公开(公告)号：CN1349240A

公开(公告)日：2002-05-15

申请号：CN01140097.8

申请日：2001-11-27

Applicant: 北京大学

Inventor： 薛增泉 ,  张葵 ,  张耿民 ,  余宁 ,  侯士敏 ,  申志勇 ,  刘惟敏 ,  赵兴钰 ,  陈清 ,  吴锦雷 ,  张兆祥 ,  彭练矛

IPC: H01J1/304 ,  H01J9/02

Abstract: 本发明公开了一种场发射阴极及其制造方法和应用,属于纳米技术领域和平面场发射阴极技术领域。本发明的场发射阴极是金属纳米线阵列,是在金属平面电极基底上生长与基底相同金属的纳米线阵列;基底厚度为1μm～0.5mm,纳米线直径为20～200nm,长度为100～500nm。制造步骤包括:(1)按照显示器件尺寸要求选用纳米孔模板;(2)在所选纳米孔模板的一面蒸发－电镀制造金属薄膜电极;(3)在纳米孔模板的纳米孔中电化学生长金属纳米线阵列;(4)清洗烘干后溶去部分或全部模板,露出金属纳米线。本发明的场发射阴应用于阴极射线管和平板显示器。本发明的场发射阴极启始场强低,电流密度大,制备简单,成本低。

公开(公告)号：CN1030417C

公开(公告)日：1995-11-29

申请号：CN92112947.5

申请日：1992-11-13

Applicant: 中国科学院北京真空物理实验室 ,  北京大学

Inventor： 吴全德 ,  刘惟敏 ,  董引吾 ,  吴锦雷 ,  石自光 ,  薛增泉

IPC: H01J40/06 ,  C23C14/00 ,  G01J11/00

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种光电发射薄膜的制备方法与应用，属于半导体器件领域。此种薄膜含有银、钡、氧三种元素，用真空系统中通电加热蒸发钡源和银源，使其沉积并激活的方法制备。此种薄膜可存放于大气能在真空仪器中恢复光电发射而无需重新激活，并可以在较高温度环境下工作，具有较高灵敏度。它可以作为光电发射薄膜材料，用于皮秒级激光脉冲检测及高亮度阴极，还可用于变相管等。

公开(公告)号：CN1403851A

公开(公告)日：2003-03-19

申请号：CN02146377.8

申请日：2002-10-30

Applicant: 北京大学

Inventor： 吴锦雷 ,  张琦锋 ,  薛增泉 ,  刘惟敏 ,  吴全德 ,  王丹翎 ,  龚旗煌

IPC: G02F1/025 ,  H04B10/12

Abstract: 本发明提供了一种金属纳米粒子－半导体介质复合薄膜，该复合薄膜既有大的三阶光学非线性系数又具有极快响应速度。该复合薄膜沉积在透明基底的一侧，基质为厚度在100～200nm之间的碱金属氧化物或碱土金属氧化物等半导体介质薄膜，其中埋藏有均匀分布的直径为5～20nm的贵金属纳米粒子。该复合薄膜制备方法为：高真空条件下在透明基底的一侧沉积碱金属或碱土金属薄膜，至白光透过率下降至30％时止；氧化金属薄膜至白光透过率基本恢复，得到半导体介质薄膜；在半导体介质薄膜表面沉积贵金属薄膜；再依次进行真空中120℃半小时以上和大气中100℃一小时以上的退火处理。本发明还提供了采用该复合薄膜为克尔介质的全光克尔开关。

公开(公告)号：CN1091544C

公开(公告)日：2002-09-25

申请号：CN99103111.3

申请日：1999-03-24

Applicant: 北京大学

Inventor： 薛增泉 ,  刘惟敏 ,  顾镇南 ,  施祖进 ,  侯士敏 ,  张兆祥 ,  赵兴钰 ,  吴锦雷 ,  吴全德

IPC: H01L21/77

Abstract: 本发明属于高新科技新型纳米电子器件领域。本发明涉及碳纳米管竖立在纯净金属基底表面上的组装技术及用此技术所制造的电子器件，包括阵列场发射电子源，场发射平板显示器件，扫描探针显微镜(SPM)的针尖，场发射电子显微镜(FEM)的样品，测试碳纳米管特性的装置和利用此技术产生的量子特性与负阻特性曲线制造纳米电子放大器、振荡器和电子开关器件。

公开(公告)号：CN1241813A

公开(公告)日：2000-01-19

申请号：CN99103111.3

申请日：1999-03-24

Applicant: 北京大学

Inventor： 薛增泉 ,  刘惟敏 ,  顾镇南 ,  施祖进 ,  侯士敏 ,  张兆祥 ,  赵兴钰 ,  吴锦雷 ,  吴全德

IPC: H01L21/77

Abstract: 本发明属于高新科技新型纳米电子器件领域。本发明涉及碳纳米管竖立在纯净金属基底表面上的组装技术及用此技术所制造的电子器件,包括阵列场发射电子源,场发射平板显示器件,扫描探针显微镜(SPM)的针尖,场发射电子显微镜(FEM)的样品,测试碳纳米管特性的装置和利用此技术产生的量子特性与负阻特性曲线制造纳米电子放大器、振荡器和电子开关器件。

