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公开(公告)号：CN1127113C
公开(公告)日：2003-11-05
申请号：CN01109133.9
申请日：2001-03-09
Applicant: 北京大学
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种掺杂稀土元素的纳米粒子/介质复合光电薄膜及其制备方法和用途，属于半导体器件领域。稀土纳米粒子和金属Ag纳米粒子均匀地埋藏在半导体介质BaO中。其制备方法是在传统的制备Ag-BaO薄膜工艺中按体积比Ba∶Ag∶稀土＝7∶3∶1蒸发沉积适量的稀土元素，形成掺杂稀土的Ag-BaO薄膜。本发明的薄膜可作为光电发射薄膜材料，用于各种光电阴极中，进行光电检测，超快光电信号转换等。
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公开(公告)号：CN1319866A
公开(公告)日：2001-10-31
申请号：CN01109133.9
申请日：2001-03-09
Applicant: 北京大学
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种掺杂稀土元素的纳米粒子/介质复合光电薄膜及其制备方法和用途,属于半导体器件领域。稀土纳米粒子和金属Ag纳米粒子均匀地埋藏在半导体介质BaO中。其制备方法是在传统的制备Ag－BaO薄膜工艺中按体积比Ba∶Ag∶稀土=7∶3∶1蒸发沉积适量的稀土元素,形成掺杂稀土的Ag－BaO薄膜。本发明的薄膜可作为光电发射薄膜材料,用于各种光电阴极中,进行光电检测,超快光电信号转换等。
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公开(公告)号：CN1030417C
公开(公告)日：1995-11-29
申请号：CN92112947.5
申请日：1992-11-13
Applicant: 中国科学院北京真空物理实验室 , 北京大学
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种光电发射薄膜的制备方法与应用，属于半导体器件领域。此种薄膜含有银、钡、氧三种元素，用真空系统中通电加热蒸发钡源和银源，使其沉积并激活的方法制备。此种薄膜可存放于大气能在真空仪器中恢复光电发射而无需重新激活，并可以在较高温度环境下工作，具有较高灵敏度。它可以作为光电发射薄膜材料，用于皮秒级激光脉冲检测及高亮度阴极，还可用于变相管等。
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公开(公告)号：CN1103500C
公开(公告)日：2003-03-19
申请号：CN99118962.0
申请日：1999-09-03
Applicant: 北京大学
IPC: H01L31/101 , G01J1/02
Abstract: 一种可以对近红外波段弱超快光信号进行检测的内场助光电发射薄膜结构，属于半导体器件领域。此种光电发射薄膜结构的特点是在金属超微粒子/介质复合薄膜表面沉积一层一定厚度的银薄膜电极，从而通过加入内场的方法达到提高该种光电发射薄膜量子产额的目的。本发明的内场助金属超微粒子/介质复合光电发射薄膜可用于近红外光电检测、超快光电信号转换等方面。
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公开(公告)号：CN1086927A
公开(公告)日：1994-05-18
申请号：CN92112947.5
申请日：1992-11-13
Applicant: 中国科学院北京真空物理实验室 , 北京大学
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种光电发射薄膜的制备方法与应用，属于半导体器件领域。此种薄膜含有银、钡、氧三种元素，用真空系统中通电加热蒸发钡源和银源，使其沉积并激活的方法制备。此种薄膜可存放于大气，能在真空仪器中恢复光电发射而无需重新激活，并可以在较高温度环境下工作，具有较高灵敏度。它可以作为光电发射薄膜材料，用于皮秒级激光脉冲检测及高亮度阴极，还可用于变相管等。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1403851A
公开(公告)日：2003-03-19
申请号：CN02146377.8
申请日：2002-10-30
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种金属纳米粒子－半导体介质复合薄膜，该复合薄膜既有大的三阶光学非线性系数又具有极快响应速度。该复合薄膜沉积在透明基底的一侧，基质为厚度在100～200nm之间的碱金属氧化物或碱土金属氧化物等半导体介质薄膜，其中埋藏有均匀分布的直径为5～20nm的贵金属纳米粒子。该复合薄膜制备方法为：高真空条件下在透明基底的一侧沉积碱金属或碱土金属薄膜，至白光透过率下降至30％时止；氧化金属薄膜至白光透过率基本恢复，得到半导体介质薄膜；在半导体介质薄膜表面沉积贵金属薄膜；再依次进行真空中120℃半小时以上和大气中100℃一小时以上的退火处理。本发明还提供了采用该复合薄膜为克尔介质的全光克尔开关。
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公开(公告)号：CN1182423C
公开(公告)日：2004-12-29
申请号：CN02146377.8
申请日：2002-10-30
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种金属纳米粒子-半导体介质复合薄膜，该薄膜具有大的三阶光学非线性系数和极快响应速度。该复合薄膜沉积在透明基底的一侧，基质为厚度在100～200nm之间的碱金属氧化物或碱土金属氧化物半导体介质薄膜，其中埋藏有均匀分布的直径为5～20nm的贵金属纳米粒子。其制备方法为：高真空条件下在透明基底的一侧沉积碱金属或碱土金属薄膜，至白光透过率下降至30%时止；氧化金属薄膜至白光透过率基本恢复，得到半导体介质薄膜；在半导体介质薄膜表面沉积贵金属薄膜；再依次进行真空中120℃半小时以上和大气中100℃一小时以上的退火处理。本发明还提供了采用该复合薄膜为克尔介质的全光克尔开关。
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公开(公告)号：CN1245977A
公开(公告)日：2000-03-01
申请号：CN99118962.0
申请日：1999-09-03
Applicant: 北京大学
Abstract: 一种可以对近红外波段弱超快光信号进行检测的内场助光电发射薄膜结构,属于半导体器件领域。此种光电发射薄膜结构的特点是在金属超微粒子/介质复合薄膜表面沉积一层一定厚度的银薄膜电极,从而通过加入内场的方法达到提高该种光电发射薄膜量子产额的目的。本发明的内场助金属超微粒子/介质复合光电发射薄膜可用于近红外光电检测、超快光电信号转换等方面。
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