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公开(公告)号：CN1958664A
公开(公告)日：2007-05-09
申请号：CN200610137978.8
申请日：2006-11-01
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: H01L21/563 , C08G59/38 , C08G59/50 , C08K3/36 , C08L63/00 , H01L23/293 , H01L24/81 , H01L2224/16 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/73203 , H01L2224/73204 , H01L2224/81203 , H01L2224/81801 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01045 , H01L2924/0105 , H01L2924/01077 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/10253 , H01L2924/12044 , H01L2924/181 , Y10T428/31511 , H01L2924/00
Abstract: 一种焊料连接性优异且适用于倒装芯片型半导体装置的无流动制法的胺硬化系环氧树脂组合物、以及使用该环氧树脂组合物制造的倒装芯片型半导体装置。本发明之液状环氧树脂组合物含有：(A)液状环氧树脂，(B)胺系硬化剂，以及相对于100重量份(A)成分的环氧树脂，50～900重量份(C)无机填充剂，其中以[(A)液状环氧树脂的环氧基摩尔量/(B)成分的氨基摩尔量]为0.6以上不足1.0的量，含有(B)胺系硬化剂，其中当(B)成分含有在室温～150℃下以固体状存在于组合物中的胺系硬化剂时，该固体状胺系硬化剂的量在合计100mol％的(B)成分中为30mol％以下。
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公开(公告)号：CN1958664B
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200610137978.8
申请日：2006-11-01
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: H01L21/563 , C08G59/38 , C08G59/50 , C08K3/36 , C08L63/00 , H01L23/293 , H01L24/81 , H01L2224/16 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/73203 , H01L2224/73204 , H01L2224/81203 , H01L2224/81801 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01045 , H01L2924/0105 , H01L2924/01077 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/10253 , H01L2924/12044 , H01L2924/181 , Y10T428/31511 , H01L2924/00
Abstract: 一种焊料连接性优异且适用于倒装芯片型半导体装置的无流动制法的胺硬化系环氧树脂组合物、以及使用该环氧树脂组合物制造的倒装芯片型半导体装置。本发明之液状环氧树脂组合物含有：(A)液状环氧树脂，(B)胺系硬化剂，以及相对于100重量份(A)成分的环氧树脂，50～900重量份(C)无机填充剂，其中以[(A)液状环氧树脂的环氧基摩尔量/(B)成分的氨基摩尔量]为0.6以上不足1.0的量，含有(B)胺系硬化剂，其中当(B)成分含有在室温～150℃下以固体状存在于组合物中的胺系硬化剂时，该固体状胺系硬化剂的量在合计100mol％的(B)成分中为30mol％以下。
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公开(公告)号：CN101153212A
公开(公告)日：2008-04-02
申请号：CN200710152805.8
申请日：2007-09-12
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: H01L2224/16225 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73204 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种用来制作耐热冲击性优良的系统级封装型半导体装置的树脂组成物。一种套组，其是用来形成系统级封装型半导体装置的底部填充部的底部填充剂、与用来形成系统级封装型半导体装置的树脂密封部的树脂密封剂的套组。所述套组的特点在于满足下述条件：1)底部填充剂硬化物的Tg大于等于100℃，并且，与树脂密封剂硬化物的Tg之差小于等于20℃，2)底部填充剂硬化物在小于等于(Tg－30℃)的温度下的线膨胀系数、与树脂密封剂硬化物在小于等于(Tg－30℃)的温度下的线膨胀系数之和小于等于42ppm/℃，以及3)树脂密封剂硬化物在小于等于(Tg－30℃)下的线膨胀系数相对于底部填充剂硬化物在小于等于(Tg－30℃)下的线膨胀系数之比为0.3～1.0。
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公开(公告)号：CN1970623B
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：CN200610140301.X
申请日：2006-11-20
