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公开(公告)号：CN112222016A
公开(公告)日：2021-01-15
申请号：CN202010825153.5
申请日：2020-08-17
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网江苏省电力有限公司电力科学研究院
摘要： 本发明提供了一种高压电力电子芯片的自动分选装置，包括：控制系统(12)、承载盘(15)、绝缘液体供给装置和绝缘液清理组件，所述绝缘液体供给装置位于承载盘(15)上部空间，绝缘液清理组件靠近承载盘(15)布置，所述控制系统(12)分别与承载盘(15)、绝缘液体供给装置、绝缘液清理组件连接，所述控制系统(12)用于控制绝缘液体供给装置向承载盘(15)吸附的待测芯片(16)上滴液态绝缘介质，还用于在测试完成后控制绝缘液清理组件去除待测芯片(16)上的液态绝缘介质；本发明通过制造检测前对芯片滴加液态绝缘介质和检测后对液态绝缘介质清理的设备，有效的保护了芯片在检测时不受打火的损坏以及检测后将液态绝缘介质清理干净进行分类。
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公开(公告)号：CN111505018A
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN202010322087.X
申请日：2020-04-22
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 , 国网江苏省电力有限公司 , 国家电网有限公司
摘要： 本发明公开一种半导体晶圆的检测设备，包括：底座；支撑杆，从所述底座垂直向上延伸；真空吸笔台，垂直于所述支撑杆设置，所述真空吸笔台上横向分布有多个真空吸笔，所述真空吸笔的端部包括用于放置待测晶圆的吸附盘；真空发生器，与所述真空吸笔台相连，用于为所述多个真空吸笔提供真空负压；LED灯，设置在所述支撑杆上方，用于为放置在所述多个真空吸笔上的待测晶圆提供照明。可以一次性同时放置多枚晶圆，从而辅助检测人员快速进行晶圆检测的切换，提高检测效率。本发明的检测设备中还包括LED灯，可以在环境光线不佳的情况下提供补充光源，从而提高晶圆检测的质量。
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公开(公告)号：CN110808284A
公开(公告)日：2020-02-18
申请号：CN201911076369.X
申请日：2019-11-06
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 , 国网江苏省电力有限公司电力科学研究院
IPC分类号： H01L29/739 , H01L21/335 , H01L27/02 , H01L29/06
摘要： 本发明公开了一种逆导型绝缘栅双极晶体管及其制备方法，该制备方法包括：在衬底的正面形成MOS结构，在衬底的背面形成场终止层；在场终止层上注入第一导电类型离子，对第一导电类型离子进行激光退火，形成第一导电类型集电极层；在第一导电类型集电极层中注入第二导电类型离子，注入的第二导电类型离子的浓度大于第一导电类型离子的浓度，对第二导电类型离子进行图形化激光退火，形成包含第一导电类型集电区和第二导电类型集电区的集电极层。本发明实施例提供的逆导型绝缘栅双极晶体管及其制备方法，相比现有技术中采用光刻工艺形成集电极层，简化了RC-IGBT的制备工艺，减少了新结构开发周期，降低了产品开发成本，工艺易实现，可行性强。
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公开(公告)号：CN110808238A
公开(公告)日：2020-02-18
申请号：CN201911076548.3
申请日：2019-11-06
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 , 国网江苏省电力有限公司电力科学研究院
IPC分类号： H01L23/544 , H01L21/48
摘要： 本发明公开了一种透明半导体材料双面对准标记的制备方法，该制备方法包括如下步骤：根据用户输入的标记工艺参数在透明半导体材料样品正面确定激光入射位置；根据激光入射位置，在透明半导体材料样品内部形成激光标记；根据激光标记，在透明半导体材料样品的背面形成对准标记。本发明实施例提供的透明半导体材料双面对准标记的制备方法，通过在透明半导体材料内部形成激光标记，并根据激光标记在样品背面形成对准标记，因此，该制备方法无需在样品表面形成刻蚀标记，最大限度的保证了样品正面的完整性，不会导致样品中器件结构的破坏，避免了样品表面损伤对样品中器件分布的影响，提高了样品的性能和可靠性。
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公开(公告)号：CN110808238B
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN201911076548.3
申请日：2019-11-06
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 , 国网江苏省电力有限公司电力科学研究院
IPC分类号： H01L23/544 , H01L21/48