公开(公告)号：CN1182423C

公开(公告)日：2004-12-29

申请号：CN02146377.8

申请日：2002-10-30

Applicant: 北京大学

Inventor： 吴锦雷 ,  张琦锋 ,  薛增泉 ,  刘惟敏 ,  吴全德 ,  王丹翎 ,  龚旗煌

IPC: G02F1/025 ,  H04B10/12

Abstract: 本发明提供了一种金属纳米粒子-半导体介质复合薄膜，该薄膜具有大的三阶光学非线性系数和极快响应速度。该复合薄膜沉积在透明基底的一侧，基质为厚度在100～200nm之间的碱金属氧化物或碱土金属氧化物半导体介质薄膜，其中埋藏有均匀分布的直径为5～20nm的贵金属纳米粒子。其制备方法为：高真空条件下在透明基底的一侧沉积碱金属或碱土金属薄膜，至白光透过率下降至30%时止；氧化金属薄膜至白光透过率基本恢复，得到半导体介质薄膜；在半导体介质薄膜表面沉积贵金属薄膜；再依次进行真空中120℃半小时以上和大气中100℃一小时以上的退火处理。本发明还提供了采用该复合薄膜为克尔介质的全光克尔开关。

公开(公告)号：CN1155980C

公开(公告)日：2004-06-30

申请号：CN01140097.8

申请日：2001-11-27

Applicant: 北京大学

Inventor： 薛增泉 ,  张葵 ,  张耿民 ,  余宁 ,  侯士敏 ,  申志勇 ,  刘惟敏 ,  赵兴钰 ,  陈清 ,  吴锦雷 ,  张兆祥 ,  彭练矛

IPC: H01J1/304 ,  H01J9/02

Abstract: 本发明公开了一种场发射阴极及其制造方法和应用，属于纳米技术领域和平面场发射阴极技术领域。本发明的场发射阴极是金属纳米线阵列，是在金属薄膜电极基底上生长与基底相同金属的纳米线阵列；基底厚度为1μm～0.5mm，纳米线直径为20～200nm，长度为100～500nm。制造步骤包括：(1)按照显示器件尺寸要求选用纳米孔模板；(2)在所选纳米孔模板的一面蒸发-电镀制造金属薄膜电极；(3)在纳米孔模板的纳米孔中电化学生长金属纳米线阵列；(4)清洗烘干后溶去部分或全部模板，露出金属纳米线。本发明的场发射阴极应用于阴极射线管和平板显示器。本发明的场发射阴极启始场强低，电流密度大，制备简单，成本低。

公开(公告)号：CN1245977A

公开(公告)日：2000-03-01

申请号：CN99118962.0

申请日：1999-09-03

Applicant: 北京大学

Inventor： 吴锦雷 ,  张琦锋 ,  刘惟敏 ,  薛增泉 ,  吴全德

IPC: H01L31/00 ,  H01L27/14 ,  G01J1/02

Abstract: 一种可以对近红外波段弱超快光信号进行检测的内场助光电发射薄膜结构,属于半导体器件领域。此种光电发射薄膜结构的特点是在金属超微粒子/介质复合薄膜表面沉积一层一定厚度的银薄膜电极,从而通过加入内场的方法达到提高该种光电发射薄膜量子产额的目的。本发明的内场助金属超微粒子/介质复合光电发射薄膜可用于近红外光电检测、超快光电信号转换等方面。

公开(公告)号：CN1193397C

公开(公告)日：2005-03-16

申请号：CN01140098.6

申请日：2001-11-27

Applicant: 北京大学

Inventor： 薛增泉 ,  侯士敏 ,  吴锦雷 ,  张耿民 ,  申志勇 ,  刘惟敏 ,  赵兴钰 ,  陈清 ,  彭练矛 ,  张兆祥

IPC: H01J1/02 ,  H01J9/02 ,  B82B1/00 ,  B82B3/00

CPC classification number: B82Y10/00 ,  H01J1/3044 ,  H01J9/02 ,  H01J2201/30469

Abstract: 本发明涉及一种弹道电子发射源及其制备方法，包括电导体丝，单壁碳纳米管，电导体丝前端为针尖形；单壁碳纳米管直径为1-2纳米，长度为10～100纳米，将短单壁碳纳米管用物理的或化学方法组装在电导体丝针尖前端，在真空中经加热或电子束轰击处理，在电导体丝与碳纳米管交接处形成过渡区的碳化物。由于碳纳米管具有很高的强度和很好的柔性，所以本弹道电子发射源是一稳定结构的新型电子源，具有超强、高亮度、相干性和偏振性。可以应用在彩色全息电视电子源；复眼式平板显示屏；电子显微分析仪；偏振电子束；自由电子激光器；超亮光源；大气中的X光源；高能电子束手术刀等多个领域。

公开(公告)号：CN1103500C

公开(公告)日：2003-03-19

申请号：CN99118962.0

申请日：1999-09-03

Applicant: 北京大学

Inventor： 吴锦雷 ,  张琦锋 ,  刘惟敏 ,  薛增泉 ,  吴全德

IPC: H01L31/101 ,  G01J1/02

Abstract: 一种可以对近红外波段弱超快光信号进行检测的内场助光电发射薄膜结构，属于半导体器件领域。此种光电发射薄膜结构的特点是在金属超微粒子/介质复合薄膜表面沉积一层一定厚度的银薄膜电极，从而通过加入内场的方法达到提高该种光电发射薄膜量子产额的目的。本发明的内场助金属超微粒子/介质复合光电发射薄膜可用于近红外光电检测、超快光电信号转换等方面。