材料直接生长石墨烯的肖特基结探测器，属于半导体光电子器件技术领域。其基本结构从下往上依次为：下金属电极、半导体材料、介质层、相变材料薄膜、石墨烯薄膜、上金属电极。采用相变材料催化生长石墨烯的方法避免了后续的光刻、腐蚀等工艺对石墨烯造成的沾污与破损。由于相变材料在低温下的绝缘性，不需要去除催化牺牲层且图形化精细度高，器件制备效率高，具有重要的应用价值，适合于未来石墨烯肖特基结探测器的大规模产业化制备。
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公开(公告)号：CN110844876A
公开(公告)日：2020-02-28
申请号：CN201911136443.2
申请日：2019-11-19
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种石墨烯辅助制备大面积金属纳米颗粒阵列的工艺方法，属于微纳加工领域。本发明在传统工艺的基础上，首先采用表面周期性处理工艺，在衬底101表面制备出一个个纳米柱106，其目的是将金属原子102的注入区域分隔开，转移石墨烯105并退火，退火过程中金属原子102团聚成金属纳米颗粒103。石墨烯105起到了完美的阻挡层作用，阻止金属原子102的蒸发。因此，退火温度可以远高于传统工艺中的退火温度。此外，表面周期性处理使得金属纳米颗粒呈现规则排列，这样能够获得结构排列可调的金属纳米颗粒阵列。同时，制备出的石墨烯被金属纳米颗粒保护，阻隔其与空气的接触，有效保证了金属纳米颗粒的长期性质稳定。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109116684A
公开(公告)日：2019-01-01
申请号：CN201810808254.4
申请日：2018-07-22
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了可转移键合PDMS基纳米结构制备方法，首先在刚性基底上旋涂一种可被有机溶剂如丙酮等溶解的牺牲层；然后在所制作的牺牲层表面旋涂一层PDMS，固化后在PDMS上面通过干涉光刻的方法制作出周期性纳米图形；再将制作好的图形进行刻蚀，得到图形化了的PDMS。将刻蚀好的PDMS放入丙酮等有机溶剂中，将牺牲层溶解，最终得到具有纳米图形的可转移可键合的PDMS薄膜。本发明使用干涉光刻的方法制备周期性纳米图形，极大的提高了效率。相较于现有的几种制备柔性材料微纳结构的方法，干涉光刻具有速度快，成本低，面积大，易于调节周期及占空比的优点。大大降低了制作过程中薄膜释放的操作难度，提高了薄膜制作的成功率，社会效益及经济效益十分显著。
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公开(公告)号：CN114524431B
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202210173105.1
申请日：2022-02-24
Applicant: 北京工业大学
IPC: C01B32/186
Abstract: 本发明公开了一种在绝缘衬底上低温生长高质量石墨烯的工艺方法，该方法包括以下步骤：将超薄单晶铜箔通过压合的方式贴附在绝缘衬底上作为催化生长石墨烯的基材；将覆有铜箔的衬底置于三温区热CVD系统中使用梯度温控的方法低温生长石墨烯；生长完成后再PMMA支撑层的辅助下去除衬底行残留的铜。该方法生长的石墨烯质量高、破损少，适用于无法耐受高温的衬底，且工艺简单，可用于大规模工业生产。
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公开(公告)号：CN114566424A
公开(公告)日：2022-05-31
申请号：CN202210173104.7
申请日：2022-02-24
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种在集成电路芯片上直接生长图形化石墨烯的工艺方法，该方法包括以下步骤：将超薄单晶铜箔通过压合的方式贴附在集成电路芯片上作为催化生长石墨烯的基材；通过光刻和腐蚀工序对铜箔进行图形化处理；将芯片置于三温区热CVD系统中生长石墨烯，石墨烯只生长在铜箔覆盖的区域从而达到在集成电路芯片上直接图形化生长石墨烯的目的。该方法为石墨烯基集成电路的开发提供了新的思路，有利于加快石墨烯的商业化应用进程。
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公开(公告)号：CN114524431A
公开(公告)日：2022-05-24
申请号：CN202210173105.1
申请日：2022-02-24
Applicant: 北京工业大学
IPC: C01B32/186
Abstract: 本发明公开了一种在绝缘衬底上低温生长高质量石墨烯的工艺方法，该方法包括以下步骤：将超薄单晶铜箔通过压合的方式贴附在绝缘衬底上作为催化生长石墨烯的基材；将覆有铜箔的衬底置于三温区热CVD系统中使用梯度温控的方法低温生长石墨烯；生长完成后再PMMA支撑层的辅助下去除衬底行残留的铜。该方法生长的石墨烯质量高、破损少，适用于无法耐受高温的衬底，且工艺简单，可用于大规模工业生产。
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公开(公告)号：CN110616408B
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN201910879303.8
申请日：2019-09-18
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了基于二维材料的多层金属纳米结构的制备方法，属于新型纳米结构加工领域。其制备过程主要分为三步：第一步:将超薄AAO模板转移到亲水处理后的衬底上。第二步:利用溅射的方法将金属均匀沉积到AAO模板孔洞中。第三步:用胶带粘掉衬底上的AAO模板并在上面转移一层h‑BN，在h‑BN上再次转移一层超薄AAO模板。第四步:将衬底放入溅射设备中再次沉积一层金属，并去除掉AAO模板，重复第三、四步工艺进行下一层纳米颗粒沉积。本发明工艺简单、成本较低；工艺重复性强，工艺参数好控制。可以大面积制备具有周期性的多层金属纳米结构阵列。
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