公开(公告)号：CN1403851A

公开(公告)日：2003-03-19

申请号：CN02146377.8

申请日：2002-10-30

Applicant: 北京大学

Inventor： 吴锦雷 ,  张琦锋 ,  薛增泉 ,  刘惟敏 ,  吴全德 ,  王丹翎 ,  龚旗煌

IPC: G02F1/025 ,  H04B10/12

Abstract: 本发明提供了一种金属纳米粒子－半导体介质复合薄膜，该复合薄膜既有大的三阶光学非线性系数又具有极快响应速度。该复合薄膜沉积在透明基底的一侧，基质为厚度在100～200nm之间的碱金属氧化物或碱土金属氧化物等半导体介质薄膜，其中埋藏有均匀分布的直径为5～20nm的贵金属纳米粒子。该复合薄膜制备方法为：高真空条件下在透明基底的一侧沉积碱金属或碱土金属薄膜，至白光透过率下降至30％时止；氧化金属薄膜至白光透过率基本恢复，得到半导体介质薄膜；在半导体介质薄膜表面沉积贵金属薄膜；再依次进行真空中120℃半小时以上和大气中100℃一小时以上的退火处理。本发明还提供了采用该复合薄膜为克尔介质的全光克尔开关。

公开(公告)号：CN1182423C

公开(公告)日：2004-12-29

申请号：CN02146377.8

申请日：2002-10-30

Applicant: 北京大学

Inventor： 吴锦雷 ,  张琦锋 ,  薛增泉 ,  刘惟敏 ,  吴全德 ,  王丹翎 ,  龚旗煌

IPC: G02F1/025 ,  H04B10/12

Abstract: 本发明提供了一种金属纳米粒子-半导体介质复合薄膜，该薄膜具有大的三阶光学非线性系数和极快响应速度。该复合薄膜沉积在透明基底的一侧，基质为厚度在100～200nm之间的碱金属氧化物或碱土金属氧化物半导体介质薄膜，其中埋藏有均匀分布的直径为5～20nm的贵金属纳米粒子。其制备方法为：高真空条件下在透明基底的一侧沉积碱金属或碱土金属薄膜，至白光透过率下降至30%时止；氧化金属薄膜至白光透过率基本恢复，得到半导体介质薄膜；在半导体介质薄膜表面沉积贵金属薄膜；再依次进行真空中120℃半小时以上和大气中100℃一小时以上的退火处理。本发明还提供了采用该复合薄膜为克尔介质的全光克尔开关。