公开(公告)号：CN115831622B

公开(公告)日：2025-04-29

申请号：CN202211151690.1

申请日：2022-09-21

Applicant: 兰州理工大学

Inventor： 冯辉霞 ,  冉晶 ,  杨万鹏 ,  谷一鸣 ,  候家瑞 ,  赵霞 ,  雒和明 ,  谭琳 ,  梁思婕 ,  杨世霞

IPC: H01G11/24 ,  H01G11/30 ,  H01G11/36 ,  H01G11/46 ,  H01G11/86 ,  H01B5/14

Abstract: 本发明提供了一种MCo2O4@MoS2/RGO电极材料及其制备方法和应用，属于电极材料制备技术领域；在本发明中，首先将MoS2和RGO复合制备出MoS2/RGO，然后将MoS2/RGO和MCo2O4复合制备出MCo2O4@MoS2/RGO电极材料；所述MCo2O4@MoS2/RGO电极材料的制备方法简单、高效、低成本，制备得到的电极材料质量高，在微纳米电子器件、太阳能电池电极、光电转换器、透明导电薄膜等领域具有良好的应用前景。

公开(公告)号：CN115831622A

公开(公告)日：2023-03-21

申请号：CN202211151690.1

申请日：2022-09-21

Applicant: 兰州理工大学

Inventor： 冯辉霞 ,  冉晶 ,  杨万鹏 ,  谷一鸣 ,  候家瑞 ,  赵霞 ,  雒和明 ,  谭琳 ,  梁思婕 ,  杨世霞

IPC: H01G11/24 ,  H01G11/30 ,  H01G11/36 ,  H01G11/46 ,  H01G11/86 ,  H01B5/14

Abstract: 本发明提供了一种MCo2O4@MoS2/RGO电极材料及其制备方法和应用，属于电极材料制备技术领域；在本发明中，首先将MoS2和RGO复合制备出MoS2/RGO，然后将MoS2/RGO和MCo2O4复合制备出MCo2O4@MoS2/RGO电极材料；所述MCo2O4@MoS2/RGO电极材料的制备方法简单、高效、低成本，制备得到的电极材料质量高，在微纳米电子器件、太阳能电池电极、光电转换器、透明导电薄膜等领域具有良好的应用前景。