公开(公告)号：CN104857860A

公开(公告)日：2015-08-26

申请号：CN201510199445.1

申请日：2015-04-24

申请人： 兰州理工大学

发明人： 张栋强 ,  李搏 ,  冉晶 ,  吴见洋

IPC分类号： B01D71/02 ,  B01D69/12 ,  B01D67/00

摘要： 原位合成氧化石墨烯/多孔陶瓷复合膜的制备方法，其步骤为：（1）将硅烷偶联剂加入到有机溶剂中，制备了硅烷化改性溶液，其硅烷偶联剂与有机溶剂的体积配比为2~5:30~50；（2）将多孔陶瓷支撑体放入到硅烷化改性溶液中，在30~85℃温度条件下静置2~10小时，然后从改性液中取出多孔陶瓷支撑体，得到硅烷改性后的多孔陶瓷支撑体；（3）将硅烷改性的多孔陶瓷支撑体放入到Hummers法制备氧化石墨烯的反应液中，通过控制反应温度及反应时间，制备了厚度值为80~300nm的氧化石墨烯/多孔陶瓷复合膜，然后从反应液中取出氧化石墨烯/多孔陶瓷复合膜，在常温下静置干燥，得到了原位合成的氧化石墨烯/多孔陶瓷复合膜。

公开(公告)号：CN115831622A

公开(公告)日：2023-03-21

申请号：CN202211151690.1

申请日：2022-09-21

申请人： 兰州理工大学

发明人： 冯辉霞 ,  冉晶 ,  杨万鹏 ,  谷一鸣 ,  候家瑞 ,  赵霞 ,  雒和明 ,  谭琳 ,  梁思婕 ,  杨世霞

IPC分类号： H01G11/24 ,  H01G11/30 ,  H01G11/36 ,  H01G11/46 ,  H01G11/86 ,  H01B5/14

摘要： 本发明提供了一种MCo2O4@MoS2/RGO电极材料及其制备方法和应用，属于电极材料制备技术领域；在本发明中，首先将MoS2和RGO复合制备出MoS2/RGO，然后将MoS2/RGO和MCo2O4复合制备出MCo2O4@MoS2/RGO电极材料；所述MCo2O4@MoS2/RGO电极材料的制备方法简单、高效、低成本，制备得到的电极材料质量高，在微纳米电子器件、太阳能电池电极、光电转换器、透明导电薄膜等领域具有良好的应用前景。

公开(公告)号：CN116721878A

公开(公告)日：2023-09-08

申请号：CN202310470343.3

申请日：2023-04-27

申请人： 兰州理工大学

发明人： 冯辉霞 ,  冉晶 ,  张德懿 ,  马庆 ,  陈娜丽 ,  李桐 ,  王冰 ,  黄晓雪

IPC分类号： H01G11/46 ,  H01G11/86 ,  H01G11/30 ,  H01G11/26 ,  H01L31/0224

摘要： 本发明提供了一种Nb2O5/MoS2电极材料及其制备方法和应用，属于电极材料制备技术领域；本发明将二维片状MoS2和球状结构的Nb2O5复合得到Nb2O5/MoS2电极材料；所述Nb2O5/MoS2电极材料中，Nb2O5均匀分散在MoS2片层间，形成丰富的导电网络，保证了复合材料间的充分密切接触；所述Nb2O5/MoS2电极材料比电容高、分散性好，在超级电容器、微纳米电子器件、太阳能电池电极等领域具有很好的应用。

公开(公告)号：CN115440511A

公开(公告)日：2022-12-06

申请号：CN202211151687.X

申请日：2022-09-21

申请人： 兰州理工大学

发明人： 冯辉霞 ,  冉晶 ,  刘亚飞 ,  杨甜甜 ,  张德懿 ,  王冰 ,  陈娜丽 ,  黄晓雪 ,  史伟 ,  杨万鹏

IPC分类号： H01G11/86 ,  H01G11/24 ,  H01G11/30 ,  H01G11/36 ,  H01G11/46 ,  H01L31/0224

摘要： 本发明提供了一种MnO2@MoS2/RGO电极材料及其制备方法和应用，属于电极材料制备技术领域；在本发明中，通过将还原氧化石墨烯(RGO)和片状结构的MnO2复合得到MoS2/RGO，然后再复合中空MnO2纳米微球，得到MnO2@MoS2/RGO电极材料；所述MnO2@MoS2/RGO电极材料通过二次结构重组解决了MnO2的团聚问题，MnO2均匀分散在片层间，形成丰富的导电网络，保证了复合材料间的充分密切接触；所述MnO2@MoS2/RGO电极材料比电容高，在超级电容器、微纳米电子器件、太阳能电池电极等领域具有良好的应用前景。