一种镁锂合金定向凝固起始液相浓度的预测方法

    公开(公告)号:CN114334016B

    公开(公告)日:2024-12-24

    申请号:CN202111249362.0

    申请日:2021-10-26

    Applicant: 兰州大学

    Abstract: 本发明公开一种镁锂合金定向凝固起始液相浓度的预测方法,根据反应系统质量守恒定律,将镁锂合金样品棒在静置热稳定时的样品实际浓度C0、TGZM效应和锂元素的挥发结合,建立完全液体区的熔体浓度与静置热稳定时间的预测模型;根据预测模型得到不同时间静置热稳定后糊状区附近的定向凝固起始液相浓度C;将得到的不同时间静置热稳定后的定向凝固起始液相浓度C作为定向凝固时的实际浓度进行镁锂合金的定性凝固,本发明的预测方法同时考虑静置热稳定过程传热传质和不同情况下的锂元素挥发,预测定向凝固前完全液相区的浓度,对后续定向凝提供固有重要的指导。

    非共晶成分共晶高熵合金获得全共晶组织和性能调控方法

    公开(公告)号:CN114780899B

    公开(公告)日:2024-05-14

    申请号:CN202210285537.1

    申请日:2022-03-23

    Applicant: 兰州大学

    Abstract: 本发明公开了一种非共晶成分共晶高熵合金获得全共晶组织和性能调控方法,根据AlCoCrFeNi2.1共晶高熵合金样品实际浓度、熔点以及两相的生长温度定向利用最高界面温度准则和界面响应函数,建立不同生长速度与两相生长温度的预测关系;通过定向凝固得到不同生长速度下定向凝固共晶高熵合金;将不同生长速度下定向凝固共晶高熵合金组织与利用最高界面温度准则和界面响应函数,建立不同生长速度与两相生长温度的预测关系进行对比;对不同生长速度下定向凝固共晶高熵合金进行拉伸性能测试。该方法利用最高界面温度准则和界面响应函数来预测合金凝固过程中的竞争生长现象,从而判断合金最终凝固组织。

    一种提升镍基高温合金力学及抗热腐蚀性能的方法

    公开(公告)号:CN117758091A

    公开(公告)日:2024-03-26

    申请号:CN202311792971.X

    申请日:2023-12-25

    Applicant: 兰州大学

    Abstract: 本发明涉及高温合金技术领域,公开了一种提升镍基高温合金力学及抗热腐蚀性能的方法,包括以下步骤:(1)将镍基高温合金和Ta单质颗粒置于电弧熔炼炉内进行熔炼,待所述Ta单质颗粒完全熔化后停止熔炼,自然冷却至凝固,切割,得到棒状铸态合金样品;(2)将所述铸态合金样品置于定向凝固炉内,在氩气气氛下,将所述铸态合金样品进行加热及保温处理;(3)保温处理完成后对所述铸态合金样品进行抽拉,淬火,得到定向凝固合金。在热腐蚀条件下,本发明由于Ta单质颗粒的添加以及对于定向凝固抽拉速率的限定,最终提高了合金的力学及抗热腐蚀性能。

    一种单晶硅位错密度的无损检测方法

    公开(公告)号:CN115308239A

    公开(公告)日:2022-11-08

    申请号:CN202210984725.3

    申请日:2022-08-17

    Applicant: 兰州大学

    Abstract: 本发明公开了一种单晶硅位错密度的无损检测方法,设置仪器参数,对单晶硅片进行XRD测试;获得该单晶硅片的XRD衍射谱,经过拟合,由该衍射谱获得衍射峰的半高宽数据B;以相同的仪器测试参数对无位错标准硅样品进行XRD测试,获得标准硅样品的XRD衍射谱,经过拟合,获得仪器宽化δ;根据关系式计算单晶硅位错导致的物理宽化β;根据公式ρ=β2/(4.35b2)计算所测单晶硅的位错密度。该无损检测方法以XRD测试方法为基础、可对位错密度进行定量化测试表征的理论,实现单晶硅中位错密度的定量计算表征。操作简单,数据处理方便,结果可靠同时对待测样品无损。