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: C08G59/5033 , C08G59/3254 , C08G59/621 , H01L21/563 , H01L23/293 , H01L24/29 , H01L2224/16225 , H01L2224/73203 , H01L2224/73204 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01016 , H01L2924/01019 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01045 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01077 , H01L2924/01082 , H01L2924/10253 , H01L2924/12044 , H01L2924/181 , Y10T428/31511 , H01L2924/3512 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种胺系硬化剂的环氧树脂组成物，其保存性、焊料连接性优异且适用于倒装芯片型半导体装置的无流动制法。液状环氧树脂组成物，其特征在于包含：(A)液状环氧树脂；(B)胺系硬化剂；(C)含硫的苯酚化合物，相对于(A)成分及(B)成分的总量100重量份，含硫的苯酚化合物为1～20重量份；以及(D)无机填充剂，相对于(A)成分的环氧树脂100重量份，无机填充剂为50～900重量份。
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公开(公告)号：CN1983540A
公开(公告)日：2007-06-20
申请号：CN200610166994.X
申请日：2006-12-13
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L21/50 , H01L21/603 , H01L21/56 , H01L23/29
CPC classification number: H01L21/563 , C08G59/245 , H01L23/293 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/73203 , H01L2224/73204 , H01L2924/01012 , H01L2924/10253 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种半导体器件的制备方法，在该半导体器件中通过多个焊锡电极将电路基板和半导体芯片连接起来，所述方法包括将非清洁型焊剂施用在电路基板和半导体芯片中的至少一部分焊盘上；将底层填料施用在电路基板或半导体芯片上；配置半导体芯片和电路基板；并通过热压连接半导体芯片和电路基板，并涉及由该方法所制备的半导体器件。通过使用该方法，由于不需要将会使作为密封剂的底层填料的可靠性变差的焊剂组分加入至底层填料中，因而半导体器件的可靠性不会变差。此外，由于不使用薄膜的插入步骤，因此安装可以在相对短的时间内进行。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103295924B
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201310127946.X
申请日：2007-09-12
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: H01L23/3128 , H01L21/563 , H01L23/293 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L25/0657 , H01L2224/16225 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73203 , H01L2224/73204 , H01L2224/73265 , H01L2225/0651 , H01L2225/06517 , H01L2225/06575 , H01L2225/06582 , H01L2225/06586 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/01012 , H01L2924/01019 , H01L2924/01077 , H01L2924/01087 , H01L2924/10253 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , Y10T428/31855 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/0401 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 本发明提供一种耐热冲击性优良的系统级封装型半导体装置。所述系统级封装型半导体装置的特点在于满足下述条件：1）底部填充剂硬化物的Tg大于等于100℃，并且，与树脂密封剂硬化物的Tg之差小于等于20℃，2）底部填充剂硬化物在小于等于（Tg－30℃）的温度下的线膨胀系数、与树脂密封剂硬化物在小于等于（Tg－30℃）的温度下的线膨胀系数之和小于等于42ppm/℃，以及3）树脂密封剂硬化物在小于等于（Tg－30℃）下的线膨胀系数相对于底部填充剂硬化物在小于等于（Tg－30℃）下的线膨胀系数之比为0.3～1.0。
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公开(公告)号：CN103295924A
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN201310127946.X
申请日：2007-09-12
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: H01L23/3128 , H01L21/563 , H01L23/293 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L25/0657 , H01L2224/16225 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73203 , H01L2224/73204 , H01L2224/73265 , H01L2225/0651 , H01L2225/06517 , H01L2225/06575 , H01L2225/06582 , H01L2225/06586 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/01012 , H01L2924/01019 , H01L2924/01077 , H01L2924/01087 , H01L2924/10253 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , Y10T428/31855 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/0401 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 本发明提供一种耐热冲击性优良的系统级封装型半导体装置。所述系统级封装型半导体装置的特点在于满足下述条件：1）底部填充剂硬化物的Tg大于等于100℃，并且，与树脂密封剂硬化物的Tg之差小于等于20℃，2）底部填充剂硬化物在小于等于（Tg-30℃）的温度下的线膨胀系数、与树脂密封剂硬化物在小于等于（Tg-30℃）的温度下的线膨胀系数之和小于等于42ppm/℃，以及3）树脂密封剂硬化物在小于等于（Tg-30℃）下的线膨胀系数相对于底部填充剂硬化物在小于等于（Tg-30℃）下的线膨胀系数之比为0.3～1.0。
