公开(公告)号：CN101153212A

公开(公告)日：2008-04-02

申请号：CN200710152805.8

申请日：2007-09-12

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 隅田和昌 ,  加藤馨 ,  下田太郎

IPC: C09K3/10 ,  C08L63/02 ,  C08G59/56 ,  C08K3/00 ,  H01L23/29

CPC classification number: H01L2224/16225 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种用来制作耐热冲击性优良的系统级封装型半导体装置的树脂组成物。一种套组，其是用来形成系统级封装型半导体装置的底部填充部的底部填充剂、与用来形成系统级封装型半导体装置的树脂密封部的树脂密封剂的套组。所述套组的特点在于满足下述条件：1)底部填充剂硬化物的Tg大于等于100℃，并且，与树脂密封剂硬化物的Tg之差小于等于20℃，2)底部填充剂硬化物在小于等于(Tg－30℃)的温度下的线膨胀系数、与树脂密封剂硬化物在小于等于(Tg－30℃)的温度下的线膨胀系数之和小于等于42ppm/℃，以及3)树脂密封剂硬化物在小于等于(Tg－30℃)下的线膨胀系数相对于底部填充剂硬化物在小于等于(Tg－30℃)下的线膨胀系数之比为0.3～1.0。

公开(公告)号：CN1302070C

公开(公告)日：2007-02-28

申请号：CN03160278.9

申请日：2003-08-01

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 下田太郎 ,  长田将一 ,  竹中博之 ,  安藤信吾 ,  富吉和俊 ,  盐原利夫

IPC: C08L63/00 ,  H01L23/29

CPC classification number: H01L23/293 ,  C08K5/5399 ,  C08L63/00 ,  C08L85/02 ,  H01L2924/0002 ,  C08L2666/22 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种用于半导体封装的阻燃环氧树脂组合物，包括主要组分，(A)环氧树脂，(B)固化剂、(C)无机填料、和(D)平均组成通式(1)的磷腈化合物，熔点为110—130℃，其中a、b和n是满足0＜a≤0.05n，1.90n≤b＜2n、2a+b＝2n和3≤n≤6的数字，组合物基本上不含溴化物和锑化合物。

公开(公告)号：CN1497714A

公开(公告)日：2004-05-19

申请号：CN03160278.9

申请日：2003-08-01

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 下田太郎 ,  长田将一 ,  竹中博之 ,  安藤信吾 ,  富吉和俊 ,  盐原利夫

IPC: H01L23/29 ,  C08L63/00

CPC classification number: H01L23/293 ,  C08K5/5399 ,  C08L63/00 ,  C08L85/02 ,  H01L2924/0002 ,  C08L2666/22 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种用于半导体封装的阻燃环氧树脂组合物，包括主要组分，(A)环氧树脂，(B)固化剂、(C)无机填料、和(D)平均组成通式(1)的磷腈化合物，熔点为110－130℃，如式其中a、b和n是满足0＜a≤0.05n，1.90n≤b＜2n、2a+b＝2n和3≤n≤6的数字，组合物基本上不含溴化物和锑化合物。

公开(公告)号：CN103295924B

公开(公告)日：2016-08-31

申请号：CN201310127946.X

申请日：2007-09-12

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 隅田和昌 ,  加藤馨 ,  下田太郎

IPC: H01L21/56 ,  H01L23/31 ,  H01L23/29

CPC classification number: H01L23/3128 ,  H01L21/563 ,  H01L23/293 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06575 ,  H01L2225/06582 ,  H01L2225/06586 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01087 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  Y10T428/31855 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 本发明提供一种耐热冲击性优良的系统级封装型半导体装置。所述系统级封装型半导体装置的特点在于满足下述条件：1）底部填充剂硬化物的Tg大于等于100℃，并且，与树脂密封剂硬化物的Tg之差小于等于20℃，2）底部填充剂硬化物在小于等于（Tg－30℃）的温度下的线膨胀系数、与树脂密封剂硬化物在小于等于（Tg－30℃）的温度下的线膨胀系数之和小于等于42ppm/℃，以及3）树脂密封剂硬化物在小于等于（Tg－30℃）下的线膨胀系数相对于底部填充剂硬化物在小于等于（Tg－30℃）下的线膨胀系数之比为0.3～1.0。

公开(公告)号：CN103295924A

公开(公告)日：2013-09-11

申请号：CN201310127946.X

申请日：2007-09-12

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 隅田和昌 ,  加藤馨 ,  下田太郎

IPC: H01L21/56 ,  H01L23/31 ,  H01L23/29

CPC classification number: H01L23/3128 ,  H01L21/563 ,  H01L23/293 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06575 ,  H01L2225/06582 ,  H01L2225/06586 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01087 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  Y10T428/31855 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 本发明提供一种耐热冲击性优良的系统级封装型半导体装置。所述系统级封装型半导体装置的特点在于满足下述条件：1）底部填充剂硬化物的Tg大于等于100℃，并且，与树脂密封剂硬化物的Tg之差小于等于20℃，2）底部填充剂硬化物在小于等于（Tg-30℃）的温度下的线膨胀系数、与树脂密封剂硬化物在小于等于（Tg-30℃）的温度下的线膨胀系数之和小于等于42ppm/℃，以及3）树脂密封剂硬化物在小于等于（Tg-30℃）下的线膨胀系数相对于底部填充剂硬化物在小于等于（Tg-30℃）下的线膨胀系数之比为0.3～1.0。