    一种降低单晶硅位错密度的方法

    公开(公告)号:CN115233311A

    公开(公告)日:2022-10-25

    申请号:CN202210944496.2

    申请日:2022-08-08

    Applicant: 兰州大学

    Abstract: 本发明公开了一种降低单晶硅位错密度的方法,超声清洗单晶硅,置于真空炉或热处理炉中,炉温在1小时内由室温升至800℃,而后再在1小时内由800℃升至900~1350℃,保温1~8小时后,将炉温由900~1350℃降至750℃,之后断电,随炉自然冷却至室温,完成降低单晶硅位错密度的热处理。该降低单晶硅位错密度的方法对单晶硅进行等温退火处理,可显著降低甚至消除单晶硅中的位错。该方法操作简单,退火处理的条件容易调控,对位错降低效果显著。

    一种制备ZnO纳米线阵列的方法

    公开(公告)号:CN101608305B

    公开(公告)日:2012-01-11

    申请号:CN200910203556.X

    申请日:2009-05-20

    Applicant: 兰州大学

    Abstract: 本发明涉及ZnO纳米材料的制备技术领域中的针状和六角柱状ZnO纳米线阵列的可控制备方法。本发明制备ZnO薄膜的方法是首先在衬底材料上制备出银或铜的薄膜,然后将衬底浸入到总体积为50ml的5~120mM的硝酸锌水溶液与10~30mM的二甲基胺硼烷水溶液中,保持溶液温度为60~90℃,充分反应后可在衬底上得到氧化锌薄膜。本发明的制备方法在衬底上形成铜或银的薄膜可以用磁控溅射的方法,或者真空蒸镀的方法,或者真空溅射的方法实现,也可以在铜的衬底表面进行抛光处理获得可生长氧化锌纳粹阵列的表面。

    一种在定向凝固包晶合金中生长非典型三次枝晶的方法

    公开(公告)号:CN111681714B

    公开(公告)日:2023-06-20

    申请号:CN202010627910.8

    申请日:2020-07-02

    Applicant: 兰州大学

    Abstract: 本发明公开了一种在定向凝固包晶合金中生长非典型三次枝晶的方法,首先根据非典型三次枝晶的特性建立理论模型进行分析计算;然后根据分析计算得出结果,最后选取满足条件的包晶合金,结合粗二次枝晶臂下边缘凝固速度和重熔速度的计算,从而选择合适的定向凝固工艺参数,实现非典型三次枝晶臂的生长。本发明建立相关模型进行了分析计算,解释了非典型三次枝晶形成的机理,结合分析计算结果对定向凝固工艺参数进行改良以实现对材料特定力学性能的改善。

    一种预测定向凝固包晶合金糊状区内雀斑形貌缺陷的方法

    公开(公告)号:CN112185472A

    公开(公告)日:2021-01-05

    申请号:CN202011092630.8

    申请日:2020-10-13

    Applicant: 兰州大学

    Abstract: 本发明提供一种预测定向凝固包晶合金糊状区内雀斑形貌缺陷的方法,首先获取雷诺数与渗透率K的关系;建立一种较细二次枝晶位于两个较粗二次枝晶之间的模型,并综合TGZM效应和G‑T效应对二次枝晶的影响,获取渗透率K与糊状区内固相体积分数fS的关系;根据上述各关系,得到雷诺数与固相体积分数fS的关系,通过雷诺数随固相体积分数fS变化时的最大值来预测缺陷的形成。本发明在包晶凝固过程中,能够更准确得预测树枝状糊状区中雀斑形貌的形成。

    一种热浸镀Zn-AI-Mg系合金镀层黑化方法

    公开(公告)号:CN119980117A

    公开(公告)日:2025-05-13

    申请号:CN202510174293.3

    申请日:2025-02-18

    Applicant: 兰州大学

    Abstract: 本发明涉及金属表面处理领域,公开了一种热浸镀Zn‑AI‑Mg系合金镀层黑化方法,所述合金镀层按质量百分比包含如下成分:Al5.0‑15.0wt.%,Mg2.0‑4.0wt.%,Si0.1‑0.3wt.%,余量为Zn,本发明提出的黑化方法无需抽真空,在提高工业化生产可能性的同时还可以很大程度上节省时间,降低生产成本;本发明方法所得到的合金黑化镀层颜色均匀,且本发明的方法操作简便。

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