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公开(公告)号：CN111368464B
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202010340549.0
申请日：2020-04-26
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 , 国网江苏省电力有限公司 , 国家电网有限公司
IPC分类号： G06F30/20 , G06F115/12
摘要： 本发明公开一种功率半导体器件的芯片筛选方法及装置，所述方法包括：将所述功率半导体器件划分为多个芯片位置；获取所述功率半导体器件中每个所述芯片位置对应的综合应力数据，所述综合应力数据包括电气应力数据、热应力数据和压力应力数据；获取多个候选芯片中每个所述候选芯片的综合极限数据，所述综合极限数据包括电气极限数据、热极限数据和压力极限数据；将多个目标芯片随机与所述多个芯片位置相匹配，所述目标芯片是综合极限数据大于对应芯片位置处的综合应力数据的候选芯片；计算所述多个目标芯片的综合极限数据和所述多个芯片位置对应的综合应力数据的误差；随机更换所述多个目标芯片，以确定使所述误差最小的最佳目标芯片。
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公开(公告)号：CN111505018A
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN202010322087.X
申请日：2020-04-22
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 , 国网江苏省电力有限公司 , 国家电网有限公司
摘要： 本发明公开一种半导体晶圆的检测设备，包括：底座；支撑杆，从所述底座垂直向上延伸；真空吸笔台，垂直于所述支撑杆设置，所述真空吸笔台上横向分布有多个真空吸笔，所述真空吸笔的端部包括用于放置待测晶圆的吸附盘；真空发生器，与所述真空吸笔台相连，用于为所述多个真空吸笔提供真空负压；LED灯，设置在所述支撑杆上方，用于为放置在所述多个真空吸笔上的待测晶圆提供照明。可以一次性同时放置多枚晶圆，从而辅助检测人员快速进行晶圆检测的切换，提高检测效率。本发明的检测设备中还包括LED灯，可以在环境光线不佳的情况下提供补充光源，从而提高晶圆检测的质量。
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公开(公告)号：CN111368464A
公开(公告)日：2020-07-03
申请号：CN202010340549.0
申请日：2020-04-26
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 , 国网江苏省电力有限公司 , 国家电网有限公司
IPC分类号： G06F30/20 , G06F115/12
摘要： 本发明公开一种功率半导体器件的芯片筛选方法及装置，所述方法包括：将所述功率半导体器件划分为多个芯片位置；获取所述功率半导体器件中每个所述芯片位置对应的综合应力数据，所述综合应力数据包括电气应力数据、热应力数据和压力应力数据；获取多个候选芯片中每个所述候选芯片的综合极限数据，所述综合极限数据包括电气极限数据、热极限数据和压力极限数据；将多个目标芯片随机与所述多个芯片位置相匹配，所述目标芯片是综合极限数据大于对应芯片位置处的综合应力数据的候选芯片；计算所述多个目标芯片的综合极限数据和所述多个芯片位置对应的综合应力数据的误差；随机更换所述多个目标芯片，以确定使所述误差最小的最佳目标芯片。
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公开(公告)号：CN110349839B
公开(公告)日：2021-03-12
申请号：CN201910540297.3
申请日：2019-06-21
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网江苏省电力有限公司电力科学研究院
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/285
摘要： 本发明属于碳化硅制备技术领域，具体涉及一种p/n型碳化硅欧姆接触的制备方法。该方法包括对碳化硅外延片进行前清洗和预处理，然后采用原子层沉积工艺在碳化硅外延片上依次形成3TiC/SiC层、3TiC/xSiC层和TiC层，经合金化热处理后依次形成Ti3SiC2层、过渡层和TiC层，得到具有欧姆接触特性的p/n型碳化硅；本发明采用ALD，通过控制摩尔比在碳化硅外延片上形成3TiC/SiC层，经合金化热处理后形成Ti3SiC2层，可以降低界面处势垒的高度，与碳化硅外延片形成欧姆接触，该方法避免了沉积过程与碳化硅外延片中的SiC晶圆发生合金化反应，减少了碳富集和空隙等问题的出现。
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公开(公告)号：CN110349839A
公开(公告)日：2019-10-18
申请号：CN201910540297.3
申请日：2019-06-21
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网江苏省电力有限公司电力科学研究院
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/285
摘要： 本发明属于碳化硅制备技术领域，具体涉及一种p/n型碳化硅欧姆接触的制备方法。该方法包括对碳化硅外延片进行前清洗和预处理，然后采用原子层沉积工艺在碳化硅外延片上依次形成3TiC/SiC层、3TiC/xSiC层和TiC层，经合金化热处理后依次形成Ti3SiC2层、过渡层和TiC层，得到具有欧姆接触特性的p/n型碳化硅；本发明采用ALD，通过控制摩尔比在碳化硅外延片上形成3TiC/SiC层，经合金化热处理后形成Ti3SiC2层，可以降低界面处势垒的高度，与碳化硅外延片形成欧姆接触，该方法避免了沉积过程与碳化硅外延片中的SiC晶圆发生合金化反应，减少了碳富集和空隙等问题的出现。
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公开(公告)号：CN110808238B
