公开(公告)号：CN116721878A

公开(公告)日：2023-09-08

申请号：CN202310470343.3

申请日：2023-04-27

Applicant: 兰州理工大学

Inventor： 冯辉霞 ,  冉晶 ,  张德懿 ,  马庆 ,  陈娜丽 ,  李桐 ,  王冰 ,  黄晓雪

IPC: H01G11/46 ,  H01G11/86 ,  H01G11/30 ,  H01G11/26 ,  H01L31/0224

Abstract: 本发明提供了一种Nb2O5/MoS2电极材料及其制备方法和应用，属于电极材料制备技术领域；本发明将二维片状MoS2和球状结构的Nb2O5复合得到Nb2O5/MoS2电极材料；所述Nb2O5/MoS2电极材料中，Nb2O5均匀分散在MoS2片层间，形成丰富的导电网络，保证了复合材料间的充分密切接触；所述Nb2O5/MoS2电极材料比电容高、分散性好，在超级电容器、微纳米电子器件、太阳能电池电极等领域具有很好的应用。