-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101577178B
公开(公告)日：2011-09-07
申请号：CN200910129797.4
申请日：2009-03-23
Applicant: 兰州大学
Abstract: 本发明公开一种尖晶石型NiZnCo铁氧体磁性薄膜的方法。本发明的方法是将经清洗的衬底材料在常温下浸入氯化亚锡和盐酸混合溶液中，浸泡后取出衬底材料，用水洗去其表面附着的氯离子，将衬底材料浸入金或铂或钯或银的水溶性盐的水溶液中浸泡，重复进行前述过程数次，直至衬底材料变色。根据制备的薄膜成分配制硝酸盐和二甲基胺硼烷的混合水溶液，将混合溶液在60-90℃的水浴中预热5至10分钟，使溶液的pH值升由2.3升到4，然后将衬底浸入混合溶液内，衬底上均匀生长出铁氧体薄膜。通过调节反应物的浓度配比，可制备出不同成分和不同磁性的尖晶石型铁氧体薄膜。
-
公开(公告)号：CN101608305A
公开(公告)日：2009-12-23
申请号：CN200910203556.X
申请日：2009-05-20
Applicant: 兰州大学
Abstract: 本发明涉及ZnO纳米材料的制备技术领域中的针状和六角柱状ZnO纳米线阵列的可控制备方法。本发明制备ZnO薄膜的方法是首先在衬底材料上制备出银或铜的薄膜，然后将衬底浸入到总体积为50ml的5～120mM的硝酸锌水溶液与10～30mM的二甲基胺硼烷水溶液中，保持溶液温度为60～90℃，充分反应后可在衬底上得到氧化锌薄膜。本发明的制备方法在衬底上形成铜或银的薄膜可以用磁控溅射的方法，或者真空蒸镀的方法，或者真空溅射的方法实现，也可以在铜的衬底表面进行抛光处理获得可生长氧化锌纳粹阵列的表面。
-
公开(公告)号：CN101577178A
公开(公告)日：2009-11-11
申请号：CN200910129797.4
申请日：2009-03-23
Applicant: 兰州大学
Abstract: 本发明公开一种尖晶石型NiZnCo铁氧体磁性薄膜的方法。本发明的方法是将经清洗的衬底材料在常温下浸入氯化亚锡和盐酸混合溶液中，浸泡后取出衬底材料，用水洗去其表面附着的氯离子，将衬底材料浸入金或铂或钯或银的水溶性盐的水溶液中浸泡，重复进行前述过程数次，直至衬底材料变色。根据制备的薄膜成分配制硝酸盐和二甲基胺硼烷的混合水溶液，将混合溶液在60－90℃的水浴中预热5至10分钟，使溶液的pH值升由2.3升到4，然后将衬底浸入混合溶液内，衬底上均匀生长出铁氧体薄膜。通过调节反应物的浓度配比，可制备出不同成分和不同磁性的尖晶石型铁氧体薄膜。
-
公开(公告)号：CN101608305B
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：CN200910203556.X
申请日：2009-05-20
Applicant: 兰州大学
Abstract: 本发明涉及ZnO纳米材料的制备技术领域中的针状和六角柱状ZnO纳米线阵列的可控制备方法。本发明制备ZnO薄膜的方法是首先在衬底材料上制备出银或铜的薄膜，然后将衬底浸入到总体积为50ml的5～120mM的硝酸锌水溶液与10～30mM的二甲基胺硼烷水溶液中，保持溶液温度为60～90℃，充分反应后可在衬底上得到氧化锌薄膜。本发明的制备方法在衬底上形成铜或银的薄膜可以用磁控溅射的方法，或者真空蒸镀的方法，或者真空溅射的方法实现，也可以在铜的衬底表面进行抛光处理获得可生长氧化锌纳粹阵列的表面。
-
公开(公告)号：CN207600823U
公开(公告)日：2018-07-10
申请号：CN201721775070.X
申请日：2017-12-19
Applicant: 兰州大学
IPC: G01N1/28
Abstract: 本实用新型公开了一种去气水制备装置，包括真空缸、真空缸顶盖、真空泵、去水气收集瓶、储水瓶和水压缓冲层，所述真空缸顶盖密封设置在真空缸顶部开口上，所述真空缸底部设置有进水口，所述进气管上设置有第二阀门，所述出气管上设置有第三阀门，所述水压缓冲层设置在真空缸底部，所述水压缓冲层上部还设置有透水板，所述去水收集瓶置于透水板上。通过设置不同粒径的砂层缓冲抽真空结束中进水中产生的水花，并且将进水口设置在真空缸底部，与现有技术中进水口设置在顶部相比，抽气结束后，真空缸中不会溅起水花，利用去气水进入真空缸缓解真空压力，所获得的去气水避免了空气二次进入水中的现象的出现，有效提高了去气水制备质量。
-
-
-
-
Search Results
5
records
(took 0.019 seconds)