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN201911076548.3
申请日：2019-11-06
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 , 国网江苏省电力有限公司电力科学研究院
IPC分类号： H01L23/544 , H01L21/48
摘要： 本发明公开了一种透明半导体材料双面对准标记的制备方法，该制备方法包括如下步骤：根据用户输入的标记工艺参数在透明半导体材料样品正面确定激光入射位置；根据激光入射位置，在透明半导体材料样品内部形成激光标记；根据激光标记，在透明半导体材料样品的背面形成对准标记。本发明实施例提供的透明半导体材料双面对准标记的制备方法，通过在透明半导体材料内部形成激光标记，并根据激光标记在样品背面形成对准标记，因此，该制备方法无需在样品表面形成刻蚀标记，最大限度的保证了样品正面的完整性，不会导致样品中器件结构的破坏，避免了样品表面损伤对样品中器件分布的影响，提高了样品的性能和可靠性。
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公开(公告)号：CN110808238A
公开(公告)日：2020-02-18
申请号：CN201911076548.3
申请日：2019-11-06
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 , 国网江苏省电力有限公司电力科学研究院
IPC分类号： H01L23/544 , H01L21/48
摘要： 本发明公开了一种透明半导体材料双面对准标记的制备方法，该制备方法包括如下步骤：根据用户输入的标记工艺参数在透明半导体材料样品正面确定激光入射位置；根据激光入射位置，在透明半导体材料样品内部形成激光标记；根据激光标记，在透明半导体材料样品的背面形成对准标记。本发明实施例提供的透明半导体材料双面对准标记的制备方法，通过在透明半导体材料内部形成激光标记，并根据激光标记在样品背面形成对准标记，因此，该制备方法无需在样品表面形成刻蚀标记，最大限度的保证了样品正面的完整性，不会导致样品中器件结构的破坏，避免了样品表面损伤对样品中器件分布的影响，提高了样品的性能和可靠性。
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公开(公告)号：CN110211885B
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN201910467610.5
申请日：2019-05-30
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 , 国网江西省电力有限公司 , 国家电网有限公司
摘要： 本发明公开了一种功率芯片预封装、封装方法及其结构、晶圆预封装结构，用于晶圆，晶圆上阵列排布有多个功率芯片，功率芯片的第一电极位于晶圆的第一表面，该预封装方法包括：将多个第一引出电极分别连接在功率芯片的第一电极上；利用封装材料填充各个第一引出电极之间的空间，形成包围第一引出电极的第一封装层；将多个第二引出电极分别连接在功率芯片的第二电极上；去除晶圆中各功率芯片之间预留划片槽区域，形成划片槽；利用封装材料填充划片槽及各个第二引出电极之间的空间，形成包围第二引出电极及划片槽的第二封装层；对晶圆进行切割，形成预封装功率芯片。通过实施本发明，避免了功率芯片终端受到污染的可能，提高了功率芯片的可靠性。
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公开(公告)号：CN109216472A
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201810990583.5
申请日：2018-08-28
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 , 国网山西省电力公司晋城供电公司 , 国家电网有限公司
IPC分类号： H01L29/868 , H01L21/324 , H01L21/265 , H01L21/329
摘要： 本发明涉及半导体技术领域，提供一种快恢复二极管及其制备方法，其中快恢复二极管包括：第一导电类型的衬底；第二导电类型的半导体层，形成在衬底上，第二导电类型与第一导电类型相反；掺杂层，形成在衬底内且与衬底的导电类型相同，掺杂层是通过向衬底注入掺杂离子，并以预定温度退火得到的，预定温度小于500℃。该掺杂层同时兼备寿命阻挡以及寿命控制的作用，在反向阻断状态下，掺杂层能够降低其下方空间电荷区整体电场强度(即，掺杂层，与快恢复二极管的阴极之间的空间电荷区域)，减少了电子空穴对的分离能量，从而降低二极管反向阻断状态下的漏电流，降低了快恢复二极管的额定反向电压的损耗。
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公开(公告)号：CN109860283B
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN201910040864.9
申请日：2019-01-16
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 , 国网湖北省电力有限公司 , 国家电网有限公司
IPC分类号： H01L29/739 , H01L21/331
摘要： 本发明提供了一种IGBT、IGBT背面的制作方法和装置，在N型硅片的背面采用离子注入方式形成场终止层，并对所述场终止层进行激光退火处理；在所述场终止层的底部形成P+集电极层，并依次对有源区的P+集电极层和整个背面的P+集电极层进行激光退火处理；在所述有源区的P+集电极层和整个背面的P+集电极层的底部分别形成背面金属层，不需要光刻程序，仅需要一次注入即可形成，简化了制作过程，大大提高了制作效率，降低了制作成本。且本发明通过不同激光退火条件实现有源区的P+集电极层和整个背面的P+集电极层激光退火，能够降低终端区P+注入效率，减小过渡区电场积累，提高IGBT可靠性。
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