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公开(公告)号：CN1958663B
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN200610137644.0
申请日：2006-10-31
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: H01L23/293 , C08G59/226 , C08G59/38 , C08G59/686 , C08L63/00 , H01L21/563 , H01L24/81 , H01L2224/16 , H01L2224/73203 , H01L2224/73204 , H01L2224/81203 , H01L2224/81801 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01045 , H01L2924/0105 , H01L2924/01077 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/10253 , H01L2924/12044 , H01L2924/181 , Y10T428/31511 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种焊料连接性优异且适用于倒装芯片型半导体装置的无流动制法的胺硬化系环氧树脂组成物、以及一种使用该环氧树脂组成物制造的倒装芯片型半导体装置。本发明的液状环氧树脂组成物，其含有如下成分而成：(A)液状环氧树脂，(B)胺系硬化剂，(C)0.1～20重量份的含氮化合物，其是相对于(A)成分及(B)成分的总量100重量份，且含氮化合物是选自由3级胺的有机酸盐、氨基酸、亚氨基酸、具有醇性羟基的单氨基化合物所组成的群组中的至少一种，(D)50～900重量份的无机填充剂，其是相对于(A)液状环氧树脂为100重量份。
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公开(公告)号：CN1970623A
公开(公告)日：2007-05-30
申请号：CN200610140301.X
申请日：2006-11-20
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: C08G59/5033 , C08G59/3254 , C08G59/621 , H01L21/563 , H01L23/293 , H01L24/29 , H01L2224/16225 , H01L2224/73203 , H01L2224/73204 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01016 , H01L2924/01019 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01045 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01077 , H01L2924/01082 , H01L2924/10253 , H01L2924/12044 , H01L2924/181 , Y10T428/31511 , H01L2924/3512 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种胺系硬化剂的环氧树脂组成物，其保存性、焊料连接性优异且适用于倒装芯片型半导体装置的无流动制法。液状环氧树脂组成物，其特征在于包含：(A)液状环氧树脂；(B)胺系硬化剂；(C)含硫的苯酚化合物，相对于(A)成分及(B)成分的总量100重量份，含硫的苯酚化合物为1～20重量份；以及(D)无机填充剂，相对于(A)成分的环氧树脂100重量份，无机填充剂为50～900重量份。
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公开(公告)号：CN1958663A
公开(公告)日：2007-05-09
申请号：CN200610137644.0
申请日：2006-10-31
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: H01L23/293 , C08G59/226 , C08G59/38 , C08G59/686 , C08L63/00 , H01L21/563 , H01L24/81 , H01L2224/16 , H01L2224/73203 , H01L2224/73204 , H01L2224/81203 , H01L2224/81801 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01045 , H01L2924/0105 , H01L2924/01077 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/10253 , H01L2924/12044 , H01L2924/181 , Y10T428/31511 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种焊料连接性优异且适用于倒装芯片型半导体装置的无流动制法的胺硬化系环氧树脂组成物、以及一种使用该环氧树脂组成物制造的倒装芯片型半导体装置。本发明的液状环氧树脂组成物，其含有如下成分而成：(A)液状环氧树脂，(B)胺系硬化剂，(C)0.1～20重量份的含氮化合物，其是相对于(A)成分及(B)成分的总量100重量份，且含氮化合物是选自由3级胺的有机酸盐、氨基酸、亚氨基酸、具有醇性羟基的单氨基化合物所组成的群组中的至少一种，(D)50～900重量份的无机填充剂，其是相对于(A)液状环氧树脂为100重量份。
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