摘要： 本发明公开了一种透明半导体材料双面对准标记的制备方法，该制备方法包括如下步骤：根据用户输入的标记工艺参数在透明半导体材料样品正面确定激光入射位置；根据激光入射位置，在透明半导体材料样品内部形成激光标记；根据激光标记，在透明半导体材料样品的背面形成对准标记。本发明实施例提供的透明半导体材料双面对准标记的制备方法，通过在透明半导体材料内部形成激光标记，并根据激光标记在样品背面形成对准标记，因此，该制备方法无需在样品表面形成刻蚀标记，最大限度的保证了样品正面的完整性，不会导致样品中器件结构的破坏，避免了样品表面损伤对样品中器件分布的影响，提高了样品的性能和可靠性。
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公开(公告)号：CN115083909A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202110280158.9
申请日：2021-03-16
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网山东省电力公司德州供电公司
摘要： 本发明公开了一种用于半导体电极制备中的镍腐蚀方法，其包括：在晶圆上镍成膜并高温退火；选择性去除所述晶圆上的镍膜；处理晶圆，本发明提供的技术方案有效的去除了氧化膜表面镍，保留了镍和晶圆接触处且不腐蚀氧化膜，满足了欧姆接触工艺对腐蚀的严格要求，且操作步骤简单。
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公开(公告)号：CN111681943A
公开(公告)日：2020-09-18
申请号：CN202010344980.2
申请日：2020-04-27
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网北京市电力公司
摘要： 本发明提供一种碳化硅表面的处理方法，在碳化硅衬底表面生长氧化层；通过原子层沉积设备在所述氧化层表面沉积掺杂层；采用退火炉对含有所述掺杂层和氧化层的碳化硅衬底按照设定真空度进行真空退火，大大降低了碳化硅与氧化层之间的界面态密度，进而提高了碳化硅功率器件的反型沟道电子迁移率，避免对碳化硅功率器件的性能造成影响，本发明采用退火炉对含有掺杂层和氧化层的碳化硅衬底进行高温退火，避免退火过程中引入新的杂质，减少氧化层中缺陷，提高氧化层质量，同时可以通过温度和时间精确控制磷原子扩散的结深。
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公开(公告)号：CN110581181A
公开(公告)日：2019-12-17
申请号：CN201910908017.X
申请日：2019-09-24
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 , 国网山东省电力公司 , 国家电网有限公司
IPC分类号： H01L29/872 , H01L29/06 , H01L21/04
摘要： 本发明提供的一种肖特基二极管及其制备方法，其中所述肖特基二极管包括基底，以及若干P型结，其包括相对设置的第一端部和第二端部，且所述P型结嵌插设置于所述基底内以使所述第二端部位于所述基底内，相邻P型结间隔设置；连接所述第一端部和第二端部且位于P型结侧面上的连线为光滑的弧线。通过连接所述第一端部和第二端部且位于P型结侧面上的连线为光滑的弧线的结构，使得注入P型结边缘的电场强度更加均匀，进一步提高碳化硅肖特基二极管芯片的反向耐压以及可靠性。
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公开(公告)号：CN111524796A
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：CN202010238731.5
申请日：2020-03-30
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网北京市电力公司
IPC分类号： H01L21/04 , H01L21/265 , H01L21/311
摘要： 本发明提供一种碳化硅功率器件制备中碳化硅外延片及其的处理方法，在所述碳化硅外延片正面和背面分别淀积介质层；对碳化硅外延片正面的介质层进行刻蚀，之后去除碳化硅外延片背面的介质层；对刻蚀完的碳化硅外延片正面进行离子注入。本发明大大减小了碳化硅外延片的翘曲度，且降低了拒片率，提高了光刻工艺精度和离子注入加工精度，降低了离子注入的拒片率和碎片率，大大提高了碳化硅外延片的精度和合格率；在碳化硅外延片正面和背面分步形成各自的介质层，抵消了碳化硅外延片正面直接淀积介质层带来的材料应力，为碳化硅外延片的翘曲度的改善提供基础；成本低，效率高，适用于多种规格的碳化硅外延片。
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公开(公告)号：CN110146799A
公开(公告)日：2019-08-20
申请号：CN201910353351.3
申请日：2019-04-29
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 , 国家电网有限公司
摘要： 本发明涉及一种半导体芯片漏电位置的测试装置及方法，测试装置包括相互连接的半导体器件参数测试装置和红外热成像装置；半导体器件参数测试装置用于：放置待测芯片，并给待测芯片施加反向电压；红外热成像装置包括红外热成像仪和显示设备，红外热成像仪穿过半导体器件参数测试装置且位于所述待测芯片上方；显示设备与红外热成像仪连接，用于观测测试结果，确定芯片表面漏电位置。基于半导体芯片漏电位置测试装置的方法，是将待测芯片放置于半导体器件参数测试装置上，并开启红外热成像装置；给待测芯片施加反向电压，实时观察待测芯片表面热分布；根据待测芯片表面热分布，确定芯片表面漏电位置。
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