公开(公告)号：CN1127113C

公开(公告)日：2003-11-05

申请号：CN01109133.9

申请日：2001-03-09

Applicant: 北京大学

Inventor： 吴锦雷 ,  许北雪 ,  刘维敏 ,  薛增泉 ,  吴全德

IPC: H01J1/34 ,  H01J9/12 ,  H01J40/06 ,  C23C14/24 ,  C23C14/00 ,  G01J11/00 ,  H01L31/18 ,  H01L31/02

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种掺杂稀土元素的纳米粒子/介质复合光电薄膜及其制备方法和用途，属于半导体器件领域。稀土纳米粒子和金属Ag纳米粒子均匀地埋藏在半导体介质BaO中。其制备方法是在传统的制备Ag-BaO薄膜工艺中按体积比Ba∶Ag∶稀土＝7∶3∶1蒸发沉积适量的稀土元素，形成掺杂稀土的Ag-BaO薄膜。本发明的薄膜可作为光电发射薄膜材料，用于各种光电阴极中，进行光电检测，超快光电信号转换等。

公开(公告)号：CN1319866A

公开(公告)日：2001-10-31

申请号：CN01109133.9

申请日：2001-03-09

Applicant: 北京大学

Inventor： 吴锦雷 ,  许北雪 ,  刘维敏 ,  薛增泉 ,  吴全德

IPC: H01J1/34 ,  H01J40/06 ,  C23C14/00 ,  C23C14/24 ,  G01J11/00

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种掺杂稀土元素的纳米粒子/介质复合光电薄膜及其制备方法和用途,属于半导体器件领域。稀土纳米粒子和金属Ag纳米粒子均匀地埋藏在半导体介质BaO中。其制备方法是在传统的制备Ag－BaO薄膜工艺中按体积比Ba∶Ag∶稀土=7∶3∶1蒸发沉积适量的稀土元素,形成掺杂稀土的Ag－BaO薄膜。本发明的薄膜可作为光电发射薄膜材料,用于各种光电阴极中,进行光电检测,超快光电信号转换等。