公开(公告)号：CN1103500C

公开(公告)日：2003-03-19

申请号：CN99118962.0

申请日：1999-09-03

Applicant: 北京大学

Inventor： 吴锦雷 ,  张琦锋 ,  刘惟敏 ,  薛增泉 ,  吴全德

IPC: H01L31/101 ,  G01J1/02

Abstract: 一种可以对近红外波段弱超快光信号进行检测的内场助光电发射薄膜结构，属于半导体器件领域。此种光电发射薄膜结构的特点是在金属超微粒子/介质复合薄膜表面沉积一层一定厚度的银薄膜电极，从而通过加入内场的方法达到提高该种光电发射薄膜量子产额的目的。本发明的内场助金属超微粒子/介质复合光电发射薄膜可用于近红外光电检测、超快光电信号转换等方面。

公开(公告)号：CN1931422A

公开(公告)日：2007-03-21

申请号：CN200510086422.6

申请日：2005-09-14

Applicant: 北京大学

Inventor： 郭等柱 ,  薛增泉 ,  张耿民 ,  张兆祥 ,  赵兴钰 ,  张琦锋 ,  侯士敏 ,  申自勇 ,  高崧 ,  吴锦雷

IPC: B01J19/12 ,  C01B3/06 ,  C01B31/18 ,  H01M8/06

CPC classification number: Y02E60/36 ,  Y02P70/56

Abstract: 本发明提出一种将碳纳米管应用于能源领域的新方法，利用纳米材料的“超级光吸收效应”，以及水在碳纳米管中的特殊存在状态，对含水的碳纳米管体系施加光照射，产生氢气(H2)、一氧化碳(CO)、甲烷(CH4)、乙烷(C2H6)等燃料气体。本发明还提出一种制备新型光控燃料气体源的制备装置结构，在此基础上提出几个典型的应用装置。光控燃料气体源的制备装置包括：可抽真空的容器、碳纳米管样品、电光源及其控制电路，以及用于抽真空、进水汽和取燃料气体的阀门；电光源封接在容器内，碳纳米管放在容器中，控制电路连接电光源。它可以与不同类型的应用装置相连通。

公开(公告)号：CN1403851A

公开(公告)日：2003-03-19

申请号：CN02146377.8

申请日：2002-10-30

Applicant: 北京大学

Inventor： 吴锦雷 ,  张琦锋 ,  薛增泉 ,  刘惟敏 ,  吴全德 ,  王丹翎 ,  龚旗煌

IPC: G02F1/025 ,  H04B10/12

Abstract: 本发明提供了一种金属纳米粒子－半导体介质复合薄膜，该复合薄膜既有大的三阶光学非线性系数又具有极快响应速度。该复合薄膜沉积在透明基底的一侧，基质为厚度在100～200nm之间的碱金属氧化物或碱土金属氧化物等半导体介质薄膜，其中埋藏有均匀分布的直径为5～20nm的贵金属纳米粒子。该复合薄膜制备方法为：高真空条件下在透明基底的一侧沉积碱金属或碱土金属薄膜，至白光透过率下降至30％时止；氧化金属薄膜至白光透过率基本恢复，得到半导体介质薄膜；在半导体介质薄膜表面沉积贵金属薄膜；再依次进行真空中120℃半小时以上和大气中100℃一小时以上的退火处理。本发明还提供了采用该复合薄膜为克尔介质的全光克尔开关。

公开(公告)号：CN100411728C

公开(公告)日：2008-08-20

申请号：CN200510086422.6

申请日：2005-09-14

Applicant: 北京大学

Inventor： 郭等柱 ,  薛增泉 ,  张耿民 ,  张兆祥 ,  赵兴钰 ,  张琦锋 ,  侯士敏 ,  申自勇 ,  高崧 ,  吴锦雷

IPC: B01J19/12 ,  C01B3/06 ,  C01B31/18 ,  H01M8/06

CPC classification number: Y02E60/36 ,  Y02P70/56

Abstract: 本发明提出一种将碳纳米管应用于能源领域的新方法，利用纳米材料的“超级光吸收效应”，以及水在碳纳米管中的特殊存在状态，对含水的碳纳米管体系施加光照射，产生氢气(H2)、一氧化碳(CO)、甲烷(CH4)、乙烷(C2H6)等燃料气体。本发明还提出一种制备新型光控燃料气体源的制备装置结构，在此基础上提出几个典型的应用装置。光控燃料气体源的制备装置包括：可抽真空的容器、碳纳米管样品、电光源及其控制电路，以及用于抽真空、进水汽和取燃料气体的阀门；电光源封接在容器内，碳纳米管放在容器中，控制电路连接电光源。它可以与不同类型的应用装置相连通。

公开(公告)号：CN1182423C

公开(公告)日：2004-12-29

申请号：CN02146377.8

申请日：2002-10-30

Applicant: 北京大学

Inventor： 吴锦雷 ,  张琦锋 ,  薛增泉 ,  刘惟敏 ,  吴全德 ,  王丹翎 ,  龚旗煌

IPC: G02F1/025 ,  H04B10/12

Abstract: 本发明提供了一种金属纳米粒子-半导体介质复合薄膜，该薄膜具有大的三阶光学非线性系数和极快响应速度。该复合薄膜沉积在透明基底的一侧，基质为厚度在100～200nm之间的碱金属氧化物或碱土金属氧化物半导体介质薄膜，其中埋藏有均匀分布的直径为5～20nm的贵金属纳米粒子。其制备方法为：高真空条件下在透明基底的一侧沉积碱金属或碱土金属薄膜，至白光透过率下降至30%时止；氧化金属薄膜至白光透过率基本恢复，得到半导体介质薄膜；在半导体介质薄膜表面沉积贵金属薄膜；再依次进行真空中120℃半小时以上和大气中100℃一小时以上的退火处理。本发明还提供了采用该复合薄膜为克尔介质的全光克尔开关。

公开(公告)号：CN1245977A

公开(公告)日：2000-03-01

申请号：CN99118962.0

申请日：1999-09-03

Applicant: 北京大学

Inventor： 吴锦雷 ,  张琦锋 ,  刘惟敏 ,  薛增泉 ,  吴全德

IPC: H01L31/00 ,  H01L27/14 ,  G01J1/02

Abstract: 一种可以对近红外波段弱超快光信号进行检测的内场助光电发射薄膜结构,属于半导体器件领域。此种光电发射薄膜结构的特点是在金属超微粒子/介质复合薄膜表面沉积一层一定厚度的银薄膜电极,从而通过加入内场的方法达到提高该种光电发射薄膜量子产额的目的。本发明的内场助金属超微粒子/介质复合光电发射薄膜可用于近红外光电检测、超快光电信号转换等方面。